%，导致回收硅料只能用于低等级产品;薄膜电池(如碲化镉)的分层结构复杂，金属与半导体层的分离成本高昂。此外，钙钛矿等新型太阳能电池商业化加速，其有机 - 无机杂化材料的稳定性问题尚未解决，一旦
建立产品全生命周期回收机制。在此政策推动下，德国 Reiling GmbH、美国 SOLARCYCLE 等专业回收企业应运而生。从经济价值来看，光伏组件中的贵金属与稀缺材料回收价值日益凸显。一块标准

EMC认证的优质设备;定期进行电磁环境检测;考虑采用模块化微型逆变器替代集中式逆变器。2. 化学物质风险传统晶硅光伏板含有铅、镉等重金属。每块标准组件中约含18克铅，主要用于焊带连接。薄膜电池则可能含有

。3. 电荷传输层(HTL/ETL)：需要与柔性基底良好附着的均匀薄膜引入界面层和添加剂显著提高了性能4. 钙钛矿层：分为全无机和杂化两类添加剂工程是提高机械稳定性的关键策略5. 顶电极：蒸镀金属
：耐高温但易碎金属箔基底：耐高温但需要透明顶电极2. 透明导电电极(TCEs)：ITO是最常用选择，但在柔性基底上沉积温度较低，导致结晶度和导电性下降替代材料如PEDOT、石墨烯、金属纳米线等正在探索中

载流子传输效率，限制了器件性能。本文提出了一种酰胺化延迟合成策略，通过引入共价金属卤化物来中断酰胺化反应，释放自由酸/胺，与PbX2配位形成规整的铅卤化物八面体，从而有效抑制PbX2沉淀和缺陷形成。实验
结构示意图。b)基于CsPbI3 PQDs的LED在有无SnI4条件下的EQE。c)基于PQDs的LED在有无SnI4条件下的EQE统计分布。d)不同共价金属碘化物基LED最大EQE的对比。e)基于

：d为NBG薄膜中Sn²⁺氧化为Sn⁴⁺的电子损失示意图;e展示Sn²⁺在空气中易氧化及Sn粉还原Sn⁴⁺的现象;f描述钙钛矿晶界钝化与体相结晶调控策略;g对比反溶剂与气体淬火法制备WBG薄膜的截面
SEM图像;h为钙钛矿界面异质结形成示意图;i展示Pb-Sn电池异质结的HAADF-STEM图像及EDX元素分布;j是钙钛矿表面分子钝化机制示意图;k比较对照组与PDA处理WBG薄膜的KPFM图像;l

中，欧阳子博士指出，正面低掺杂硼扩技术、背面局部poly技术、先进印刷技术皆可以进一步提升TOPCon产品的发电效能。其中，低掺杂硼扩技术降低了正面接触对p+掺杂浓度的依赖，可使金属复合得到有效控制
;采用局部Poly激光改质方案可使电流响应和钝化性能皆得到改善;钢板印刷则提升了栅线高宽比，使金属接触面积相应减少，改善金属复合。与此同时，激发TOPCon电池的高开压潜力同样关键，开路电压和电池

第一作者：高鹏(北京大学)通讯作者(单位)：赵清(北京大学)、孙宝全(苏州大学)、赵怡程(电子科技大学)文章介绍金属卤化物钙钛矿作为一种新兴的颇具前景的新型半导体材料，其独特的晶体结构、高的光吸收
分子诱导”策略，创新性地将金属卤化物钙钛矿材料的光吸收(的边界)从本征630 nm显著拓展至2000 nm的红外光区，且具备高吸光度。作者揭示并提出其背后的物理新机制为图灵结构钙钛矿的杂化物质

。石墨烯、过渡金属硫族化物(如MoS₂)等材料的出现，为构建更小、更快、更智能的电子器件提供了基础。然而，要真正将这些材料应用于大规模集成电路中，制造工艺的突破是关键的一步。传统的图案化技术，如光刻
范德华异质结构a，二维范德华异质结构的示意图(左)，由金属性石墨烯、半导体型MoS₂和绝缘性HfO₂组成;以及相邻二维纳米片之间通过与聚乙烯吡咯烷酮(PVP)表面活性剂发生C–H插入反应实现光交联过程的