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5.MVe2 内部结构拓扑图图5右手边为TMEIC 10kV变频器内部结构拓扑图，该变频为全球最新研发技术、投入市场近5年。由于采用了新的输入可控整流控制技术和三菱第五代三电平IGBT使得变频器
内部结构变得简单，三电平单元串联耐压高、数量少、故障概率大大降低，它与目前市场上传统的2电平IGBT串联结构有着本质的不同，必然是高压变频器发展的方向和突破。 2)TMEIC MVe2 变频器的特点

晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。前者，不具备自关断能力，元器件在导通后即失去控制作用，故称之为半控型普通
晶闸管即属于这一类;后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制，故称之为全控型，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。6.按直流电源分，可分为电压源型逆变器

单端式逆变器，推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。 5.按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型
，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。 6.按直流电源分，可分为电压源型逆变器(VSI)和电流源型逆变器(CSI)。前者，直流电压近于恒定，输出电压为交变方波;后者，直流电

晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。前者，不具备自关断能力，元器件在导通后即失去控制作用，故称之为半控型普通
晶闸管即属于这一类;后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制，故称之为全控型，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。6.按直流电源分，可分为电压源型逆变器

控制器提供了一个完善的测试平台。文章主要针对HIL测试设备中逆变器模型进行详细介绍。3 逆变器建模图1. 逆变器电路逆变器有两种建模方法，一种方法是把IGBT和二极管当做理想的开关，开关打开时，开关
两端完全断开，开关闭合时，开关两端相当于导线连接。一种方法是将IGBT和二极管当做电感和电容，开关打开时，开关相当于一个电容，开关关闭时，开关相当于一个电感。3.1 理想开关模型理想开关模型建模方法极其