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SLMi823x 非常适合 MOSFET/IGBT、SiC 和 GaN 场效应管的隔离驱动。 02 兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC隔离驱动SLMi33x系列 SLMi330CG-DG
提供可靠和稳定的创新解决方案。未来，数明半导体将继续用心做好产品，严苛把控品质，为广大客户提供更优质、丰富的隔离产品，加速隔离器件的国产化替代。关于数明半导体数明半导体成立于 2013 年

成熟。关于芯长征：致力于打造国际领先的功率半导体标杆品牌芯长征科技成立于2017年，是一家专注于新型功率半导体器件设计与开发的公司，核心业务包括IGBT、Cool Mos，SiC等芯片产品及技术开发
近日，国际领先的新型功率半导体器件开发商芯长征宣布完成超5亿元C轮融资，本轮融资由鼎晖投资领投，北汽产业投资、高榕资本、芯动能投资、国科嘉和、一汽力合、华登国际、贵阳创投、华胥基金、新潮集团、江宁经

工艺水平，提升电子级硅材料及硅片自主配套能力。整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极推进碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术研发和产业化，着重布局从衬底和外延材料、器件设计
研发企业，提升智能终端产业集聚发展水平。积极发展可穿戴设备、车载智能设备、平板电脑、虚拟现实设备等智能终端产品。加快构建芯片-核心器件-整机的智能终端全产业链条，着力建设全国重要的智能终端产业基地

。整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极推进碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术研发和产业化，着重布局从衬底和外延材料、器件设计和工艺到模块及电路应用的宽禁带半导体
。积极发展可穿戴设备、车载智能设备、平板电脑、虚拟现实设备等智能终端产品。加快构建芯片-核心器件-整机的智能终端全产业链条，着力建设全国重要的智能终端产业基地。太阳能光伏。进一步做大太阳能光伏

技术升级助力降本增效：在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统 10%左右，却是系统能量损耗的主要来源之一，使用SiC MOSFET功率模块的光伏逆变器转换效率可从96%提升至99
，能够将组件产生的直流电转为交流电以实现并网或负载使用。光伏逆变器主要由功率转换模块、微机控制模块、EMI模块、保护电路、监测模块、人机交互模块等组成，其发展依赖于电子电路技术、半导体器件技术及现代

。公司已进入华为光伏供应链。此外，据了解，国内中车时代半导体公司，已成为国际少数同时掌握大功率晶闸管、IGCT、IGBT及SiC器件及其组件技术的集成企业代表，拥有国内首条、全球第二条8英寸IGBT芯片
就可以使用，也就是说明年Q1/2公司的芯片供应问题就会有改善。　　(图片来源：能源新闻网) 　　此外，锦浪的产品研发部门还成立了额外国产新物料验证组，目前已获得了100多个元器件的验证

低下。这就是具有快速开关和高功率密度的宽带隙材料(例如 SiC 和 GaN)发挥作用的地方。这些半导体器件促进了不需要风扇冷却的系统设计。具有内置驱动器和保护功能的 LMG3425R030
GaN 器件具有紧凑的外形、高功率密度和快速开关功能。该栅极驱动器将控制器的数字 PWM 信号转换为 SiC 或 GaN 场效应晶体管 (FET) 所需的电流。基于 PWM 的控制器允许在多个电源

，它会损坏由纯正弦波AC供电的更复杂的电子设备。因此，逆变器设计成为一个平衡的关键，一方面增加开关频率以提高能效、工作电压和发电量，另一方面将平滑方波所用的辅助元器件的成本降至最低。 SIC的优势
碳化硅(SiC)因带隙宽，在太阳能管理中比硅具有多种材料优势，导热率几乎是硅的3倍。这意味着SiC器件承受的击穿电场几乎是硅的10倍，从而使SiC器件与类似结构的硅相比，能够在高得多的电压下高效地工作

:考虑到开关柜和冷却装置的额外安装空间,与该电压等级的商用逆变器系统相比,逆变器系统的体积可节省高达40%。这些被科学家们定义为高阻挡SiC器件的逆变器,可以在中压范围内有广泛的应用。弗劳恩霍夫ISE
德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)开发出一种250千瓦碳化硅(SiC)逆变器,可用于连接到中压电网的公用事业规模光伏项目。与使用硅晶体管的标准光伏逆变器相比,这种SiC设备的创造者声称当

工程技术总监叶念慈下午的会议有索比光伏的创始人曹宇主持，厦门三安集成电路有限公司应用工程技术总监叶念慈做专题报告：第三代半导体材料碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)在禁带宽度、击穿场强、电子饱和速度
、热导率等方面，和硅及砷化镓等第一、二代半导体材料相比具有显著的优势。碳化硅功率器件，为实现光伏逆变器的高转换效率和低能耗提供了所需的低反向恢复和快速开关特性，对提升光伏逆变器功率密度、进一步降低

;3.使用更有性价比的功率器件，如在高功率产品中使用SiC以提升能效;4.优化电路设计，改善系统能效，例如缩短IGBT到电容之间的距离，以减少杂散电感和尖峰电压，进而延长系统寿命等。
电子元器件使用年限一般10-15年，在组件25年的运营周期中，至少需要更换一次逆变器，据IHSMarkit测算，2020年全球光伏逆变器的更替需求约为8.7GW，同比增长近40

典型总体精度和线性度图5：HMSR响应时间然而，如果没有快速的响应时间做支撑，只有高精度依然美中不足。目前，快速IGBT，比如SiC，可以工作在更快的开关频率下 HMSR
已经通过实际测试，可满足此类苛刻的要求，其响应时间低于2uS(见图5)。在多个应用中，HMSR传感器可以像SO16 SMD器件一样直接安装在电路板上，从而降低制造成本和节省空间。HMSR的高度仅