(反应离子刻蚀法Reactive Ion Etching,RIE)和湿法黑硅技术(金属催化化学腐蚀法metal Catalyzed Chemical Etching,MCCE)等都可以解决金刚线切割的 明显下降,给多晶造成一定压力。多晶亟待进一步的技术升级,才能继续以性价比优势主导光伏市场。对于多晶来说,黑硅的蓬勃再现无疑是一场救赎,更是一场革命。前几年,高效多晶技术的主攻方向是围绕晶体结构进行体
制绒的多晶电池从肉眼来看比普通多晶电池更黑,因此这种工艺被称为黑硅制绒。 多晶黑硅制绒工艺主要有干法制绒和湿法制绒两种。干法黑硅制绒工艺为反应离子刻蚀法(Reactive Ion Etching ,RIE),该方法是等离子体在电场作用下加速撞击硅片,在硅片表面形成纳米结构,从而降低多晶硅片的反射率。湿法黑硅制绒工艺为金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching