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，且损耗大，高频高效逆变电源的研究一直处于停滞状态。到了80年代以后，随着功率MOSFET工艺的日趋成熟及磁性材料质量的提高，高频变换逆变电源才走向市场（1）。高频变换逆变电源是通过高频DC/DC变换
。式中：Ip为器件开关过程中流过的电流最大值；Vp为器件开关过程中承受的电压最大值；ts为开通关断时间；f为工作频率；Cds为功率MOSFET的漏源寄生电容。现代电源理论指出：要减小上述这些损耗，就必须

STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET可承受高达80V的电压，可用于太阳能发电应用（如微型逆变器）、电信设备、联网设备以及服务器电源。高额定电压可准许晶体管在48V电信应用中稳定
STP260N6F6和STH260N6F6-2、75V的 STP210N75F6 和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由于采用了意法半导体最新的DeepGATE沟道MOSFET架构，这五

最大功率追踪器(MPPT)算法，上述算法对太阳能逆变器的转换效率十分重要。陈思儒指出。目前逆变器会根据不同功率采用IGBT、MOSFET和高速二极管作为功率变换的主要器件，市场要求这些器件具有更低的传导
损耗与开关损耗及高可靠性等优点。随着高能效的功率变换技术不断引入，新一代的IGBT、超级结MOSFET和碳化硅二极管的使用，使得效率的标杆不断被刷新。一般来说，在逆变器系统设计中，选择IGBT器件的

。Microsemi夏明威表示，使用低功耗FPGA，相比较DSP而言，使用的是硬件编程，因此功耗更低，性能也有相应的提高，并且更可靠。IGBT, MOSFET, FRED和DC-DC转换器用于功率监控新型
特性。Microsemi除了提供具有多种功率模块电气和机械配置的功率半导体产品之外，还提供IGBT、MOSFET和FRED，推动实现更高效的新型转换器拓扑，如三级逆变器、交错式PFC升压转换器及矩阵

适合各种设计需求。Microsemi夏明威表示，使用低功耗FPGA，相比较DSP而言，使用的是硬件编程，因此功耗更低，性能也有相应的提高，并且更可靠。 IGBT, MOSFET, FRED和
(900 VBR(CES))下提供低传导损耗特性。 Microsemi除了提供具有多种功率模块电气和机械配置的功率半导体产品之外，还提供IGBT、MOSFET和FRED，推动实现更高效的新型转换器拓扑，如

信号器件如旁路二极管/开关、MOSFET、FRED和IGBT；DC-DC转换器，以及脉宽调制(PWM)模块。这一种类丰富的产品系列能够在整个范围的光伏(PV)应用中实现高效、可靠且具有成本效益的解决方案
。 IGBT, MOSFET, FRED和DC-DC转换器用于功率监控新型600 V CoolMOS C6器件采用第五代高电压超级结技术，实现极低的传导和开关损耗，可实现具有更高效率和功率密度

FPGA；模拟及混合信号器件如旁路二极管/开关、MOSFET、FRED和IGBT；DC-DC转换器，以及脉宽调制(PWM)模块。这一种类丰富的产品系列能够在整个范围的光伏(PV)应用中实现高效、可靠
ARM Cortex-M3或逻辑门之内进行划分，以适合各种设计需求。IGBT, MOSFET, FRED和DC-DC转换器用于功率监控新型600 V CoolMOS C6器件采用第五代高电压超级结技术

电路。此外，这两款驱动器可以驱动4个采用全桥配置的分立式MOSFET，同时每款产品内置高端过流检测放大器，这些放大器具有更高的灌/拉电流。稳压器：美国国家半导体特别为驱动电源优化器、微型逆变器和充电