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科学家们发现了让不同铟、砷、镓组成的ⅢⅤ族半导体生长所需要的不同环境。最新方法的优势在于，他们可以使用普通的生长技术而不需要特殊的方法让纳米线在硅片上生长，也不需要使用金属催化剂。
ⅢⅤ族化合物半导体指元素周期表中的Ⅲ族与Ⅴ族元素结合生成的化合物半导体，主要包括镓化砷、磷化铟和氮化镓等，其电子移动率远大于硅的电子移动率，因而在高速数字集成电路上的应用比硅半导体优越，有望用于研制将光变成电或相反的设备

科学家们发现了让不同铟、砷、镓组成的ⅢⅤ族半导体生长所需要的不同环境。最新方法的优势在于，他们可以使用普通的生长技术而不需要特殊的方法让纳米线在硅晶圆上生长，也不需要使用金属催化剂。　　
ⅢⅤ族化合物半导体指元素周期表中的Ⅲ族与Ⅴ族元素结合生成的化合物半导体，主要包括镓化砷、磷化铟和氮化镓等，其电子移动率远大于硅的电子移动率，因而在高速数字集成电路上的应用比硅半导体优越，有望用于研制将光变成电或相反的设备

锦州先后与中科院理论物理研究所、北京有色金属研究总院、大连理工大学等科研院所、高校及企业开展了广泛合作，大大增强了产业发展后劲。
大功率逆变器技术等一批国内领先的核心技术，同时通过引进完整的非晶硅高效薄膜太阳能电池生产技术、聚光电池生产技术、TCO基板玻璃成套工艺技术等一批核心技术，打破了多年来国际市场的垄断，现正在准备引进CIGS（铜铟镓锡

该研究团队利用单壁碳纳米管研制出了可以替代铟锡氧化物的材料，并进一步确定了效率最高的碳纳米管的类型：金属型碳纳米管和半导体型碳纳米管。
目前，铟锡氧化物是透明导体中应用最多的材料，但这种材料有两个缺点：易碎，且依赖于相对较稀有的元素铟。因此，对太阳能电池日益增长的需求将会极大地推高铟的价格。

不难预见，黄石可凭借这个千兆级的铜铟镓硒生产基地，形成集研发、生产、销售、应用为一体的完整产业链，跻身我国光伏产业第一方阵。
抢先抓机遇　　伴随共和国创立诞生的黄石，因矿藏丰富成为新中国的矿冶基地，有色和黑色金属采掘、冶炼等重工业产业，一直是黄石经济发展的支柱。

目前已经能进行产业化大规模生产的薄膜电池主要有3种：硅基薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池、碲化隔薄膜太阳能电池。
单晶硅硅的结晶体，是一种比较活泼的非金属元素。它具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。其主要用途是制作半导体器件和利用太阳能光伏发电、供热等。　　

首先磁控溅射沉积金属和金属氧化层，以增强衬底的反射率。然后采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅层，以形成叠层太阳电池结构，这是整个制造过程中最关键的工艺步骤。
硅基薄膜沉积完成之后，需在电池顶部沉积铟锡氧化物(ITO)，即透明导电氧化层作为入射光的减反射层。

、孚日股份（002083）：是光伏新兵，瞄准的是CIGS（铜铟硒）电池，采购两条CIGSSe薄膜太阳能电池组件生产线，预计于明年二季度交付。
、耀皮玻璃（600819）：　　公司成功研发出可钢化LOW-E玻璃产品、夹金属丝网的夹层LOW-E高性能玻璃产品和硅晶太阳能电池片夹层玻璃光伏幕墙产品。

Ascent Solar的铜铟镓硒(CIGS)太阳能柔性薄膜电池板主要用于防水卷材屋面、金属屋面和和混凝土屋面，使之成为真正的BIPV--光伏建筑一体化太阳能屋面系统。
Ascent Solar是总部位于美国科罗拉多州的铜铟镓硒(CIGS)太阳能柔性薄膜电池板制造商。其突破性技术能够实现当今世界上最高的效率。

