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电池结构 N型Poly passivated电池以N型硅片为基板，使用一层超薄的氧化层来钝化电池的背面，其中背面氧化层厚度1~2 nm，随后在氧化层之上沉积50~200 nm非晶硅并掺磷，之后经过
载流子输运机制市场上另外一种主流N型技术HIT也采用了背钝化技术，但使用了非晶硅膜层，电池制造工艺中需要制备多层非晶硅膜层，制备工艺比较复杂，导致HIT太阳电池的制造成本偏高，降低了整体的性价比

。 HJT本质上是一种光伏单晶电池片。HJT电池是双面电池结构，最中间是N型晶体硅，在晶体硅其中一面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型薄膜，就形成了P-N结(功能是把光能转化成电能)。由于非晶硅的导电性比较
步就可以。每一步的名称在上图也可以看到，烤包子在这里就不天书般地介绍每一步具体怎么实现了。相较于目前主流的PERC电池的8道和TOPCon的10道工艺，生产步骤大大减少。其中，非晶硅薄膜沉积(第二步

巨大的 PERC 电池产能，TOPCon 和 PERC 电池技术和产线设备兼容性较强，以 PERC 产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的 LPCVD/PECVD 设备以及镀膜设备环节。目前
%降本空间。HJT 制作工艺流程大幅简化，制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO 薄膜沉积、电极金属化四个步骤，分别对应的制绒清洗、PECVD、PVD/RPD、丝印/电镀四道工艺设备。随着迈为、捷佳及钧石等

设备，是未来2-3年最具性价比的技术路线。TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化四个步骤，分别对应制绒清洗、PECVD、PVD/RPD、丝印/电镀四道设备。目前国内试产及量产线基本实现了HJT设备的国产化替代，尤其通威股份1GW异质结

型技术产线建设。面对目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
40%; 3)设备方面降本：目前单GW成本低于4亿元，未来仍有40%降本空间。HJT制作工艺流程大幅简化，制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化四个步骤，分别对应制绒清洗、PECVD