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，推进高端金属及非金属增材制造设备用激光器、振镜、打印喷头等关键器件国产化替代，实现金属合金粉末、聚合物、复合材料等原材料自主可控，加快增材制造在航空航天、医疗卫生、新能源汽车、信息通信等重大领域的
产业应用。(2)无人驾驶。加快电子控制元器件、芯片、车载传感器、智慧座舱等重要零部件突破和技术迭代，提升高算力芯片、人工智能算法、云端算力集群等标准化体系建设的配套等，推动智能网联决策控制及自动驾驶等

输出并网。最上方电路为电池储能系统，通过一个双向DC-DC模块，完成电池的储电和放电。下方为MCU 和基于ARM的控制电路，在低压侧实现系统通信与控制。为保障系统安全可靠运行，系统中需要很多隔离器件
，如数字隔离器，隔离驱动，隔离采样与隔离接口等，来实现低压侧控制电路和高压侧电源电路之间的强弱电隔离与信号传输。纳芯微可提供基于电容隔离技术的丰富隔离产品组合，以及SiC二极管和SiC

市场新能源的渗透率将达50%，这一趋势将为碳化硅器件市场带来爆发式增长机遇;同时，半导体封测材料和设备不断升级迭代，功率半导体封测市场面临着机遇与挑战并存的局面，市场开拓、产业链更新等发展需求迫在眉睫
。半导体封装技术展IC Packaging Fair(以下简称ICPF)，作为引领行业风潮和推动创新的领先阵地，主办方强势聚焦IGBT& SiC模块封测工艺线，倾力打造"首个功率半导体封测工艺生产

(SiC)等宽禁带器件和驱动类产品正在推进功率密度不断提升，系统成本进一步降低，同时实现更多的功能。技术迭代助推光伏度电成本持续降低。从发展趋势来看，光伏系统的进展呈现出五大特点：1)采用大尺寸、高效率
Buck/LDO/电源监控IC、通用运算放大器、高精度电压基准源、温湿度传感器/压力传感器等。一、纳芯微的SiC+驱动类产品组合1)第三代半导体SiC器件，有效提高系统效率SiC功率器件具有高耐压

、首航新能源、易事特、艾罗能源等逆变器厂商的代表齐聚深圳，共同参加了在安森美深圳工厂举办的可再生能源模组产能扩产庆典。众所周知，功率器件、模块是决定光伏逆变器工作效率的重要部分。从2020年起，IGBT
，光储充融合趋势逐渐明显，客户需求相对个性化，都会给相关领域带来挑战。为此，安森美已研发出光伏及储能全线二十多个IGBT/IGBT+SiC Hybrid模块产品，功率覆盖5kW~360kW，充分满足户用

交通工具部件、风电叶片芯材、建筑建材等领域）126.精密高性能陶瓷原料生产：碳化硅（SiC）超细粉体（纯度＞99%，平均粒径＜1μm）、氮化硅（Si3N4）超细粉体（纯度＞99%，平均粒径＜1μm
≥80%），车用DC/DC（输入电压100V～400V），大功率电子器件（IGBT，电压等级≥750V，电流≥300A）；插电式混合动力机电耦合驱动系统；燃料电池发动机（质量比功率≥350W/kg

制造企业，积极推进SiC、GaN等第三代半导体技术研发和产业化。2．智能终端。依托比亚迪电子、中兴通讯、创维、华勤等企业，积极引进关键芯片、摄像头、天线、触控面板等相关配套企业，做大智能终端产业规模，加快
电子元器件。依托西京公司、西安炬光、西安派瑞、中航富士达等企业，大力发展满足高端装备、应用电子、物联网、新能源汽车、新一代信息技术需求的核心基础元器件。突破微机电系统（MEMS）微结构加工、高密度封装等

整合，共谋发展，合作共赢。强强联合互惠共赢作为全球领先的分布式能源解决方案提供商，古瑞瓦特为全球提供多元化的高品质产品和服务。逆变器内部，凡是经过大电流的功率型器件，如IGBT、电感等对品质要求极高
逆变器的适配性。实验室建设分立式IGBT评估平台、IGBT模块评估平台，进行仿真、损耗、温升、应力、双脉冲测试等;SiC DIODE和SiC MOSFET评估平台，可应用于更高频更高功率密度

，相比于IGBT/SiC直流变压器DAB模块，容量提升10倍以上，成本和体积减少1/3以上;在直流故障保护方面，本项目基于国产逆阻型IGCT器件研制了新一代全固态故障电流控制器，实现百微秒开断10kA
合计12MW，该设备所采用的所有IGBT和IGCT功率器件均实现了国产化替代，打破了国外在大功率半导体领域的技术壁垒。在直流变压技术方面，本项目研制的IGCT直流变压器中单个DAB功率模块容量达1MW

萎缩、常态化疫情防控冲击、原材料价格居高不下等多方面挑战，整个环境也日益复杂的情况下，针对新能源汽车、光伏等当下热门应用市场，芯片、元器件等上游供应商又有什么新的解决方案?终端企业又该如何甄选优质供应商
全年装机量约140GW，光伏、风电、水电装机量合计超过480GW。随着度电成本不断下降，性能不断提升，新技术的应用也不断增加，光储充一体化应用顺势而生，上游的功率器件、磁性元件能否实现匹配?本届峰会设置