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为您找到 “n<b>型<b>硅片”相关结果259 个
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综合
绒面结构对黑硅太阳能电池电性能的影响
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-22 23:59:59
串阻增大。从图7(c)、(d)中可以看出,酸制绒电池的山峰的顶部和底部都没有富
N
型
层,且Ag结晶在
硅片
表面分布很均匀,所以串阻较低。图1.抛光
硅片
和C1,C3,C5的照片图2. 条件C1、C3、C5的
光伏要闻
多晶VS单晶:市场风云 鹿死谁手?
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-13 00:02:59
B-O复合体的原因,衰减较大,但
N
型
单晶衰减基本为0,可是电池厂如果生产
N
型
单晶电池,需要重新引入设备,投资较大,在现有形势下,期望电池厂大量上
N
型
单晶电池线,难度较大。单晶VS多晶,多晶略胜一筹
光伏材料
多晶硅
晶硅市场
多晶
硅片
市场份额提高到88%的原因分析
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-12 10:02:45
突破20%,因此从性价比看,P型单晶还是不如P型多晶,但是
N
型
单晶电池确实具备一定的优势。P型单晶因为B-O复合体的原因,衰减较大,但
N
型
单晶衰减基本为0,可是电池厂如果生产
N
型
单晶电池,需要重新引入
多晶
硅片
市场份额
产业
硅片
揭秘多晶
硅片
市场份额提高到88%的原因
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-11 23:59:59
,但是
N
型
单晶电池确实具备一定的优势。P型单晶因为B-O复合体的原因,衰减较大,但
N
型
单晶衰减基本为0,可是电池厂如果生产
N
型
单晶电池,需要重新引入设备,投资较大,在现有形势下,期望电池厂大量上
N
型
光伏要闻
【干货】保利协鑫游达:如何通过铸锭技术提升光伏组件效率
来源:索比光伏
发布时间:2015-09-21 14:52:05
大幅度降低PERC结构电池的光衰,其光衰值由2.7%降低至0.6%左右,掺镓鑫单晶
硅片
在PERC电池中应用更具优势。 当然,在
N
型
电池片中,由于没有B-O复合体的存在,理论上不会产生
保利协鑫
游达
铸锭
光伏人物
浅析光伏电站中光伏组件衰减问题
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-31 11:16:06
晶体硅的缺陷,从而彻底解决了掺硼的
硅片
,光伏组件的衰减问题。 方法四:使用掺p的
n
型
硅替代掺硼的p
型
硅片
,
n
型
硅片
可以解决光致衰减问题,但是从现有技术和工艺来看,在转换效率和制造成本上没有优势
光伏行情
光伏电池板的光衰减现象是怎么产生的?
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-17 11:50:28
早期光致衰减幅度非常大。我们强烈要求不使用低质量的硅料。 2)在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率
N
型
硅料苰IC的废
N
型
硅片
等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适,但硼一氧
光致衰减
PID
光伏技术
产业
中国光伏产业 在全球价值链下竞争力及路径
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-12 09:12:57
劳动力密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国光伏组件最大出口国。处于中下游的是韩国、法国、意大利,中下游也划分
在面临海外双反、无锡尚德破产的不利情况下,2014年我国多晶硅产量仍达到13.2万吨,同比增长57%;
硅片
产量达到38GW,同比增长28%;电池片产量达到33GW,同比增长32%;组件产量达到
中国光伏产业
竞争力
光伏行业
全球价值链下中国光伏产业竞争力评价及路径选择
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-12 08:57:59
密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国光伏组件最大出口国。处于中下游的是韩国、法国、意大利,中下游也划分
在面临海外双反、无锡尚德破产的不利情况下,2014年我国多晶硅产量仍达到13.2万吨,同比增长57%;
硅片
产量达到38GW,同比增长28%;电池片产量达到33GW,同比增长32%;组件产量达到
光伏产业
光伏评论
解析光伏电池板为何产生光衰减现象
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-04 08:39:24
不但效率低,而且早期光致衰减幅度非常大。我们强烈要求不使用低质量的硅料。 2)在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率
N
型
硅料苰IC的废
N
型
硅片
等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率
光伏组件
太阳能电池
光伏科技
构建绿色能源帝国——SolarCity2014年度回顾
来源:索比光伏
