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打造了以行业内权威专家为主体的研发团队，并在原子层沉积背钝化、选择性发射极工艺、多晶黑硅工艺、双面电池、多主栅技术、异质结电池技术、高效组件等核心技术领域形成了具有自主知识产权的多项技术成果。报告期
、光致衰减低等明显优势，同时异质结高效电池为N型晶硅电池，具备天然的双面性，其背面效率可以高达正面效率的95%。报告期内，合肥太阳能自主研发的高效组件经成都国家光伏产品质量监督检验中心检测认证，钝化发射极

上高效组件普遍采用的一个方案。然而，最近另外一种新技术选择性发射极(selective emitter, SE)太阳电池技术，引起主流电池片生产企业的关注。接棒PERC技术的SE技术 1
)SE+PERC，电池效率轻松超22% 国家电投西安太阳能电力有限公司宋志成等人曾在一篇论文中，详细介绍了选择性发射极(selective emitter，SE)太阳电池技术，该文章认为： SE技术

一个或多个工序中引入新的生产工艺(如优化的表面钝化技术、选择性发射极技术、优化的表面织构化技术、点接触技术及3D打印电极技术等)来提高电池转换效率;二是改变现有的电池结构、工艺流程或材料(如HIT电池
打印机将薄膜太阳电池印刷到纸张上，这种电池目前可提供1.5%～2%的电池效率。3D打印技术不仅能打印出分辨力高、导电性好的栅线，而且能够降低生产成本，可以和高方阻发射极完美结合并应用于各类太阳电池

提升效率和发电能力的潜力。通过与多主栅、选择性发射极和TOPCon等技术的叠加，PERC电池效率可以进一步提升;组合金刚线切割和黑硅技术，可以提高多晶电池性价比。而双面PERC电池在几乎不增加成本的
)细栅金属化技术，减少正面遮挡，如应用5BB或MBB技术; (2)正面采用选择性发射极，降低表面复合损失;(3)先进的陷光技术，如采用多层减反膜技术;(4)降低背面金属接触区域的复合，如采用局部B掺杂

【摘要】研究了激光掺杂选择性发射极匹配的扩散工艺，通过调整不同的工艺参数，达到相同的高方阻，比较了不同方法获得的高方阻的均匀性，得到了在105/□左右的高方阻仍能保持较好均匀性的扩散工艺。通过调整
激光功率形成不同的重掺杂区方块电阻，研究了不同的重掺杂区方块电阻对电池主要电性能参数的影响，分析了变化原因。最后比较了激光掺杂选择性发射极太阳电池和传统太阳电池的电性能及外量子效率。工艺优化后，激光

%，IBC的双面因子约为80%，而PERC的双面因子最低，约为70%。为此PERC在做下一步提效，预计下半年单晶PERC电池片主流效率将再次提升，隆基与晶科已把现有单晶PERC产线全数配上选择性
发射极技术(SE)，平均电池片效率提升0.2-0.25%。PVInfolink预计今年国内本土PERC产线将有20GW以上的产能配置上SE。四价格跟踪根据PVInfolink整理下表，我们

【摘要】研究了激光掺杂选择性发射极匹配的扩散工艺，通过调整不同的工艺参数，达到相同的高方阻，比较了不同方法获得的高方阻的均匀性，得到了在105/□左右的高方阻仍能保持较好均匀性的扩散工艺。通过调整
激光功率形成不同的重掺杂区方块电阻，研究了不同的重掺杂区方块电阻对电池主要电性能参数的影响，分析了变化原因。最后比较了激光掺杂选择性发射极太阳电池和传统太阳电池的电性能及外量子效率。工艺优化后，激光

，隆基宣布其同类电池效率达到23.6% 2018年5月9日，晶科宣布其同类电池效率达到23.95% 在PERC电池结构的基础上，隆基在其最新的破纪录电池中还使用了多主栅和选择性发射极技术
，而晶科在其最新的破纪录电池上也在PERC的基础上同时采用选择性发射极和多层减反射膜。版权归原作者所有，365光伏整理发布来源：PV兔子/李阳来自365光伏的

电池效率达到23.6% 2018年5月9日，晶科宣布其同类电池效率达到23.95% 在PERC电池结构的基础上，隆基在其最新的破纪录电池中还使用了多主栅和选择性发射极技术，而晶科在其最新的破纪录电池上也在PERC的基础上同时采用选择性发射极和多层减反射膜。

密度J0,从而提升电池的开压与电流，效率增益0.1-0.2%。如果匹配选择性发射极技术SE，其效率增益会更加明显，效率增益达0.3-0.4%。图5 ALD- Al2O3沉积示意图多主栅
SiO2隧穿氧化层实现如图4所示，具有很好的选择性，而多晶硅层由于采用晶化处理，此钝化结构具有很好的热稳定性。TOPCon全接触钝化的创新结构，克服了背面金属区接触复合较高的问题，利用一层超薄氧化层

背场、选择性发射极扩散太阳能电池等核心技术；晶体硅电池产品的平均转换率已超过１８％，在国内同行中处于领先水平。报告期内，公司６ｉｎｃｈ高效率大规格晶体硅太阳能电池及组件研制项目顺利通过省科技厅验收
２０１１年重大科技计划项目。　　２０１１年公司共计申报专利１７项，其中发明专利８项，实用新型专利９项。其中，报告期内获得国家发明专利三项，分别为：一种晶体硅太阳能电池选择性发射区的制备方法，太阳能电池