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透明电极材料，石墨烯用作电极，可用于液晶显示器，太阳能电池，iPad和智能手机使用的触摸屏，以及有机发光二极管（ OLED）显示器，这种显示器用于电视和计算机。但是，最近的研究表明，掺杂是
Tunable Graphene/Phthalocyanine–PPV Hybrid Systems），他们提出了一种化学方法，制成非共价（non-covalently）功能性石墨烯，这种材料产生于

而进入激发态，处于激发态的电子属于亚稳态，在短时间内会回到基态，并发出以1150 nm的红外光为波峰的荧光。利用冷却的照相机镜头进行感光，将图像通过计算机显示出来。发光的强度与本位置的非平衡少数
)。　　原材料缺陷势必导致Si衬底非平衡少数载流子浓度降低，造成扩散结面不平整，p-n结反向电流变大，从而影响太阳电池效率。　　2.2 扩散工艺　　扩散是制备晶体Si太阳电池的关键工艺步骤，其直接决定着电池的

，价格会有一定幅度的回落，但从成本角度，薄膜电池还是具有明显的成本优势。　作为薄膜电池的主要原料之一玻璃，约占原材料成本的40%。非晶微晶工艺的薄膜电池需要超白玻璃，因为超白玻璃具有高透光率，对
中得到很大程度的提升，采用非晶双结技术的薄膜太阳能电池稳定后的转换效率的理论上限为15%，在有报道的量产中最高转换效率已经达到了11%左右。晶体硅电池的发展也推动了薄膜太阳能电池的快速发展，薄膜太阳能

让磷酸更均匀地分布在晶圆上，使太阳能电池拥有最佳性能。在掺杂工艺后，SELURIS Clean主要被用作高效清洗剂，可将残留在晶圆表面上的磷轻易、快速地清除，降低非预期性电气误差发生率，从而避免
– 更优质的清洗方案 SELURIS Clean在太阳能电池的生产流程中可应用两次，分别是在磷酸掺杂工艺的前后。在掺杂工艺前，必须要让经过切割和表面粗化的硅晶圆具备亲水性，这可使其表面较为润湿，并

技术和热沉积源技术，同时还需用到芯片制造过程中所必需的合适的量测工具。光伏企业可能对此较为陌生，但半导体公司却驾轻就熟。再比如，就太阳能光伏材料而言，目前主要面临着控制表面粗糙度、叠层的掺杂分布、钝化层中
氢的含量，以及表面污染4项挑战。我们知道，污染物对生产效率和太阳能电池本身的效率都有着重要影响，而对表面污染的处理，如果在每个可能出现材料表面污染的工序使用接触式清洁技术，而非目前光伏企业大都采用的非

，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统
。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒,并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚

保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在
可由导电玻璃的导电面（涂有导电的SnO2膜层）构成，利用一个简单的万用表就可以判断玻璃的那一面是可以导电的，利用手指也可以做出判断，导电面较为粗糙。如图所示，把非导电面标上‘+’，然后用铅笔在导电面上

研究进展迅速，材料性能已可与ITO相比拟，结构为六方纤锌矿型。其中铝掺杂的氧化锌薄膜研究较为广泛，它的突出优势是原料易得，制造成本低廉，无毒，易于实现掺杂，且在等离子体中稳定性好。预计会很快成为新型的
透过率。目前，产量最多的薄膜电池是双结非晶硅电池，并且已经开始向非晶/微晶复合电池转化。因此，非晶/微晶复合叠层能够吸收利用更多的太阳光，提高转换效率，即将成为薄膜电池的主流产品。　　2.导电性

激光加工技术是RISE加工程序中最关键的技术。由于他们所使用的非接触式激光加工技术在大多数其他工业中早已应用，因此RISE加工工艺是适于利用大面积晶体硅薄晶片工业生产RISE太阳能电池，这将
。AdventSolar公司则采用另外一种被称之为发射区围壁导通(emitterwrapthrough)技术。用激光在硅晶片上钻通孔，高掺杂壁将发射区前表面的电流传导到背表面的金属接触层，因而能进一步降低屏蔽损耗，提高光