发布时间:2015-07-16 14:45:18
大手笔的收购,斥资3.5亿美金收购单晶组件厂Silevo 。该组件公司2007 年在美国硅谷创立,其核心技术和专利为一种基于N 型单晶
硅片
的高效晶体硅光伏电池结构---Triex。能以接近传统晶硅光伏
资产证券化
互联网+
太阳能债券
用原子层沉积方法制作氧化铝钝化膜的太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-11 23:59:59
过约400℃的退火,低电阻率(~1cm)P
型
硅片
存在Al薄膜和热生长的SiO2,这样轻掺杂背表面可以实现非常低的表面复合速率(SRVs)。另外,对于近能带隙光子,堆叠在
硅片
背面的SiO2/Al充当良好
光伏要闻
2015年SNEC光伏新品大盘点
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-02 11:03:45
独到见解,展示协鑫光伏专业化在全产业链多平台协同布局战略,发布最新产品及技术。 展会期间,保利协鑫发布了新一代高效多晶
硅片
产品鑫多晶S4,通过先进的共掺杂技术提升性能,有效降低组件光衰,与上一代
平台,每小时能够生产4000片
硅片
,它是将速度、可靠性、模组化以及紧凑占地面积集于一身的获奖系统。在SNEC上,Eclipse 结合展示了最新的音圈马达技术,这是新的实时动态刮刀机制,旨在推动太阳能电池
SNEC
光伏展会
电池片制作工艺对
硅片
中同心圆的影响
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-01 15:01:19
将硼掺杂到直拉工艺的熔料中,从而生产出P
型
硅片
。为了制造太阳电池,必须掺入
n
型
杂质,以形成p-n结。磷是常用的
n
型
杂质,现在常用的工艺是载气通过液态的POCl3混入少量的氧后通过排放有
硅片
的加热炉
电池片
同心圆
光伏科技
铝背钝化的太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-04 09:56:27
Czochralski P
型
硅片
,电阻率为1.50.5cm,覆盖着用加强等离子体化学蒸汽沉积的介质绝缘层。LCO(d1)可以用丝网印刷蚀刻膏来得到,其中包括的磷酸是一种有效的介质场的腐蚀剂,介质的腐蚀是通过在
的另一个应用可能应用在相互交叉的背接触的
n
型
硅太阳能电池中,可得到高质量的丝网印刷的铝合金发射极。 总之,本文的研究在丝网印刷中对铝粉浆和硅接触有了更深的理解。在丝网印刷中,当烧结的峰值温度在750
丝网印刷
太阳能电池
背钝化
MWT背接触晶体硅光伏技术概述
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-04 09:55:17
线的电阻损耗,每根主栅线上都需要10~20个孔洞,总的激光打孔数量在30~60个,过多的孔洞数量会增加打孔的时间,同时可能会对
硅片
产生损伤。图2(b)是荷兰ECN提出的新型布局,每片
硅片
采用44共16
晶硅太阳能电池
导电背板
丝网印刷中太阳能电池的背钝化技术
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-03 23:59:59
d2里)在铝层中是显而易见的,但不代表BSF的形成,因为它们比LCD(d2d1)要宽,理解这种现象可以促进现在研究的发展。抛光的Czochralski P
型
硅片
,电阻率为1.50.5cm,覆盖着用加强
构造,所以d2决定铝的层叠。同样,指间距也由丝网印刷铝层(LPd2)中硅的传播极限决定。铝层叠的另一个应用可能应用在相互交叉的背接触的
n
型
硅太阳能电池中,可得到高质量的丝网印刷的铝合金发射极。总之
光伏要闻
光伏技术路线讨论——为何火的是二代薄膜电池不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-09 09:25:36
型硅基聚光电池。而很妙的是,在聚光的条件下,聚光电池,会出现非线性增长。4倍聚光导致闭路开环电压增长了10%!因而这一
n
型
光电池就呈现出24.5%的转化率!很希望有新型更高效的,如砷化镓薄膜等聚光
,中国科学院理论物理研究所陈应天研究员独立自主开发的4倍聚光+跟踪+
n
型
光伏电池转盘式发电技术。已做到的指标是: 1)峰值功率售价低。当前在内蒙古多伦地区,包括聚光漏斗在内的光伏组件、跟踪装置、逆变器
薄膜电池
聚光
光伏科技
【光伏技路线术讨论】为何火的是二代薄膜电池不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-08 23:59:59
高效硅基电池:硅电池的转化率越高,所消耗的多晶硅就越少。目前用的是美国SunPower公司供应的转化率为22%的
n
型
硅基聚光电池。而很妙的是,在聚光的条件下,聚光电池,会出现非线性增长。4倍聚光导致闭路
开环电压增长了10%!因而这一
n
型
光电池就呈现出24.5%的转化率!很希望有新型更高效的,如砷化镓薄膜等聚光电池的出现。4)在所有上述介绍的绿色技术中,最为核心的技术是太阳能炼硅。太阳能炼硅有一系列
光伏要闻
高效硅基异质结太阳能电池量产的关键因素
来源:索比光伏
发布时间:2015-02-25 11:10:48
(PECVD)沉积多层非晶硅层以钝化
硅片
的表面,这在元器件的性能表现方面起到至关重要的作用。使用精曜科技的PECVD设备在160um厚的绒面常规
n
型
CZ
硅片
表面沉积5nm厚的非晶硅钝化层,我们得到了非常低的
异质结
太阳能电池
光伏科技
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