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太阳能光伏技术――晶体硅太阳能电池及材料

来源：索比光伏发布时间：2007-06-08 23:59:59

太阳电池――即不同半导体材料在一起形成的太阳电池J瞩SnO／Si，In20／Si，（1n203十SnO2／Si电池等。由于SnO2、In2O3、（In2O3＋SnO2）等带隙宽，透光性好，制作电池工艺简单

太阳能光伏光伏要闻

太阳能光伏技术――太阳能电池

来源：索比光伏发布时间：2007-06-08 23:59:59

上面所说的“光生伏打效应”。如果这时分别在P型层和N型层焊上金属导线，接通负载，则外电路便有电流通过，如此形成的一个个电池元件，把它们串联、并联起来，就能产生一定的电压和电流，输出功率。制造太阳电池的

太阳能光伏光伏要闻

太阳能光伏技术——多晶硅薄膜太阳电池

来源：索比光伏发布时间：2007-06-08 17:26:56

更加广阔。早在本世纪５０年代，第一个实用性的硅太阳电池就在美国贝尔实验室内诞生了。不久，它即被用于人造卫星的发电系统上。迄今为止，太空中成千的飞行器都装备了太阳电池发电系统。尽管如此，太阳电池在地面

太阳能光伏光伏科技

太阳能光伏技术——多晶薄膜与薄膜太阳电池

来源：索比光伏发布时间：2007-06-08 17:25:55

广泛应用于太阳电池窗口层，并作为n型层，与p型材料形成p-n结，从而构成太阳电池。因此它对太阳电池的特性有很大影响，特别是对电池转换效率有很大影响。一般认为，窗口层对光激发载流子是死层，其

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太阳能光伏技术——非晶硅太阳能电池

来源：索比光伏发布时间：2007-06-08 17:21:47

。通常情况下，半导体的费米能级位于禁带。费米能级距导带底较近，则电子为多数载流子，材料为n型。费米能级距价带顶近的，空穴为多数载流子，材料为p型。费米能级位置可以通过适当掺杂加以调节。就是说，半导体电导的数量和

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半导体材料在一起形成的太阳电池J瞩SnO／Si，In20／Si，（1n203十SnO2／Si电池等。由于SnO2、In2O3、（In2O3＋SnO2）等带隙宽，透光性好，制作电池工艺简单，曾引起许多
正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体一侧产生一个n

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太阳能光伏技术——多晶硅及其它转换材料

来源：索比光伏发布时间：2007-06-08 17:17:56

。常规太阳电池简单装置如图1所示。当N型和P型两种不同型号的半导体材料接触后，由于扩散和漂移作用，在界面处形成由P型指向N型的内建电场。当光照在太阳电池的表面后，能量大于禁带宽度的光子便激发出电子和空穴对

太阳能光伏多晶硅光伏科技

太阳能光伏技术——太阳能电池

来源：索比光伏发布时间：2007-06-08 17:16:33

生伏打效应”。如果这时分别在P型层和N型层焊上金属导线，接通负载，则外电路便有电流通过，如此形成的一个个电池元件，把它们串联、并联起来，就能产生一定的电压和电流，输出功率。制造太阳电池的半导体材料已知

太阳能光伏光伏科技

（二）2006年中国太阳级硅材料及硅太阳电池研讨会报告

来源：索比光伏发布时间：2007-06-08 15:08:57

晶体硅太阳电池组件l 单玻璃封装双玻璃封装R2n N_\M#o ②半透光晶体硅太阳电池组件l 单玻璃封装双玻璃封装 ③半刚性晶体硅

太阳能多晶硅光伏展会

（一）2006年中国太阳级硅材料及硅太阳电池研讨会报告

来源：索比光伏发布时间：2007-06-08 14:54:58

太阳电池。}/I$Y2] nY}wj0Tl 目前市场上的主流电池仍然是晶体硅太阳电池，2005年市场份额占95%。其中多晶硅电池52.3%、单晶硅电池38.3%、带硅/片硅电池

太阳能多晶硅光伏展会

（二）非晶硅太阳能电池进一步的发展与现状

来源：索比光伏发布时间：2007-05-22 17:12:10

畦网络结构更稳定。本征8si呈弱N型，掺入痕量硼可将费来能级移向带隙中央，既可提高光灵敏度又可减少先致衰退。 6．新制备技术探索射频等离子体强CVD是当今普遍采用的制备a一Sl
5．新技术探索为了提高非晶硅太阳电池的初始效率和光照条件下的稳定性，人们探索了许多新的材料恰工艺。比较重要的新工艺有：化学退火法、脉冲虱灯光照法、氢稀释法、交替淀积与氢卫法、掺氟

非晶硅太阳能电池光伏市场

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