世纪80代中后期，非晶硅太阳能电池产量份额曾一度达到20%。但由于其受本征及非本征衰减大等问题累加的困扰，加之市场规模很小，发展受到限制。科学家们开始研究开发转换效率高的化合物薄膜电池，一般在10
pin结构电池，窗口层为掺硼的P型非晶硅，接着沉积一层未掺杂的i层，再沉积一层掺磷的N型非晶硅，并镀电极。非晶硅电池一般采用PECVD

存在几种制造硅有源层的技术1，本文将讨论其中的三种。　　薄膜PV基础　　第一种技术是制作外延（epitaxial）薄膜太阳能电池（图1），从高掺杂的晶体硅片（例如优级冶金硅或废料）开始，然后
±77.8%）。然而，短路电流（Jsc ）受限于薄的光学有源层（20mm）。穿透外延层的光会被高掺杂、低质量的衬底收集而损失掉。因此，这两种太阳能电池技术之间的短路电流相差7 mA/cm2并不少见。体硅

) 所谓固相晶化，是指非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。这是一种间接生成多晶硅的方法，先以硅烷气体作为原材料，用LPCVD方法在550℃左右沉积a-Si:H薄膜，然后将薄膜在600℃以上的
大面积的薄膜，晶粒尺寸大于直接沉积的多晶硅。可进行原位掺杂，成本低，工艺简单，易于形成生产线。由于SPC是在非晶硅熔融温度下结晶，属于高温晶化过程，温度高于600℃，通常需要1100℃左右，退火时间长

）背表面电场（BSF）电池――在电他的背面接触区引入同型重掺杂区，由于改进了接触区附近的收集性能而增加电他的短路电流；背场的作用可以降低饱和电流，从而改善开路电压，提高电池效率。（2）紫光电他
，因此聚光电池一直受到重视。比较典型的聚光电池是斯但福大学的点接触聚电池，其结构与非聚光点接触电池结构相同，不同处是采用200 Ωcm高阻n型材料并使电池厚度降低到100一160tLm，使体内复合进一步

：（１）低成本（２）导电（或绝缘，依结构设计而定）（３）热膨胀系数与硅匹配（４）非毒性（５）有一定机械强度比较合适的衬底材料为一些硅或铝的的化合物，如SiC，Si3N4
较高，在８００～１２００℃之间。人们发现，如果直接在非硅底材上用ＣＶＤ法沉积多晶硅，较难形成较大的晶粒，并且容蝗在晶粒之间形成孔隙，对制备较高效率的电池不利。因此发展了再结晶技术，以提高晶粒尺寸，其

缺陷（如空位、填隙原子、替位原子），此外还与非本征掺杂和晶界有关。 2.3.1 导电类型对材料的元素组份比接近化学计量比的情况，按照缺陷导电理论，一般有如下的结果：当Se不足时，Se
可以在平面和非平面衬底上生长，能获得结构十分完美的材料。用LPE技术生长晶体硅薄膜来制备高效薄膜太阳电池，近年来引起了广泛兴趣。 LPE生长可以进行掺杂，形成n-型和p-型层，LPE生长设备为

隙态复合，所以通常非晶材料的光电导很低，掺杂对费米能级的位置的调节作用也很小，这种a-Si材料没有有用的电子特性。氢化非晶硅材料中大部分的悬挂键被氢补偿，形成硅氢键，可以使隙态密度降至1016／cm3
磷形成n区，i为非杂质或轻掺日的本征层（因为非掺杂a。s是弱n型）。重掺杂的p、n区在电池内部形成内建势，以收集电荷。同时两者可与导电电极形成欧姆接触，为外部提供电功率。i区是光敏区，光电导／暗电导比

开展多晶硅薄膜电他的研究工作。该所采用RTCVD技术在重掺杂非活性硅衬底上制备多晶硅薄膜和电池，1cm2电池效率在AM1．5条件下达到13.6％，目前正在向非硅质衬底转移。（2）多层多晶硅
（BSF）电池——在电他的背面接触区引入同型重掺杂区，由于改进了接触区附近的收集性能而增加电他的短路电流；背场的作用可以降低饱和电流，从而改善开路电压，提高电池效率。（2）紫光电他一一这种电池最早