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国家重点实验室研发的高效P型多晶硅（mc-Si）太阳能光伏电池效率再创世界纪录。其自主研发的156156mm2太阳能电池光电转换效率达21.25%。研发结果已经被德国弗赖堡弗劳恩霍夫太阳能系统
风头的新锐公司。台积电在提交给台湾证券交易所（TSE）的财务文件中表示，其太阳能业务部门估值为4.331亿美元，成为当时在台同业内股本最大的太阳能公司。而后，台积电入股台湾多晶硅电池龙头企业茂迪两成

需要1.5万人，现在生产6GW的组件仅需要1.2万人。企业已经有10项产品、技术创造突破纪录。晶科能源副总裁钱晶表示，晶科多晶6英寸电池效率最高达到20.5％，单晶P型6英寸电池效率最高达到21.5
新能源利用等7个二级分类。其中，对太阳能光伏发电站设施建设运营的支持标准明确为：太阳能光伏发电站、太阳能高温热发电站（不含分布式太阳能光伏发电系统）需满足多晶硅电池组件光电转化效率15.5%，组件自

权威机构测试，其自主研发的156156mm2大面积P型多晶硅太阳电池光电转换率达到21.25%，创造了新的世界纪录。这一数值打破了去年11月份同样由天合光能创造的该类太阳能电池20.76%的世界纪录
。多晶硅电池光电转换率的提升意味着让太阳能发电成本的降低，距离平价太阳能的目标又迈进了一步。创新是构建核心竞争力的关键，但说起来容易做起来难。在2012年的时候，全行业亏损。天合那个时候也困难，在银行停止了

错和缺陷，光转化效率较低。目前实验室研发的小面积多晶硅电池的光转化效率在20．3%，产业化后效率基本维持在12%左右。1.2薄膜太阳能电池薄膜太阳能电池厚度可降至几到几十微米以下，原料消耗率低、加工
薄膜电池是指在玻璃或柔性衬底上沉积Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜构成p-n结组装而成的太阳能电池，主要包括GaAs、CdTe、CdS和CIGS等几类。这些化合物薄膜电池属直接带隙半导体材料，光吸收系数高，带隙

转化效率较低。目前实验室研发的小面积多晶硅电池的光转化效率在20．3%，产业化后效率基本维持在12%左右。1.2 薄膜太阳能电池薄膜太阳能电池厚度可降至几到几十微米以下，原料消耗率低、加工工艺简单
玻璃或柔性衬底上沉积Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜构成p-n结组装而成的太阳能电池，主要包括GaAs、CdTe、CdS和CIGS等几类。这些化合物薄膜电池属直接带隙半导体材料，光吸收系数高，带隙宽度与

，提升空间有限。2025年，单晶电池最高转换效率有望比多晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于
多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功研发和推广应用成为历史。近年来，随着单晶降氧工艺技术的进步，单晶中的氧含量大幅降低，低氧单晶的衰减优于多晶。如下图4所示，低氧单晶组件平均光衰低于普通多晶组件40.5

，提升空间有限。2025年，单晶电池最高转换效率有望比多晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池
中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功研发和推广应用成为历史。近年来，随着单晶降氧工艺技术的进步，单晶中的氧含量大幅降低，低氧单晶的衰减优于多晶。如下图4所示，低氧单晶组件平均光衰低于普通

单晶硅组件产生301MW，据说60片电池p型多晶硅电池产生288MW。 SunPower总裁兼首席执行官汤姆维尔纳(Tom Werner)表示：我们新的Performance系列产品生产线继续
电损耗。该公司此前曾宣称，DCI技术使60片电池N型单晶硅前接触组件产生334W 该公司此前曾宣称，DCI技术使60片电池n型单晶硅前接触组件产生334W，而据说60片电池p型

董事长曹仁贤：光伏电站功率标定不合理影响光伏发展，天合光能P型多晶硅电池转换率达21.25% 创世界纪录，山东省发展和改革委员会关于做好2015年度光伏电站建设有关事项的通知，企业资金链陷危机
"能源互联互通研讨会"各国嘉宾竞相试驾盛赞协鑫"电动e交通"轿车十一科技与招商新能源签署光伏电站EPC战略合作协议天合光能P型多晶硅电池

中国常州，2015年11月9日，天合光能光伏科学与技术国家重点实验室宣布，经第三方权威机构测试，其自主研发的156156 mm2大面积P型多晶硅太阳电池光电转换率达到21.25%，创造了新的
世界纪录。　为制备创纪录的大面积P型多晶硅太阳电池，天合光能在高质量多晶硅衬底上，综合运用了自主研发的先进电池背面钝化和表面处理技术。该电池21.25%的光电转换率由权威光伏测试机构德国

11月9日，天合光能光伏科学与技术国家重点实验室宣布，经第三方权威机构测试，其自主研发的156156 mm2大面积P型多晶硅太阳电池光电转换率达到21.25%，创造了新的世界纪录。据悉，为
制备创纪录的大面积P型多晶硅太阳电池，天合光能在高质量多晶硅衬底上，综合运用了自主研发的先进电池背面钝化和表面处理技术。该电池21.25%的光电转换率由权威光伏测试机构 -- 德国Fraunhofer

　　天合光能（Trina Solar）于2015年11月9日宣布其光伏科学与技术国家重点实验室研发的高效P型多晶硅（mc-Si）太阳能光伏电池效率再创世界纪录。其自主研发的156156 mm2
%为了达到这一转换效率，天合光能在其高质量多晶硅衬底上，应用了先进的背面钝化技术和背电场技术。对于这项新纪录，我们感到非常高兴。据我所知，这是全球多晶硅电池光电转换率首次突破21%。天合光能副总裁

，安装在交流侧的电表，升压变压器等构成。太阳能电池产生直流电，直流电通过并网逆变器转换为交流电后并入电网，可以与电力公司提供的交流电一起使用。　　　　　　　　图1 并网型光伏
。　　　　　　　　图2 多晶硅光伏组件的结构示意图　　　　目前多晶硅组件的转换效率约在15%，比单晶硅产品略低，但是比非晶硅组件转换效率要高。多晶硅电池没有光致衰退效应，略微的

，直流电通过并网逆变器转换为交流电后并入电网，可以与电力公司提供的交流电一起使用。　　图1 并网型光伏地面电站系统简化图太阳能组件是由数十个太阳能电池单元进行封装构成，太阳能组件阵列是由若干个太阳能电池
市场上占有比较大的份额。　　图2 多晶硅光伏组件的结构示意图目前多晶硅组件的转换效率约在15%，比单晶硅产品略低，但是比非晶硅组件转换效率要高。多晶硅电池没有光致衰退效应，略微的材料质量差异不会导致

多晶硅片是156mm*156mm，P型掺杂，厚度为20020m，电阻率1-3。首先在80℃下，浓度为10%的NaOH溶液中去除硅片表面机械损伤。随后采用不同条件（如表1）的PIII方法制绒。然后所有的硅片
共同作用，来降低电池的反射率。图4是每个实验条件的表面面积和扩散方阻的对比曲线。表面面积是通过AFM得到的，观察区域为5*5ｕm2。随着小山峰高度的增加，黑硅的表面面积增加，使P更易扩散到硅片内，导致方