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： 非晶硅电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化电池DSSC生产技术及研究设备 B.
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其团队2006年开始进行热丝CVD镀膜技术在硅基太阳电池应用的研究，在用其制备硅基薄膜电池、异质结电池、特种碳基薄膜等领域取得了系列高水平研究成果。
在1993年Kaiserslautern大学和NREL首次用HWCVD技术成功制备了薄膜硅太阳能电池，而到1995年，乌得勒支大学和日本北陆先端科学技术大学首次用HWCVD技术制造了TFTs器件。

HJT 电池：产业化临近、规划产能超 60GW，将取代 PERC 成为第三代电池片技术晶体硅异质结太阳电池(HJT)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有转换效率高
3) 2019 年起，公司与中科院宁波材料所合作研发 TOPCon，目前已实现管式 PECVD 设备、超薄氧化硅+原位掺杂非晶硅核心材料制备，在抑制非晶硅爆膜、防止电场导通等取得重大突破。

1975年，三洋选择从非晶硅太阳能光伏电池研发项目入手，开始布局光伏电池研发，与京瓷和夏普有所差异化竞争，三洋选择了非晶硅薄膜电池作为突破方向，这在当时是第二代薄膜的主流和潮流。
1977年，三洋建成太阳能房子，启动太阳能应用的试点体验。 1979年，三洋开发出世界第一个非晶硅电池蓄电池Amorton。

Kiss 创立了新泽西州普林斯顿Energy Photovoltaics Inc.与安然谈判，希望安然参股投资，生产铜铟镓硒技术的薄膜电池，其效率将是单层非晶硅薄膜电池效率的三倍。
1974年美国联邦议会更通过太阳能研究和示范法案以减轻美国对石油的依赖。随后几年，美国政府投入60亿美金提高光伏太阳能生产的水平，降低成本，刺激私人领域采购和使用太阳能。

1973年，美国空间站太空实验室(Skylab)是由太阳能电池供电。 1974年，美国议会通过太阳能研发和试点法案，日后美国联邦政府拨款高达60亿美金来促进太阳能的研发和推广。
1977年,总统Jimmy Carter(吉米.卡特)在白宫安装太阳能电池板,并且对于安装使用太阳能系统予以补贴激励。 1977年，世界光伏电池产量超过500千瓦。

薄膜电池，可在玻璃、金属、塑料等材料表面进行镀膜或沉积，就可制备太阳能电池面板。基本上分为：非晶硅薄膜电池、铜铟镓硒薄膜电池和碲化镉薄膜电池三种。
其中，非晶硅薄膜电池转换效率低，铜铟镓硒薄膜电池成本较高，所以First Solar选择了碲化镉薄膜电池，并生产组件。虽然镉是一种剧毒物质，对生产和环境不太友好，但成本低廉。

第一代太阳能电池主要指单晶硅和多晶硅太阳能电池，就是现在我们常见的太阳能电池;第二代太阳能电池主要包括非晶硅薄膜电池和多晶硅薄膜电池。
钙钛矿太阳能电池是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池，属于第三代太阳能电池，也称作新概念太阳能电池。作为第三代太阳能电池，钙钛矿电池具有转换效率上限高、成本低廉等优势。

主要新型高效电池介绍异质结电池(Heterojunction，HJT)：由两种不同的材料组成，即在晶硅和非晶硅薄膜之间形成PN 结，因此它兼具晶硅电池优异的光吸收性能和薄膜电池的钝化性能。
2) HJT 电池由于采用晶硅/非晶硅异质结结构(PN 结由不同材料构成)，最高工艺温度不能超过非晶硅薄膜形成温度(200℃)，因此在后续采用低温固化工艺替代高温烧结。

仅就技术层面而言，太阳能技术已经发展到了第三代，第二代主要包括非晶硅薄膜电池和多晶硅薄膜电池;第三代主要指具有高转换效率的一些新概念电池，听起来似乎有点遥远，但也取得了一些突破。
目前，我们所说的太阳能电池，多指硅太阳能电池，这是目前使用最广泛且可靠性和稳定性都非常出色的电池。