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半导体解决方案展商，以“芯”视角出发，打造全新的IGBT & SiC 模块封测工艺示范线，三大核心工艺段荟萃行业60个半导体先进设备及材料，助力企业实现技术全面升级、产品更新迭代。本次示范线首日就
、SMTA华南高科技设备为议题，深入探讨电子制造领域尖端设备与技术革新、高可靠性焊接挑战、三防漆技术前沿、低温无铅焊片技术、扇出型封装、芯片组和异构集成封装等议题，激发了观众的热烈讨论与思考。同时，第八届

电网防灾减灾全国重点实验室和国家级输电线路覆冰、舞动、山火监测预警中心。株洲中车自主生产的各类IGBT芯片市场占有率全国第一;特变电工衡变公司是全球变压器单厂产能最大和中国输变电领域产业链最完备的企业

，企业注册资本5.43亿人民币，法人代表为梁勤。扬杰科技是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。产品线含盖分立器件芯片、MOSFET
、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等，为客户提供一揽子产品解决方案。公司产品广泛应用于汽车电子、新能源、工控、电源、家电、照明、安防、网通、消费电子等多个领域。公司于2014年1月23日在深交所上市。

近日，全球领先的半导体品牌英飞凌科技股份公司(Infineon)宣布为上能电气提供TRENCHSTOP™IGBT7半导体器件，成为上能电气大功率储能变流器PCS技术升级的推动力，共同助力可再生能源
不变、效率升级。该产品单机功率从1.725MW提升至2MW，真正做到“小身材，大能量”。实力升级英飞凌FF750R12ME7是一款1200V/750A的IGBT模块，采用英飞凌最新一代IGBT7技术和

%，转变为20%：80%，能源生产和消费结构将发生根本性变革。二是支撑能源电力科技创新。能源技术体系、产业体系将发生深刻变革，从资源依赖型向技术主导型转变。海上风电、长时储能、CCUS、大功率IGBT等
关键技术装备和高性能材料、工业软件、高端芯片等还存在短板，在这个过程中，能源电力科技创新将发挥引领性作用，也是新质生产力发展的重要领域。三是保障产业链、供应链安全。能源技术装备是构建新型能源体系的基础

，并使功率芯片在能源转型和低碳社会上得到广泛应用。比如，在柔直输电中引领压接型IGBT器件的应用都是国际领先水平的工作，并且得到国际同行的称赞。进而，通过技术交流和共享，获取我国急需的工艺、材料、设备
，电网面临两个最大的技术问题，一个是国产功率半导体器件的市场占有率低，二是通过电力电子并网的新能源逐步移走了电网的稳定性基础。功率半导体器件也叫电力电子器件，例如IGBT，还有新型碳化硅和氮化镓器件

IGBT，随着国内IGBT产能的提升，户用逆变器供应紧张问题得到缓解，并呈现充分竞争格局。2、我国逆变器产业发展概况（1）逆变器市场竞争情况2022年，受益于我国分布式市场装机大幅增长，中国光伏
出口情况2022年，即使在芯片供应紧缺、光伏主产业链价格大幅上涨，供需波动的背景下，中国逆变器仍然出口量大增，表现出强劲的韧性。整体看，海外因为电价较高、能源短缺的缘故，且我国光伏企业又拥有全球绝大多数

研究表明，光伏逆变器的价格如今一直在上涨，其芯片等关键组件在全球范围内供不应求，而逆变器的另一个关键部件绝缘栅双极晶体管(IGBT)的供应链严重短缺加剧了这一挑战。根据调研机构Mercom
，全球芯片短缺对逆变器生产带来了重大影响，因为芯片是逆变器制造中的关键部件。除了这一挑战之外，IGBT的供应也严重短缺。虽然中国光伏产业在全球产能中占据主导地位，但也严重依赖从海外制造商进口的IGBT

