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为您找到 “P型多晶<b>电池”相关结果223 个
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综合
2015年SNEC光伏新品大盘点
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-02 11:03:45
适用于单晶和
多晶太阳能电池
的背银浆料。SOL205B浆料的最新构成使得浆料中的银和玻璃化学物质在经过高温前后都具备更高且持久的附着力。不仅如此,SOL205B浆料还有助
电池
制造商优化主栅线附着力,从而
SNEC
光伏展会
电池
片制作工艺对硅片中同心圆的影响
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-01 15:01:19
将硼掺杂到直拉工艺的熔料中,从而生产出
P
型
硅片。为了制造太阳
电池
,必须掺入n型杂质,以形成p-n结。磷是常用的n型杂质,现在常用的工艺是载气通过液态的POCl3混入少量的氧后通过排放有硅片的加热炉
电池
片
同心圆
光伏科技
MWT背接触晶体硅光伏技术概述
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-04 09:55:17
引到背面,这样
电池
的正负电极点都分布在
电池
片的背面,有效减少了正面栅线的遮光,提高了转化效率,同时降低了银浆的耗量和金属电极-发射极界面的少子复合损失。 图1
P
型
硅MWT
电池
结构示意图
晶硅太阳能
电池
导电背板
高效组件
光伏科技
光伏技术路线讨论——为何火的是二代薄膜
电池
不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-09 09:25:36
大规模应用于国内外市场。一个新的改进是,已能向国内外市场提供高效
P
型
硅基聚光
电池
,以及提供直到4倍聚光漏斗,转盘式跟踪系统的全套生产线,现正在设法推进全套生产线的产业化。 遗憾的是,这一聚光+跟踪
薄膜
电池
聚光
光伏科技
【光伏技路线术讨论】为何火的是二代薄膜
电池
不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-08 23:59:59
高效硅基
电池
:硅
电池
的转化率越高,所消耗的
多晶
硅就越少。目前用的是美国SunPower公司供应的转化率为22%的n型硅基聚光
电池
。而很妙的是,在聚光的条件下,聚光
电池
,会出现非线性增长。4倍聚光导致闭路
光伏要闻
高效硅基异质结太阳能
电池
量产的关键因素
来源:索比光伏
发布时间:2015-02-25 11:10:48
了25.6%的记录,这在硅基太阳能
电池
技术中是最高的。 与传统的
P
型
单晶/
多晶太阳能电池
相比,n型单晶衬底的HJT太阳能
电池
可以得到更高的转换效率,而且只需要很少的工艺步骤。同时,HJT具有独特
异质结
太阳能
电池
光伏科技
电池
片为什么会发生光衰减现象 影响因素有哪些?
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-27 14:06:02
)在高纯
多晶
硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的
P
型
单晶材料。尽管电阻率合适,但硼一氧浓度非常高从而导致太阳
电池
性能出现较大幅度的早期光致衰减。我们
光伏要闻
【刘工总结】光伏组件问题系列总结——
电池
片为什么会发生光衰减现象 影响
电池
片光衰减的因素有哪些?
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-26 23:59:59
用低质量的硅料。2)在高纯
多晶
硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的
P
型
单晶材料。尽管电阻率合适,但硼一氧浓度非常高从而导致太阳
电池
性能出现较大幅度的
光伏要闻
全球光伏发展简史
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-24 23:59:59
。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/
p
型
单晶硅光伏
电池
,这种
电池
抗辐射能力强,这对太空
电池
很重要;Hoffman电子的单晶硅
电池
效率达到9%;第一个光伏
电池
供电的卫星先锋1号发射
光伏要闻
【刘工总结】光伏组件封装材料总结之—
电池
的特性与设计
来源:索比光伏
发布时间:2014-12-09 23:59:59
价格都能够在一定程度上降低组件的价格,随着当前单晶硅与
多晶
硅的发展技术,在产量每年10MW的生产水平下,硅片的价值占每瓦特组件的价值的一半(Darkazalli,1991)。工厂
电池
效率仍在讨论之中
晶体硅
电池
表面四棱锥型的结构根据Snell 法则硅表面的绒面结构能使光间接的被硅吸收,公式如下:1,2 分别是光在硅表面的入射角度,n1,n2 为反射系数。(iv)
电池
背面的高反射会使背部的吸收减少,假如
电池
光伏要闻
HJT技术:引领高效太阳能光伏
电池
生产(图表)
来源:索比光伏
发布时间:2014-09-19 14:33:59
批次中iVoc均匀性仍在0.84%以内。与传统的
