，领跑者先进技术产品应达到以下指标：1、多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;2、高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;3、硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉
光电转换效率分别不低于15.5%和16%;2、高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;3、硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;4、多晶硅

、硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。 另根据《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见》，普通光伏项目指标

效率分别不低于16.5%和17%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件衰减率在1年内

组件光电转换效率分别不低于16.5%和17%;硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件衰减率在1年内

组件光电转换效率分别不低于16.5%和17%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件衰减率在1

组件光电转换效率分别不低于16.5%和17%;硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件衰减率在1年内

多年来持续的巨资投入及自主研发，囊括整合了硅基薄膜、铜铟镓硒、砷化镓（GaAs）等完整的薄膜技术路线，建立了全面的研发和创新体系，多年持续保持四项转化率全球领先地位。2016年，汉能旗下三家美国全资子公司

21.38亿及7.11亿港元，占上半年总收入的86%。 技术价值得到持续释放 在薄膜发电核心技术方面，汉能通过多年来持续的巨资投入及自主研发，囊括整合了硅基薄膜、铜铟镓硒(CIGS)、砷化镓