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。为了降低光反射损失，通常会采用化学腐蚀法在电池表面制作绒面结构，可将电池表面的反射率降低到10%以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术（RIE）。另外，也可通过光刻的手段制作倒置金字塔陷光
结构，虽然此方法能更有效的地降低光反射率，但成本比化学腐蚀制绒法高，因此不适合在生产上大规模使用。　　倒置金字塔陷光结构2、制作减反射膜。在晶体硅表面制作一层具有一定折射率的膜，可以使入射光产生的各级

比重。为了降低光反射损失，通常会采用化学腐蚀法在电池表面制作绒面结构，可将电池表面的反射率降低到10%以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术（RIE）。另外，也可通过光刻的手段制作倒置金字塔
陷光结构，虽然此方法能更有效的地降低光反射率，但成本比化学腐蚀制绒法高，因此不适合在生产上大规模使用。倒置金字塔陷光结构2、制作减反射膜。在晶体硅表面制作一层具有一定折射率的膜，可以使入射光产生的各级

制备太阳能电池的工艺流程图。制备了正面只有Al2O3的黑硅太阳能电池，同时制备了正面具有倒金字塔结构和Al2O3/SiNx钝化层的电池作对照组。对照组电池和黑硅太阳能电池唯一的不同是正面的倒金字塔结构和
（a）通过扫描电子显微镜（SEM）观察到的黑硅表面。（b）910℃扩散发射极、硼玻璃去除、沉积Al2O3后黑硅表面反射率曲线和具有倒金字塔绒面结构且沉积Al2O3/SiNx后对比组硅片的反射率曲线以及

多晶电池效率的提升受制于表面反射率的降低。常规多晶主要采用酸制绒，形成蠕虫状的坑洞;而单晶采用碱制绒，形成金字塔结构的绒面。相比单晶电池，常规多晶电池的表面反射率高3%~5%(绝对值)。降低表面反射率是提高
合适的设备，确保该工艺能够全天候稳定运行，是产业化必须面对的问题。阿特斯开发的湿法黑硅技术，可以实现不同类型的纳米绒面。这些绒面包括：纳米正金字塔、纳米倒金字塔、纳米柱、纳米凹坑等，如图3所示。对于

1、引言多晶电池效率的提升受制于表面反射率的降低。常规多晶主要采用酸制绒，形成蠕虫状的坑洞；而单晶采用碱制绒，形成金字塔结构的绒面。相比单晶电池，常规多晶电池的表面反射率高3%~5%（绝对值）。降低
开发的湿法黑硅技术，可以实现不同类型的纳米绒面。这些绒面包括：纳米正金字塔、纳米倒金字塔、纳米柱、纳米凹坑等，如图3所示。对于不同类型的纳米结构，其光学特性以及电学特性是不同的。光学特性主要是封装后

于表面反射率的降低。常规多晶主要采用酸制绒，形成蠕虫状的坑洞；而单晶采用碱制绒，形成金字塔结构的绒面。相比单晶电池，常规多晶电池的表面反射率高3%~5%（绝对值）。降低表面反射率是提高多晶电池效率的
类型的纳米绒面。这些绒面包括：纳米正金字塔、纳米倒金字塔、纳米柱、纳米凹坑等，如图3所示。对于不同类型的纳米结构，其光学特性以及电学特性是不同的。光学特性主要是封装后光学多次反射的角度和路径不同，从而