P
型
单晶/
多晶太阳能电池
相比,n型单晶衬底的HJT太阳能
电池
可以得到更高的转换效率而且只需要很少的工艺步骤。同时,其独特的无PID(电势诱导衰减)和无
HJT技术
太阳能光伏
电池
太阳能
电池
技术
光伏要闻
HJT技术:引领高效太阳能光伏
电池
生产
来源:索比光伏
发布时间:2014-09-19 11:50:35
光伏系统所计算出的相对于
P
型
多晶
组件的LCOE比例 (a) 6英寸硅片上5个点位置的潜在开路电压(iVoc)值和iVoc均匀性;(b) 1,150mm1,450mm PECVD 托盘上5个点位置
高效
电池
HJT
光伏
电池
组件
光伏科技
光伏电站价值提升策略之组件选型-单晶VS
多晶
来源:索比光伏
发布时间:2014-08-28 23:59:59
);实际两家电站第一季度发电量对比情况为
多晶
比同心差异为-6.52%。与计算模拟结果非常接近。目前
多晶电池
产业化水平在17%-17.5%; N型单晶
电池
的产业化水平在21%-24%;
P
型
单晶
电池
光伏要闻
浅谈光伏组件重要参数
来源:索比光伏
发布时间:2014-08-26 10:07:30
的原因主要有以下三个方面:1)系统设计原因:光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的,这就造成在单个组件和边框之间形成偏压,组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于
P
型
晶硅组件,通过
索比光伏网讯:毫无疑问,光伏组件是光伏电站最重要的设备之一,今天来说说常用的
多晶
硅光伏组件,包含:光伏组件的关键参数、热斑效应和PID效应、运营后检测。一、光伏组件技术规格书中的关键参数1、功率我们
光伏要闻
光伏组件一二三:参数、热斑效应和PID效应、运营后检测
来源:索比光伏
发布时间:2014-08-26 07:50:26
: 1)系统设计原因:光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的,这就造成在单个组件和边框之间形成偏压,组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于
P
型
晶硅组件,通过有变压器的逆变器负极接地
毫无疑问,光伏组件是光伏电站最重要的设备之一,今天来说说常用的
多晶
硅光伏组件,包含:光伏组件的关键参数、热斑效应和PID效应、运营后检测。 一、光伏组件技术规格书中的关键参数 1、功率
光伏电站
光伏组件
光伏科技
【独家】浅谈光伏组件关键参数、热斑效应、PID效应和运营后检测【头条】
来源:索比光伏
发布时间:2014-08-25 23:59:59
现象的原因主要有以下三个方面:1)系统设计原因:光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的,这就造成在单个组件和边框之间形成偏压,组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于
P
型
晶硅组件
毫无疑问,ink"光伏组件是光伏电站最重要的设备之一,今天来说说常用的
多晶
硅光伏组件,包含:光伏组件的关键参数、热斑效应和PID效应、运营后检测。一、光伏组件技术规格书中的关键参数1、功率我们常说
热斑效应
光伏要闻
WTO裁定传利好 光伏中概股反弹望引爆A股
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-17 08:30:05
, -0.24%)的常年合作商。2013年汽车起动
电池
产量1210万只,公司
电池
产品中还包括储能
电池
、AGM
电池
、动力型锂
电池
新能源
电池
。 募投项目即将进入释放期,AGM
电池
未来几年或将出
WTO
双反
反补贴
关税
国家战略新高地:高效太阳能
电池
技术
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-16 09:01:59
太阳能
电池
。截至2013年底,太阳能
电池
产品中,晶体硅太阳能
电池
(主要是
P
型
单晶硅
电池
和
多晶硅电池
)占据市场主导地位,市场占有率超过90%;薄膜
电池
的市场占有率不到10%;新型
电池
及新概念
电池
大多
太阳能
电池
薄膜
电池
电池
政策
光伏要闻
光伏热点:
多晶
硅市场将死?
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-03 08:57:46
差(2013年数据)。 目前,量产
型
多晶硅电池
效率水平为17%-17.5%;N型单晶
电池
的产业化效率水平是21%-24%;国内
P
型
单晶
电池
产业化水平为18.7%-19.2%,海外则为19.2
多晶
硅
单晶硅
光伏组件
保利协鑫
产业
光伏行业热点观察:
多晶
硅市场将死?
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-02 23:59:59
据)。目前,量产
型
多晶硅电池
效率水平为17%-17.5%;N型单晶
电池
的产业化效率水平是21%-24%;国内
P
型
单晶
电池
产业化水平为18.7%-19.2%,海外则为19.2%-20%。以成本计
光伏要闻
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