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索比光伏网讯:Renewable Energy World近日报道，最大的多晶硅供应商保利协鑫(GCL-Poly Energy Holdings，HKG:3800)和大全新能源(Daqo New Energy Corp.，NYSE:DQ)请求中国商务部(MOFCOM)也像上个月美国商务部对亚洲生产商所做的那样向美国生产商施压。为避免使世界上两个最大的经济体之间的贸易战进一步升级，MOFCOM在此事

就会劣化的致命性问题（产综研）。这导致设置薄膜硅型太阳能电池模块并照射光线后的转换效率，普遍比刚制造完时降低19%左右。光劣化的原因在于非晶硅层的成膜过程。利用以SiH4为原料的等离子CVD进行成膜时
，等离子产生的高硅烷（HOS簇）会进入膜中，引起光劣化。因此，日本产综研将等离子CVD反应器内用网状金属隔开，使等离子区远离基板。这样扩散速度较慢的簇状高硅烷就会被排出去，不会到达基板。另外，此次方法的

的CVD方法相比既有相同之处，又有它独特的优势。以下将详细介绍PECVD装置的原理、特点、结构参数、性能指标、操作规范和保养维修等。图6.1PECVD的结构示意图6.2PECVD的工作原理和特点目前
保养工作做一个详尽的介绍。图6.1为PECVD的结构示意图。化学气相沉积(CVD)是反应气体在一定条件下分解并发生化学反应，最终生成固态物质沉积在基体表面继而形成薄膜的一种技术。在工艺上与其他薄膜沉积技术

对晶体硅太阳电池表面和体内的钝化作用，因为其数值对于膜的折射率、消光系数、致密性都有直接的影响，本文的目的就是研究工艺气体流量对膜性能的影响。一、机理分析1.1气体的输运在CVD系统中，气体的流动处于
黏滞流的状态。气体的输运过程对薄膜的沉积速度、薄膜厚度的均匀性、反应物的利用效率等都有重要的影响。气体在CVD系统中发生两种宏观流动，一是外部压力造成的压力梯度使气体从压力高的地方向压力低的地方流动

成本。(2)减少综合电耗关键是要减少还原电耗，因为将高纯TCS在CVD炉中还原为太阳能级多晶硅是整个生产过程中电耗最高的环节，还原电耗一般会占到总电耗的50%-60%。保利协鑫在4Q11财报会议上表
示，最新还原炉电耗可低至每公斤40千瓦时，综合电耗可低至每公斤65千瓦时，还原电耗占总电耗的62%；国内另一家多晶硅主要供应商目前的综合电耗为100度，还原电耗占到55%-58%。（CVD还原炉示意图

冶金硅（纯度要求在99.5%以上）与氯化氢（HCl）合成产生便于提纯的三氯氢硅气体（SiHCl3，下文简称TCS），然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积（CVD）将高纯度的TCS转化
。CVD还原反应（将高纯度TCS还原为高纯度多晶硅）是改良西门子法多晶硅生产工艺中能耗最高和最关键的一个环节，CVD工艺的改良是多晶硅生产成本下降的一项重要驱动力。3.与主要生产工艺的比较改良西门子法在

(纯度要求在99.5%以上)与氯化氢(HCl)合成产生便于提纯的三氯氢硅气体(SiHCl3，下文简称TCS)，然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积(CVD)将高纯度的TCS转化为高纯度
为TCS，并与尾气中分离出来的TCS一起送入精馏提纯系统循环利用，尾气中分离出来的氢气被送回还原炉，氯化氢被送回TCS合成装置，均实现了闭路循环利用。这是改良西门子法和传统西门子法最大的区别。CVD

进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。2 流化床法硅烷法硅烷热分解法硅烷(SiH4)是以四氯化硅
现在硅材料太贵，而晶体硅的用硅量太多，比如现在常用的多晶硅电池片的厚度通常最薄也在160微米左右，而薄膜硅的厚度只有2~3微米，因此，似乎可以省去许多材料。薄膜是要进行CVD沉积的，目前从工艺效率和