索比光伏网讯:铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池由于效率高、无衰退、抗辐射、寿命长、成本低廉等特点，是近两年来备受人们关注新型太阳能电池产品之一，经过近30年的研究和发展，其光电转化效率为所有已知薄膜太阳能电池中最高的
现阶段CIGS薄膜太阳能电池产业化的真空制备方法主要有两种，即共蒸镀法和溅镀硒化法，但该两种方法各有其难点，共蒸镀法的主要问题在于要在一个真空腔体内安装三个蒸发温度都超过1000℃的金属线性蒸发源，并且温度独立可控不受其他热源影响

下一页余下全文西部材料：关注核电及除尘减排政策对业绩提升对公司总体观点：公司依托西北有色金属研究院的技术实力，子业务开展众多，其中值得重点关注的业务有四块钛材、钛钢复合板、不锈钢纤维毡、银铟镉控制棒
根据介绍，十二五期间，新材料产业将积极发展特种金属功能材料、高端金属结构材料、先进高分子材料、新型无机非金属材料、高性能复合材料和前沿新材料共六大类别。

另据2010年欧盟发布《对欧盟生死攸关的原料》报告,提出欧盟稀有矿产原料短缺预警及对策，将14种重要矿产列入“紧缺”名单:锑、铍、钴、萤石、镓、锗、石墨、铟、镁、铌、铂族金属、稀土、钽和钨。
同时，钼金属价格底部企稳态势明显，面临巨大的价值重估空间。

索比光伏网讯:在Nanosolar利用非真空印刷制程将铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池转换效率提升至13%后，让该技术顿时声名大噪。
不让外商专美于前，透过经济部技术处资源统合，国内工研院、中科院、金属中心等单位亦已展开非真空印刷涂布制程技术研发，蔡松雨指出，传统非真空制程技术一般作在玻璃基板上，未来将考虑使用不锈钢基板搭配R2R制程

铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池由于效率高、无衰退、抗辐射、寿命长、成本低廉等特点，是备受人们关注的一种新型光伏电池产品，经过近30年的研究和发展，其光电转化效率为所有已知薄膜太阳能电池中最高的，目前
现阶段CIGS薄膜太阳能电池产业化的真空制备方法主要有两种，即共蒸发法和溅射后硒化法，但该两种方法各有其难点，共蒸法的主要问题在于要在一个真空腔体内安装三个蒸发温度都超过1000℃的金属线性蒸发源，并且温度独立可控不受其他热源影响

索比光伏网讯: 铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池由于效率高、无衰退、抗辐射、寿命长、成本低廉等特点，是备受人们关注的一种新型光伏电池产品，经过近30年的研究和发展，其光电转化效率为所有已知薄膜太阳能电池中最高的
现阶段CIGS薄膜太阳能电池产业化的真空制备方法主要有两种，即共蒸发法和溅射后硒化法，但该两种方法各有其难点，共蒸法的主要问题在于要在一个真空腔体内安装三个蒸发温度都超过1000℃的金属线性蒸发源，并且温度独立可控不受其他热源影响

这款名为Q.ANTUM的电池技术采用了180m厚的多晶硅片，金属电极设在电池背表面，电池表面经过了纳米层钝化。电池后表面涂有介电层，并配有局部点接触电极。
Q-CellsSE公司高级副总裁PeterWawer评论道：“我们在晶体硅及铜铟镓硒薄膜技术领域接连打破世界纪录，这不仅体现了我们生产高质量产品的决心，还证明了Q-Cells在太阳能行业顶级制造商的地位

Q-Cells SE公司高级副总裁Peter Wawer说道：我们在晶体硅及铜铟镓硒薄膜技术领域接连打破世界纪录，这不仅体现了我们生产高质量产品的决心，还证明了Q-Cells在太阳能行业顶级制造商的地位
这款Q.ANTUM的电池技术采用了180m厚的多晶硅片，金属电极设在电池背表面，电池表面经过了纳米层钝化。电池后表面涂有介电层，并配有局部点接触电极。这一创新结构可适用于各种级别、各种厚度的硅材料上。