磷硅玻璃的目的是为了去除硅片表面形成的磷硅玻璃。采用CT管式PECVD炉在硅片表面形成氮化硅减反射膜，同时掺杂H元素，使缺陷减少，还可以保护硅片。丝网印刷是将含有金属的导电浆料透过丝网网孔压印在晶硅
):测量晶硅太阳能电池的电学性能;
EL测试机:测试电池片质量。
1.2实验方法
实验一:在生产前对原硅片进行分选，实验分为3组，每组400片，分别进行实验工艺和正常生产工艺。实验工艺调整扩散推进温度
改善印刷适性以及高宽比，从而确保显著的效率增益（最多可提升0.1%）。该两次印刷组合可在大规模生产中确保“零” EL缺陷，同时还可提供A+A’ and A+B 组合的解决方案，进一步提高开路电压和填充
所有优势。经改良的超细线（UFL）两次印刷工艺，可改善印刷适性以及高宽比，从而确保显著的效率增益（最多可提升 0.1%）。该两次印刷组合可在大规模生产中确保“零” EL 缺陷，同时还可提供 A+A
第十一届（2017）国际太阳能产业及光伏工程（上海）展览会暨论坛期间推出五款全新的金属化浆料。同时，贺利氏光伏还将针对不同的光伏电池技术，继续为光伏电池制造商提供高效解决方案。SOL9641B 系列将助力
（UFL）两次印刷工艺，可改善印刷适性以及高宽比，从而确保显著的效率增益（最多可提升0.1%）。该两次印刷组合可在大规模生产中确保零EL缺陷，同时还可提供A+AandA+B组合的解决方案，进一步提高开路
中确保零 EL 缺陷，同时还可提供 A+A and A+B 组合的解决方案，进一步提高开路电压和填充因子。专为单晶和多晶黑硅工艺以及 PERC 电池量身定制的 SOL9642A 组合，则具有优异的
行业所公认，但在组件和电池片两个方面组件产生PID现象的机理尚不明确，相应的进一步提升组件的抗PID性能的措施仍不清楚。
3电池片隐裂隐裂是电池片的缺陷。由于晶体结构的自身特性，晶硅电池片十分容易发生
%以内。但目前这个数据还真的很难说，原因有三：
1)光伏组件出场功率是用实验室标准光源和测试环境标定的，但似乎国内不同厂家的标准光源是存在一定的差异的。那在A厂标定的250W的组件，到了B厂，可能
着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广，对传
方式对LID值的影响。1LID的影响因素影响LID的因素为：1)硼氧(B-O)复合体。B-O复合体是影响LID的主要因素之一，LID值与B浓度成正比，与O浓度平方成正比。2)晶体内部碳(C)含量。高浓度的
着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。
引言
太阳电池和发电技术的大面积推广
晶体生长方式对LID值的影响。
1LID的影响因素
影响LID的因素为：1)硼氧(B-O)复合体。B-O复合体是影响LID的主要因素之一，LID值与B浓度成正比，与O浓度平方成正比。2)晶体内部碳
/T9535）对于组件严重的外观缺陷有如下定义：a)破碎、开裂或外表面脱附，包括上层、下层、边框和接线盒；b)弯曲、不规整的外表面，包括上层、下层、边框和接线盒的不规整以至于影响到组件的安装或运行；c)一个
（优质）、B级（外观有瑕疵，性能良好可正常使用）、C级（性能欠佳，仍可在一定场合下使用）。外观缺陷一般肉眼可见，主要有以下几类：a)电池缺陷：如崩边、缺角、色差、轻微划伤、印刷漏浆、副栅断栅、栅线粗细
比不小于143.5W/m2。功率与质量比大于12W/kg，填充因子FF大于0.70。
3.组件采用A级标准电池片封装(EL成像无缺陷)，组件的电池上表面颜色均匀一致，无机械损伤，焊点无氧化斑
要求：所选用钢结构主材材质为Q235B，焊条为E43系列焊条。
2)力学性能要求：所选用钢结构主材的抗拉强度、伸长率、屈服点、冷弯试验等各项力学性能要求须符合《碳素结构钢》(GB/T700-2007)的
