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两个表面同时进行清洗、干燥。首先磁控溅射沉积金属和金属氧化层，以增强衬底的反射率。然后采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅层，以形成叠层太阳电池结构，这是整个制造过程中最关键的工艺步骤
。对于三结非晶硅太阳电池来说，需要在已经做好的背反射器的表面连续沉积9层硅基薄膜，包括3个P-I-N结子电池，各分离的反应室之间需要设计独特的气氛隔离室以防止相邻反应室间的气体交叉污染。硅基薄膜沉积完成

金属杂质聚集的部分后，将硅锭粗粉碎并清洗，并在等离子体熔解炉中去除硼杂质，然后二次区熔单向凝固成硅锭，再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质
冶金硅（纯度要求在99.5%以上）与氯化氢（HCl）合成产生便于提纯的三氯氢硅气体（SiHCl3，下文简称TCS），然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积（CVD）将高纯度的TCS转化

等离子体熔解炉中去除硼杂质，然后二次区熔单向凝固成硅锭，再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质直接生成太阳能级多晶硅。(冶金法的典型工艺流程，摘自中国
(纯度要求在99.5%以上)与氯化氢(HCl)合成产生便于提纯的三氯氢硅气体(SiHCl3，下文简称TCS)，然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积(CVD)将高纯度的TCS转化为高纯度

SHARP公司。主要工艺是：选择纯度较好的工业硅(即冶金硅)进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向
提纯方法主要有西门子法(气相沉淀反应法)、甲硅烷热分解法、流态化床法，而物理提纯方法主要有区域熔化提纯法(FZ)、直拉单晶法(CZ)、定向凝固多晶硅锭法(铸造法)。图1是西门子公司的代表在2008年

外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接
硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。2、硅烷法硅烷热分解法硅烷是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等

膜蛋白在绿色植物中含量最为丰富，被视为捕光复合物。这是一个具有典型正20面体对称特征的空心球体，其中布满了色素分子，以便吸收光能并进行传递。这些色素分子,包括叶绿素a(Chlorophylla
的波长是0.77微米-1000微米，分为近红外、中红外)。从以叶绿素为主的捕光系统到光反应中心，再加上10种辅助因子(如锰、铁、镁等)的共同作用，光合作用这个复杂且精巧的系统，把光转化成电，再转化

我国的太阳能电池转换效率进一步提高提供一条途径。　　关键词：等离子体增强化学气相淀积；PECVD，太阳电池；氮化硅　　0引言　　氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流
微观过程　　1气体分子与等离子体中的电子发生碰撞，产生出活性基团和离子。其中，形成离子的几率要低得多，因为分子离化过程所需的能量较高。　　2活性基团可以直接扩散到衬底表面。　　3活性基团也可以与其

、晶体硅电池生产设备等，具体包括全自动硅芯/硅棒清洗设备、全自动硅料清洗设备、全自动硅片清洗设备、全自动单晶制绒酸洗综合设备、多晶链式制绒设备、湿法刻蚀设备、等离子体刻蚀机、PECVD、非晶硅玻璃基片清洗
去除其表面的一些颗粒、金属离子以及有机物。但硅片清洗的好坏在一定程度上会影响硅片的质量，处理不当会损害硅片的稳定性与可靠性，甚至使得整个产品报废。由于硅片在进入每道工艺之前表面都必须是洁净的，所以需

设备、等离子体刻蚀机、PECVD、非晶硅玻璃基片清洗设备等。与很多光伏企业一样，捷佳创成立的时间并不长，但在业内形成了一定的口碑与知名度，特别是在清洗设备市场中占有率颇高。据了解，该公司市场触角延伸得
对太阳能硅片进行清洗，以去除其表面的一些颗粒、金属离子以及有机物。但太阳能硅片清洗的好坏在一定程度上会影响硅片的质量，处理不当会损害硅片的稳定性与可靠性，甚至使得整个产品报废。由于太阳能硅片在进入每道工艺

，之前大家都在抱怨缺乏一个政策，现在政府就推出这个政策，然后看市场的反应。如果有问题，再调整。如果市场过度火爆，那么肯定会下调。这个政策本身就留了不少余地，而且留得很狠。这不像德国，德国规定了每年下降多少
仍达80%以上。薄膜电池有成本低，质量轻，透光性较好，柔韧性好，易于与建筑材料集成的特点，在建筑一体化（BIPV）领域具有显著的应用优势。CPV技术因其转化效率高、土地占用面积小，节能减排效果好，是

两个表面同时进行清洗、干燥。首先磁控溅射沉积金属和金属氧化层，以增强衬底的反射率。然后采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅层，以形成叠层太阳电池结构，这是整个制造过程中最关键的工艺步骤
。对于三结非晶硅太阳电池来说，需要在已经做好的背反射器的表面连续沉积9层硅基薄膜，包括3个P-I-N结子电池，各分离的反应室之间需要设计独特的气氛隔离室以防止相邻反应室间的气体交叉污染。硅基薄膜沉积完成

磷硅玻璃等工艺。实验用到的气体有SiH4，NH3，N2。腐蚀溶液为HF酸。SiH4和NH3气体分别用于等离子体增强型化学气相沉积法沉积SiN薄膜，为安全起见，SiH4由氮气稀释至10％，NH3浓度为
的少子寿命测试仪。实验材料：材料采用P型(100)的直拉的125mmx125mm单晶硅片，电阻率约为0．5～3Ω·cm，厚度200+50μm。在实验前经过硅片清洗和制绒，磷扩散，等离子刻蚀，去除

部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中往除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，往除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中往除磷和碳杂质
氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和产业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅

形成800吨/年的生产能力，全量供给SHARP公司。　　主要工艺是：选择纯度较好的产业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，往除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体
在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。　　国内外现有的多晶硅厂尽大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。　　2 硅烷法——硅烷热分解法　　硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金

近年来一直是高分子半导体器件等领域研究的热点。而随着研究的深入，其中的聚（3丁基噻吩）的科研价值也逐渐被发现，尤其是其在有机聚合物太阳能电池和半导体/绝缘体复合材料等方面的研究成果更是引起了该领域的
），通过使用选择性催化剂，将聚（3丁基噻吩）的区域规整度保持在95%以上。并通过控制反应条件使聚合物分子量在4000到20000范围内可调，而聚合物多分散系数可以保持在1.1以内。同时，该种聚（3丁基

企业将充分发挥规模优势，降低生产成本。　　1月8日，中国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备等离子体增强型化学气相沉积设备（PECVD）在上海成功下线，这被视为中国在新能源高端装备领域取得的
%，但依然难以拉低高昂的上网电价。虽然我国政府相继出台了光电建筑一体化、金太阳工程等一系列扶持光伏产业发展的政策，但随着国外一些国家逐步削减对太阳能发电的补贴以及国内对光伏发电业尤为重要的上网电价法

不久，一种更给力并实惠的能源将走入寻常百姓家。近日首台代表着国际尖端技术水平的薄膜太阳能电池关键生产设备――等离子体增强型化学气相沉积设备（PECVD）在位于上海张江的理想能源设备公司正式下线。这台
。　据介绍，一片约1.5平方米的普通平板玻璃完成导电层覆膜后，进入PECVD反应腔，完成化学气象材料叠层结构的覆膜，厚度增加了两个微米，即成为转化率可达10％的薄膜太阳能电池。代表第二代光伏技术的