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或N型单晶硅为主，对硅片衬底的电阻率和少子寿命提出了更高的要求。一般要求少子寿命高于100us。其光致衰减（LID）与普通单晶硅电池无明显差别，如果采用掺镓（Ga）技术，能够进一步降低LID效应
）技术，通过在电池的背面添加一个电介质钝化层来提高电池的转换效率。该技术在常规电池的背表面制备SiO2、Al2O3、SiNx钝化膜，将p-n结间的电势差最大化，这就可以使电流更加稳定，降低了电子的复合

几年全球光伏需求稳步增长。再从我国的"十三五"规划的基本任务是产业升级、降低成本、扩大应用可以看出，未来高效晶硅技术将赢得更多的市场份额。政策上重点支持PERC技术、N型单晶等高效晶体硅电池，到
，这是产业开始逐步走向寡头竞争格局的开始。根据国际光伏技术路线图(ITRPV)光伏技术研究预测(如下图)，到2020年PERC/PERT/PERL市场份额将提升至30% ，N型单晶电池市场份额将提升

什么技术路线？最终大家取得的一致意见是，N型单晶硅片才是未来能将度电成本降到最低的技术路线。至此以后，隆基就坚定的在单晶这件事情上一条道走到黑。2010年，第三位兰大校友李文学加入隆基，负责生产运营
全球市场份额，产品遍布60多个国家和地区。提到天合，就不得不提光伏行业内的转化效率之王IBC电池。2012年，天合光能承担了国家863计划“效率20%以上低成本晶体硅电池产业化成套关键技术研究及示范生产线

多晶更受欢迎。这甚至是让李振国也出现过犹豫。2006年，同为兰州大学校友的钟宝申加入隆基，公司用了半年的时间来研究讨论：隆基到底该走什么技术路线?最终大家取得的一致意见是，N型单晶硅片才是未来能将
20%以上低成本晶体硅电池产业化成套关键技术研究及示范生产线，展开了对IBC电池技术的系统研发。经过不懈努力，天合在全球的电池技术竞争中占据了领先位置。天合光能光伏科学与技术国家重点实验室还独立研发

多晶更受欢迎。这甚至是让李振国也出现过犹豫。2006年，同为兰州大学校友的钟宝申加入隆基，公司用了半年的时间来研究讨论：隆基到底该走什么技术路线?最终大家取得的一致意见是，N型单晶硅片才是未来能将
。提到天合，就不得不提光伏行业内的转化效率之王IBC电池。2012年，天合光能承担了国家863计划效率20%以上低成本晶体硅电池产业化成套关键技术研究及示范生产线，展开了对IBC电池技术的系统研发。经过

光伏科学与技术国家重点实验室宣布，经第三方权威机构JET独立测试，以23.5%的光电转换效率创造了156×156 mm2大面积N型单晶硅IBC电池的世界纪录。公司已15次打破IBC电池的世界纪录。IBC
生产。不过通过丝网印刷刻蚀浆料或者阻挡型浆料来刻蚀或者挡住不需要刻蚀的部分掩膜，形成需要的图形，这种方法成本较低，需要两步单独的扩散过程来分别形成P型区和N型区。另外，还可以直接在掩膜中掺入所需要掺杂的

(PERC)、N型双面等一批高效晶硅电池工艺技术产业化加速，已建成产能超过10GW，单晶和多晶电池平均转换效率分别达20.5%和19.1%;多晶硅生产工艺进一步优化，骨干企业生产能耗已下降至80千瓦时/千克
平均毛利率超20%，前10家组件企业平均毛利率超15%，符合规范条件的组件企业平均利润率同比提高3个百分点。先进工艺技术产业化进程加快。先进晶体硅电池技术研发多次打破世界纪录，黑硅制绒、背面钝化

%，处于全球领先水平，部分企业生产的N型电池平均转换效率达到22.9%。钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光、等技术路线加快发展，部分技术开始批量生产；光伏组件封装及抗光致衰减
，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。考虑到西部限电问题比较突出，今年光伏电站将向中东部地区倾斜，农光、渔光互补等新模式将推动双玻组件、双面组件、跟踪系统、MPPT逆变器等新产品需求。硅烷

实验室宣布，经第三方权威机构JET独立测试，以23.5%的光电转换效率创造了156156mm2大面积N型单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破天合光能在2014年5月创造的22.94%的同项世界纪录
存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴

%的光电转换效率创造了156×156mm2大面积N型单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破天合光能在2014年5月创造的22.94%的同项世界纪录，也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破
来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，“B-O对”与

26日，天合光能光伏科学与技术国家重点实验室宣布，经第三方权威机构JET独立测试，以23.5%的光电转换效率创造了156156mm2大面积N型单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破天合光能在2014年
一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显