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(Heterojunction，HJT)：由两种不同的材料组成，即在晶硅和非晶硅薄膜之间形成PN 结，因此它兼具晶硅电池优异的光吸收性能和薄膜电池的钝化性能。具体是在 N 型晶体硅片正反两面依次沉积厚度为
5-10nm 的本征和掺杂的非晶硅薄膜，以及透明导电氧化物 (Transparent Conductive Oxide，TCO) 薄膜，从上到下依次形成了 TCO-N-i-N-i-P-TCO 的对称

、非晶硅薄膜沉积设备(PECVD或者Cat-CVD)、TCO膜沉积(PVD或者CVD)、丝印与烧结设备等，目前对应设备投入约4.5亿/GW。值得注意的是，虽然某些工序/设备名称一样，但是实际区别较大，例如
。在PERC中用来沉积SiNx薄膜与钝化AlOx薄膜，在TOPCon中用来钝化氧化硅薄膜与沉积本征多晶硅薄膜，在HJT中用来沉积非晶硅薄膜，因为沉积的薄膜不同，设备的构成、镀膜速度、投入等存在巨大

、非晶硅薄膜沉积设备(PECVD或者Cat-CVD)、TCO膜沉积(PVD或者CVD)、丝印与烧结设备等，目前对应设备投入约4.5亿/GW。值得注意的是，虽然某些工序/设备名称一样，但是实际区别较大
薄膜。在PERC中用来沉积SiNx薄膜与钝化AlOx薄膜，在TOPCon中用来钝化氧化硅薄膜与沉积本征多晶硅薄膜，在HJT中用来沉积非晶硅薄膜，因为沉积的薄膜不同，设备的构成、镀膜速度、投入等存在巨大

及不同掺杂类型的非晶硅薄膜，并采用双面透明导电薄膜做电流收集层，从而形成高效光伏电池。区别于常见的丝网印刷银栅线的硅异质结电池，C-HJT电池的特点在于其采用金属沉积的方式制备铜栅线，使栅线具有更加优化的高宽比，提高了短路电流，提升了电池的转换效率，同时铜栅线在材料导电性及成本上也更具有优势。

沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，被认为是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。与主流的高效光伏电池PERC相比，异质结转换效率和发电量都更高，且具备更强的技术延展空间
生产环节，最高工艺温度不超过200℃，可使用130m甚至更薄的硅片，在设备和材料上的降本空间很大，成本优势非常明显。异质结电池还有其它优势。据索比光伏网称，异质结电池工艺简单(制绒清洗、非晶硅薄膜

发生化学反应，沉积成膜。PECVD 在传统晶硅电池中主要用于钝化层和减反层薄膜的沉积，薄膜厚度均大于 100 nm;HJT 技术采用 PECVD 在硅片正反面先后沉积两层非晶硅薄膜用作钝化层，钝化
，放置硅片的载板按照设定的速度移动，成膜厚度由载板在腔室内的移动时间决定，所用节拍时间大幅缩短，提高了真空系统使用效率，产能更高，设备成本相对更低。但由于非晶硅薄膜沉积过程对各种环境因素的变化