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德国提供本地支持。 “我们需要一套解决方案来处理我们的大规模生产，并提供一个灵活的数据模型，来采集自动化设备信息。此外，我们也在寻找一种模块化系统，这样我们可以轻易地添加诸如SPC和设备管理模块
主导地位。Eyelit独家提供全面的生产解决方案，包括资产管理（符合Semi E10标准）、设备联合（自动化）、生产执行（MES）、供应链执行、质量管理（CAPA/OCAP/SPC/APC）、和

、Fig.1，获得拥有著作权的AM-FPD许可后转载。在通过固相晶化法（Solid Phase Crystallization，SPC）实现了结晶化的p型p-Si TFT方面，韩国首尔国立大学
（Seoul National University）通过对加氢条件进行优化，从而使特性及可靠性得到提高（论文编号P-9）。SPC的条件为，700℃下15分钟。之所以首先试制了p型p-Si TFT，是为了在有

，载流子迁移率不够大而使其在器件应用方面受到一定限制。虽然减少硅烷压力有助于增大晶粒尺寸，但往往伴随着表面粗糙度的增加，对载流子的迁移率与器件的电学稳定性产生不利影响。固相晶化(SPC
，晶粒尺寸越大。由于在结晶过程中晶核的形成是自发的，因此，SPC多晶硅薄膜晶粒的晶面取向是随机的。相邻晶粒晶面取向不同将形成较高的势垒，需要进行氢化处理来提高SPC多晶硅的性能。这种技术的优点是能制备

电压为0.48V，FF为0．53，=6.52％。 4．1．6固相结晶法（SPC）开始材料a-Si用SiH，或Si2H，辉光放电沉积在平面或绒面衬底上，沉积时加A PH3，形成p。掺杂层
退火，使a-Si层进行固相结晶，形成多晶硅。用Raman光谱研究未掺杂a-Si结构和多晶硅膜关系，经Secco腐蚀显露出晶界，用扫描电镜测量晶粒尺寸和密度。用上述SPC法制备的

Chemical Vapor Deposition)沉積後，再以高於900℃的退火形成，此方法即為SPC (Solid Phase Crystallization) 。然而此種方法卻不適用於平面顯示器製造產業
: Metal Induced Crystallization (MIC)：屬於SPC 方法之一。然相較於傳統的SPC，此方法能在較低溫下（約500~600℃）製造出多晶矽。這是因為一薄層金屬在結晶前即先形成在矽