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　　三菱电机采用SiC制MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD），试制出了用于太阳能电池的功率调节器。据三菱电机尖端技术综合研究所电力电子系统开发中心主任木全政弘介绍，该款功率调节器的电力转换效率
“达到了日本国内最高水平的98％。研究所希望在三年内实现商品化”。　　此次试制的功率调节器的特点是，作为集成有升压电路和逆变器电路的功率模块中使用的功率半导体，采用了由原来的Si改为SiC的“全

很多部件仍然供不应求。2010年需求增长尤其快，各厂商纷纷增产的产品是从产业设备到消费类产品等广泛使用的功率半导体。日前，本站记者就其应用趋势以及使用SiC等新材料的功率半导体业务状况，采访了在德国
，因此便于迅速导入SiC功率半导体等最尖端的产品。 SiC功率半导体方面，已经开始全面实用化，比如三菱电机在空调中配备了二极管等。我们从2001年就开始量产SiC二极管，由于此前不得不

，但很多部件仍然供不应求。2010年需求增长尤其快，各厂商纷纷增产的产品是从产业设备到消费类产品等广泛使用的功率半导体。日前，本站记者就其应用趋势以及使用SiC等新材料的功率半导体业务状况，采访了在
虽然目前还不到10％，但今后有望增长。太阳能发电等新用途重视运转效率，因此便于迅速导入SiC功率半导体等最尖端的产品。 ——SiC功率半导体方面，已经开始全面实用化，比如三菱电机在空调中配备了二极管

美国当地，8月21日SiC ProcessingAG 公司称，保定英利绿色能源股份公司完成了两条浆料回收生产线。公司又新启动了两条浆料回收生产线，当这些生产线都完成了后，总体容量将会60,000
吨，SiC Prosessing公司称第二阶段的建设投资大约2千万欧元. SiC Processing AG says two production lines for recyling used

近日，家族式晶片切割浆料回收公司SiC Processing 被出售给Nordic Capital Fund VII (北欧投资基金VII)，具体金额并未公布。但是，其创始家族仍将以共同
企业的扩张渠道是一项很有潜力的业务。同时，我们也很期待能与管理团队一起，为进一步加强SiC Processing公司在太阳能晶片制造业的重要供应商的地位而共同努力。" SiC

　　日本罗姆公开了其开发的新型SiC功率模块。特点是将开关时产生的浪涌电压（过冲电压）降低了35％。该公司在会场内进行了设想应用于太阳能发电用功率调节器的展示。在该展示中，强调了高开关速度和出色的
，使用开发产品的SiC元件即使接合温度达到250℃也可驱动。而原来的Si元件在接合温度达到150℃左右时即达到极限。通过提高接合温度可实现大电流驱动，开发产品能够输出相当于Si功率模块1.5倍左右的约

　　新日本制铁（新日铁）着手开展作为新一代功率半导体底板材料的SiC（碳化硅）晶圆业务。将从2009年4月1日起通过子公司新日铁材料开始销售直径2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圆。此前新日铁
一直提供试制用晶圆的样品，而此次将从4月份起供应质量可用于元件量产的晶圆。计划2015年前后使该业务的年销售额规模达100亿日元。“毫无疑问，我们将成为仅次于（垄断SiC晶圆市场的）美国可瑞（Cree

　　本田技术研究所与罗姆共同开发出了电动汽车和混合动力车使用的高功率电源模块。其最大特点是仅由SiC器件构成。为全球首创。主要采用了罗姆的SiC元件技术和本田技术研究所的电源模块技术
。　　电源模块由转换器和逆变器构成。使用了罗姆的SiC“肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）”和MOSFET。电源模块的耐压为1200V，输出电流为230A。　　罗姆不仅与本田

电源转换使用的普通硅二极管因为无法立即关断而损耗1%的电源效能，为此意法半导体(ST)，率先推出在转换时可降低耗电量的碳化硅(silicon carbide，SiC)二极管。新型STPSC806D和
STPSC806D和STPS1006D 这类碳化硅二极管为交换式电源(SMPS)设计人员带来的另一个好处是，可以提升转换频率，使其它组件如滤波电容和电感变得更小，成本更低，功耗更低。碳化硅(SiC)技术之所能

京都大学、东京电子、罗姆等宣布，使用“量产型SiC（碳化硅）外延膜生长试制装置”，确立对SiC晶圆进行大批量统一处理的技术已经有了眉目。由此具备耐高温、耐高压
样品，并获得了好评”。　　此次开发的是SiC外延生长薄膜的量产技术。具体来说，是把市售的直径为3英寸、厚度为1cm左右的SiC底板削薄后，在上面形成具有高均匀度的SiC外延生长薄膜，再实施氮（N

：（１）低成本（２）导电（或绝缘，依结构设计而定）（３）热膨胀系数与硅匹配（４）非毒性（５）有一定机械强度比较合适的衬底材料为一些硅或铝的的化合物，如SiC，Si3N4
，SiO2，Si，Al2O3，SiAlON，Al等，从目前的文献看有以下一些衬底: （１）单晶硅（２）多晶硅（３）石墨包SiC （４）SiSiC （５）玻璃碳（６）SiO2膜