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最小直径为450mm，而硅片边距166mm，这就需要在牺牲产能的情况下兼容M6硅片，同时在工艺要求范围内把设备本体设计升级。深圳捷佳伟创新能源装备股份有限公司(以下简称：捷佳伟创)的总经理李时俊对此
炉的情况有些不同，由于石墨舟分为立式和卧式两种，因此只需硅片边距小于PECVD炉管内径即可，将硅片边距由156.75mm提高到166mm对于内径450mm的PECVD来说并无障碍。王玉明认为，提升

ALC-PECVD设备采用的CVD托盘尺寸是1,150mm1,450mm，如图2.所示，在整面的托盘上放置平面基板，镀8nm厚的膜层均匀性可以达到3.3%，整个托盘面积上的膜厚均匀性对于高产能的批量生产
1,150mm1,450mm托盘上制备的膜层厚度不均匀性低于3.3%，以及在5个连续运行批次内厚度不均匀性仍可保持在4.2%以内。结合精曜科技的ALC-PECVD工艺和RPD镀高载流子迁移率的TCO膜层以及

潜在开路电压（iVoc）值和iVoc均匀性；(b) 1,150mm1,450mm PECVD 托盘上5个点位置的器件iVoc值和iVoc均匀性； (c) 连续运行6个批次所得器件的iVoc平均值和均匀性
（iVoc）测试结果如图3所示，优异的钝化效果使得在6英寸的绒面CZ硅片上得到了平均值为735mV的iVoc，并且iVoc均匀性为0.61%。精曜的ALC PECVD设备采用的是1,150mm1,450mm

光伏系统所计算出的相对于P型多晶组件的LCOE比例 (a) 6英寸硅片上5个点位置的潜在开路电压（iVoc）值和iVoc均匀性；(b) 1,150mm1,450mm PECVD 托盘上5个点位置
ALC PECVD设备采用的是1,150mm1,450mm 的CVD托盘，而在整个托盘上器件的iVoc均匀性可以达到0.28%。整个托盘上的器件均匀性对于高产能的批量生产至关重要。另外，从图3可以发现

据EE Times网站报道，Gartner分析指出，下一代450mm晶圆工厂可能成为现实，但不如有些厂商预想的那样快速。据报道，英特尔、台积电和三星分别在推进450mm工厂，并预计在
2012年前完成。有些厂商认为450mm永远都不可能实现，因为研发成本实在太高。 Gartner分析师Dean Freeman指出，如果450mm出现，首个量产工厂可能会使用8nm或5nm工艺，时间

日本Covalent Materials（原东芝陶瓷）在近日于东京都内举行的该公司的技术展上展出了直径460mm的单晶硅硅锭。除用作300mm晶圆装置的内部部件外，将来还考虑用于450mm晶圆
400mm。利用上述材料培育起来的大口径硅锭的生长技术是实现450mm晶圆的重要基础技术。今后要实现450mm晶圆，还需要进一步减少硅锭内的杂质以及结晶缺陷。该公司计划利用各种模拟技术来优化