布局，为公司持续服务主机厂、助力新能源车供应链国产化和安全提供支撑。同时，公司将亦持续开拓在光伏储能、工控通机、电力电源等领域的市场。云潼科技成立于2018年6月，是国内聚焦车规级功率器件领域芯片
、模块设计/生产/销售的领先Fablite公司，拥有IGBT单管及模块，高/低压MOS及模块及相关Driver IC产品线，已实现在国内各大主机厂主流车型中批量出货，服务车型100+，应用案例包括主驱

器件原厂的IGBT产品及其相关配件交付期平均在50周左右，最高达到54周。阳光电源高级副总裁顾亦磊博士向索比光伏网表示，由于供应商扩产周期较长，跟不上需求节奏，去年国内中大功率逆变器芯片供应紧张，且
、PowerStack液冷储能系统、180kW集成充电桩、新一代阳光云……在业内唯一实现“光储充全栈自研、数据互通”。在供应方面，则依据渠道需求和实际情况，以强大产能为后盾，灵活保供。IGBT供应考验企业管理

解决高电压组串式逆变器存在的潜在安全隐患。图：光伏系统分类二、光伏系统中模拟芯片的应用根据国家能源局的数据，截至2021年6月30日，中国光伏累计装机已达267GW，10年飙涨8800%。另外，分布式
太阳能出现了显著增长，未来几年其势头也将延续下去。随着光伏核心器件向高效率、低能耗和低成本方向发展，在光伏发电技术的优化完善和提升智能化水平方面，模拟技术及芯片发挥着越来越重要的作用。在光伏逆变器中

中断电力电解水制氢项目。鼓励开展天然气掺氢发电、城镇燃气管网掺氢等领域的研究和技术应用。(十四)推动新型储能快速发展。加强高安全、低成本、长寿命锂离子电池材料、模组、控制芯片及系统技术研发和产业化
装备仪器、增强型地热系统、中低温地热发电等地热能关键技术攻关及装备研发。二、节能环保高效节能领域。鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和

中断电力电解水制氢项目。鼓励开展天然气掺氢发电、城镇燃气管网掺氢等领域的研究和技术应用。（十四）推动新型储能快速发展。加强高安全、低成本、长寿命锂离子电池材料、模组、控制芯片及系统技术研发和产业化
仪器、增强型地热系统、中低温地热发电等地热能关键技术攻关及装备研发。二、节能环保高效节能领域。鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心

背景下，核心元器件依然处于紧平衡或者“卡脖子”的状态。另一方面，这种供需矛盾又反向促进产能扩张、技术进步，近两年来国内涌现出很多比较优秀的芯片、IGBT器件供应商;主控芯片、IGBT模块元器件已经出现

≥80%），车用DC/DC（输入电压100V～400V），大功率电子器件（IGBT，电压等级≥750V，电流≥300A）；插电式混合动力机电耦合驱动系统；燃料电池发动机（质量比功率≥350W/kg
、燃料电池控制系统、升压DC/DC、70MPa氢瓶、车载氢气浓度传感器；电动汽车用热泵空调；电机驱动控制专用32位及以上芯片（不少于2个硬件内核，主频不低于180MHz，具备硬件加密等功能，芯片设计符合

的开发与应用。(三)开展光电器件核心技术攻关突破硅基光电异质集成技术，加强硅光芯片、异质集成材料及器件的研发，推动硅基无源器件、锗硅探测器、硅调制器等产品应用。实施重点产品高端提升行动，发展高速光通信
芯片、高速高精度光探测器、高速直调和外调制激光器、高速调制器芯片、高功率激光器、光传输用数字信号处理器芯片、高速驱动器和跨阻抗放大器芯片，突破制约行业发展的专利、技术壁垒，保障产业链供应链安全稳定

一些的工商业电站了。”陈永略显无奈。在陈永眼中，光储一体化的解决方案，当下更合适那些缺电、少电以及电价高的地区，对于国内的家庭或是企业来说，落地一套光储电站确实不如直接用市电来的划算。IGBT芯片难题
的供应不足和价格波动风险。”阳光电源在2021年年报中表示。而固德威则在2021年报中指出，lGBT芯片的产能无法匹配需求，且IGBT元器件国内生产商较少，与进口部件相比，产品稳定性、技术指标存在一定