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可以使用塑料等低成本材料，"硅轻"计划将使用等离子体化学气相沉积法(PECVD)实现低温加工(通常低于200℃)。需要使用透明导电氧化层(TCO)收集太阳能电池前端产生的电流，但研发
小组计划进行评估，判断氧化锌(ZnO)是否可能取代TCO中的铟锡氧化物(ITO)。由于氧化锌在潮湿环境中的稳定性略显不足，小组希望新型TCO材料可以同时结合铟锡氧化物与氧化锌的优势。研究

，克服光腐蚀是Si光电化学电池研究的主要内容。在n-Si电极表面化学沉积Au，形成Au与Si表面渗合层，可减少光腐蚀；用电沉积法将聚丁基紫精修饰于p-Si电极表面，也使光腐蚀明显下降。n型和P型外延硅
。Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体CdX（X=S、Se、Te）是光电化学研究较为普遍的光电极材料，其主要优点是可用多种方法如粉末压片法、涂敷法、真空沉积、化学气相沉积、电沉积、化学溶液沉积以及喷涂热解法等制备

的贡献，目前氧化锡几乎占据薄膜PV用透明电极市场的半壁江山。对于沉积透明导电氧化物（TCO）薄膜这一工艺，NanoMarkets还预测，将会出现向多种沉积方法转变的趋势，这也会反过来影响
使用锡材料的类型。传统溅射靶材的消耗将会减少，而ITO墨水用纳米微粒，或用于化学气相沉积（CVD）制作氧化锡的前驱体化合物的用量将会增加。NanoMarkets预计，到2016年印刷和CVD方法将占有

扩散的问题上，能提供比平面型电池更好的折衷表现。为了避免触媒污染影响效率，研究人员舍弃热门的气-液-固成长法(vapor-liquid-solid, VLS)，改采金属氧化物化学气相沉积法
将是最有效的方法。研究人员在长好的纳米线之间填入树脂(resin)，再溅镀上ITO电极，并加入梳状的银电极，基板的背侧则使用金锌的合金电极。制成的电池具有1.0 cm1.0 cm的表面积，其中包含了三块

碳原子轨道的速度却慢得多，这样在若干微秒的时段内就形成了“电子—空穴对”。为了使这种“电子—空穴对”形成电流，研究人员制成了一个“夹层”，它一面是金属铝，另一面是锌—铟金属氧化物，中间填充塑料
粒子。这样的“夹层”本身在两层之间就存在电场，聚合塑料粒子起到了绝缘层的作用。但是当阳光照射的时候，由于聚合有机物的碳原子产生“电子—空穴对”，带负电的电子向铝金属层流动，而带正电的“空穴”向锌—铟

。通常金属氧化物都是绝缘材料，只有铟锡氧化物是个例外，因此被广泛用作半导体材料。在太阳能电池生产加工中，其导电层一般要通过特殊的表面处理，如在氧化锌表面采用高温化学气相沉积法。鲁尔大学物理
德国鲁尔大学的科学家在氧化锌材料表面处理过程中偶然发现，氢原子能在室温条件下与氧化锌表面的氧原子反应，使锌原子还原，并使原本是绝缘体的氧化锌变成导体。这一发现可用于开发太阳能电池和氢传感器

　　美国Buffalo大学（UB）的化学家开发了新的方法，通过鬃似的致密纳米结构使化学纯度的氧化锌薄膜增厚，开发出使其沉积在对温度敏感的基质如聚合物和塑料上的新方法。　　这一研究成果已在
《物理化学》杂志上公布。将通用的氧化锌薄膜沉积在柔性表面，从而开发了更高效的太阳能电池、液晶显示、化学传感器和光电子设施。　　研究表明，高质量氧化锌薄膜可制成许多形状，包括薄膜、纳米棒和纳米颗粒。然而

开展了在多种衬底上使用直接和间接加热源的方法沉积多晶CdS薄膜。薄膜制备方法主要有喷涂法、蒸发法等。 1.1 CdS薄膜结构特性 CdS是非常重要的：Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。C北薄膜
备CdS薄膜，其方法主要是将含有3和Cd的化合物水溶液，用喷涂设备喷涂到玻璃或具有SnO2导电膜的玻璃及其它材料的衬底上，经热分解沉积成CdS薄膜。各国不同学者采用的工艺都基于如下热分解效应

%au(jn'qRvl 在第二次世界大战期间美国杜邦公司采用锌（Zn）还原SiCl4制出多晶硅，供美国的电子公司生产高频二极管，但用途未扩大。m# ]t&Dl 1953
年贝尔实验室将易于提纯和回收重复使用的氢气（H2）代替难于提纯的Zn还原SiCl4，在钽（Ta）丝上沉积多晶硅，P型电阻率达到1000Ω?cm。 l 1955年西门子公司研究成功了用H2还原