光伏咨询搜索-索比光伏网

目前，SiC二极管在光伏行业也已经得到了成熟的应用。为此，纳芯微推出了1200V系列SiC二极管产品。
NSI6801采用双电容增强隔离技术，兼容光耦输入，提供更强的隔离性能，CMTI大于150kV/us，有效提高了产品的抗干扰能力，使用寿命更长，使用温度范围更宽，开关频率更快，能够更好地适配SiC器件，

60万千瓦及以上超超临界机组的支撑性和调节性电源建设、经营398.采用背压型热电联产、热电冷多联产、30万千瓦及以上超（超）临界热电联产机组电站的建设、经营399.单机30万千瓦及以上，采用循环流化床、
88.艾滋病疫苗、丙肝疫苗、避孕疫苗及宫颈癌、疟疾、手足口病等新型疫苗生产89.海洋药物的开发、生产90.药品制剂生产：采用缓释、控释、靶向、透皮吸收等新技术的新剂型、新产品91.新型药用辅料的开发、生产

，提升液晶材料和有机发光二极管(OLED)、高分子发光二极管(PLED)等新一代显示材料的技术水平，积极布局柔性、主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术。
围绕新型显示产业链关键环节，鼓励龙头企业加强与省内外科研院所在优势领域联合开发，充分利用西北工业大学、陕西科技大学在柔性光电材料、有机发光二极管(OLED)、高分子发光二极管(PLED)显示技术等领域的研发优势

最左图显示了成本最低的方法，使用硅二极管和MOSFET。第一个优化方案如中图所示，是用SiC二极管取代硅二极管，这将提高电路的功率密度和转换效率，从而降低系统成本。
SIC的优势碳化硅(SiC)因带隙宽，在太阳能管理中比硅具有多种材料优势，导热率几乎是硅的3倍。

IGBT+Si二极管的损耗，随着频率的改变损耗变化幅度非常大，而IGBT+SiC二极管的损耗，随着频率的变化改变不是很大。尤其是在16K到48K，其总损耗几乎是线性的，增加幅度较小。
但是碳化硅也有缺点，限制了它的应用范围，一是电流较小，迄今为止SiC MOSFET和肖特基二极管的最大额定电流小于100A，大功率逆变器用不上;二是产能不足，价格还比较贵;三是稳定性和硅基IGBT相比还差一点

比如，由二极管和开关管组成的逆变电路中，仅将二极管材料由硅换成碳化硅，逆变器的电能损失就可以降低15～30%左右，如果开关管材料也换成SiC，则电能损失可降低一半以上。
（高纯碳化硅粉）、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体全产业链，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在电动车领域的应用。

3) 采用全新第五代Sic碳化硅二极管，降低导通损耗，可以支持更高的开关频率，具备更强的浪涌电流承受能力，具备卓越的散热性能。 4) 国际知名品牌的电容和继电器，使用寿命长，运行可靠。
六、采用最新进口元器件，性能更强 1) IGBT采用最新第五代德国英飞凌IGBT，耐压值更高，载流量更强，功率损耗更小。

采用快速IGBT后，由于开关速度加快，并能改善2%整机变换效率。当把SiC反并二极管与快速IGBT相结合后，逆变器的效率将进一步改善。
因此，将碳化硅二极管作为主开关的反并二极管，是改善逆变器效率的途径。与传统快恢复硅反并联二极管相比，采用碳化硅反并联二极管后，二极管反向恢复电流显著减小，并可以改善1%的总变换效率。

该模块采用碳化硅（SiC）二极管，型号为PSH50YA2A6。
该产品采用混合构造，即二极管部分配备SiC制肖特基势垒二极管（SBD）、晶体管部分配备采用三菱电机自主开发的CSTBT（利用载流子积聚效应的IGBT）构造的第七代IGBT。

另外，继2013年10月上市的最大输出功率5.9kW的室外用功率调节器之后，此次的产品也采用SiC二极管。（记者：河合基伸，《日经电子》）
配备SiC二极管功率调节器新产品VBPC246B是额定输出功率为4.6kW的室外设置型。据松下介绍，VBPC246B与其他公司4kW左右的产品相比，优点是配备了4个最大功率点跟踪（MPPT）电路。

IGBT+Si二极管的损耗，随着频率的改变损耗变化幅度非常大，而IGBT+SiC二极管的损耗，随着频率的变化改变不是很大。尤其是在16K到48K，其总损耗几乎是线性的，增加幅度较小。
但是碳化硅也有缺点，限制了它的应用范围，一是电流较小，迄今为止SiC MOSFET和肖特基二极管的最大额定电流小于100A，大功率逆变器用不上;二是产能不足，价格还比较贵;三是稳定性和硅基IGBT相比还差一点

值得注意的是，美高森美还于今年为全球PV市场提供高度仅0.74mm的新款萧特基PV旁路二极管体，该产品专为太阳能板而设计。
Mafie强调，这个10安培的SFDS系列二极体采用独特的挠性铜导线封装，客户可将该产品整合在玻璃板下，因而可缩小接线盒尺寸，甚至根本毋须使用接线盒。