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据物理学家组织网近日报道，芬兰研究人员开发出一种黑硅光电探测器，其外部量子效率达130%，这是光伏器件这一效率首次超过100%的理论极限，有望大大提高光电探测设备的效率，而这些设备广泛应用于汽车
，黑硅光电探测器的效率高达130%，这意味着一个入射光子产生大约1.3个电子。阿尔托大学研究人员表示，这一重大突破背后的秘密武器是黑硅光电探测器独特的纳米结构内出现的电荷载流子倍增过程，该过程由

应用于多晶时产生的工艺和硅片表面物理特性障碍，直到2017年黑硅技术应用后才开始规模化导入，2018年才基本实现对砂浆切割的替代。金刚线切割使单晶硅片成本下降0.6-0.8元/片。2015-2017年
倍，产能的提升可以摊薄切片的折旧、电费和人工成本。由于金刚线切割多晶硅片线耗更高、切速较低，且金刚线切割的多晶硅片表面反射率高，需叠加黑硅制绒技术，使成本上升0.1-0.2元/片。因此

~0.190USD/Pc，黑硅产品下调至0.245USD/Pc，单晶硅片156.75mm产品修正区间至0.370~0.400USD/Pc，大尺寸158.75mm产品修正区间至0.420~0.430USD
/Pc，其他大尺寸产品则是维持不变在0.423~0.530USD/Pc。国内多晶硅片产品修正区间至1.46~1.53RMB/Pc，黑硅产品维持不变在1.94RMB/Pc，铸锭单晶产品维持不变在2.60

：不同类型组件功率(60 片，全片) 2019年，单晶电池组件普遍采用PERC技术，功率达到 320W，较 2018 年提高15W;常规多晶黑硅组件主要功率约为 285W;PERT/TOPCon
%;黑硅多晶组件、黑硅多晶PERC组件成本较单晶PERC组件低6-7分/W。随着电池片转换效率、每公斤硅片出片量及生产设备生产能力的进一步提升，组件成本有望持续降低。

黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.00.2 m，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅
钝化制备的黑硅PERC 多晶太阳电池，WT-2000 测得其少子寿命达到33 s;开路电压提升了15.2 mV，短路电流提高了0.372 A，效率达到20.06%。 01实验准备及制备流程

在0.190~0.195USD/Pc，黑硅产品维持不变在0.246USD/Pc，单晶硅片产品156.75mm产品维持不变在0.380~0.421USD/Pc，大尺寸158.75mm产品上调区间至0.423
~0.530USD/Pc，均价维持不变在0.430USD/Pc。国内156.75mm多晶硅片产品维持不变在1.52~1.56RMB/Pc，黑硅产品维持不变在1.94RMB/Pc，铸锭单晶产品维持不变