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光伏产品。此外，硅片的生产成本主要集中在硅棒的拉晶和切割工艺上，当时这些关键技术全部掌握在国外厂商手中，导致成本居高不下。一旦生产工艺能够国产化，依靠国内强大的生产能力，成本还有大幅降低的空间
。2000年之后，行业逐步推广了多线切割这种形式，但效率仍然十分低下。切一刀大概要耗费9到10个小时，切割1吨硅棒大概要消耗300公斤的钢线、300公斤的碳化硅粉和300公斤的聚乙二醇，这就造成了巨大的

。拉晶炉设备找不到就自己改造，从日本、美国、德国等国家整合了五六个品牌。而且，拉出的硅棒还特别短，不像现在能拉到5米长。硅棒尺寸也需要从6英寸改造成8英寸。”宋登元告诉记者，当时我们国家还没有建成
第一个硅量子点嵌入在碳化硅介质中的太阳电池。回国后，宋登元明显感觉到，在国内科研环境中，光伏领域研究与产业化应用存在着严重脱节现象。在2012年的一次调研会议上，宋登元直言科技与经济存在“两张皮”现象

（UHMWPE）、聚苯硫醚纤维（PPS）、聚酰亚胺纤维（PI）、聚四氟乙烯纤维（PTFE）、聚苯并双噁唑纤维（PBO）、聚芳噁二唑纤维（POD）、玄武岩纤维（BF）、碳化硅纤维（SiCF）、聚醚醚酮纤维
交通工具部件、风电叶片芯材、建筑建材等领域）126.精密高性能陶瓷原料生产：碳化硅（SiC）超细粉体（纯度＞99%，平均粒径＜1μm）、氮化硅（Si3N4）超细粉体（纯度＞99%，平均粒径＜1μm

以及半导体材料细分领域的蓝宝石材料和碳化硅材料等。其中在光伏设备领域，已成为国内技术、规模双领先的光伏设备供应商，建立覆盖全自动单晶炉、滚圆磨面一体机、截断机、切片机、叠瓦自动化生产线等较为齐全的产品
体系。进击的晶盛机电同时，晶盛机电还布局生产了高纯石英坩埚、金刚线等光伏核心耗材的生产。高纯石英坩埚主要用于半导体与太阳能拉制单晶硅棒，是硅片企业的主要耗材之一。根据测算，硅片企业生产1GW

破旧的高压变电器，没有高熔点的设备，根本无法进行实验。组员李性涵建议采用高压打火花的方法，经过几个月的尝试，才到达高温，将硅粉熔炼成了硅块。不过，这也只是“碳化硅”，和物理提纯组想要的“硅单晶”相比
决定在1959年9月14日晚8点进行拉晶，当晚拉制出了一颗纯度为“3个9”的硅单晶。这就是中国第一颗硅单晶的诞生。第二年，在解决了高频炉、电容、区熔炉问题后，小组再次拉制出了“7个9”的硅单晶。中国光伏

，晶盛机电研发成果不少。公司成功研制出新一代环形金刚线截断机、新一代环形金刚线开方机。其中，环形金刚线开方机是国内第一次批量应用的环形金刚线开方的设备，能够大幅减少晶棒磨削的硅耗，且可实现光伏硅棒
M6-G12的尺寸的快速自由切换。配合新研发环形金刚线开方机，公司对单晶硅棒磨面倒角一体机进行了技术升级。公司还研发出半导体用12英寸硬轴直拉硅单晶炉，解决了硬轴单晶炉高真空、高精度及传动过程震动消除等

提高单晶率、降低籽晶成本后，将给产业带来重要突破。杨德仁指出，直拉硅单晶效率较高且晶格完整，质量较好，但同时由于能耗高，对应的成本也相对较高。从目前的技术现状来看，直拉单晶主要使用的是重复拉晶
挑战。核心原因在于晶体生长时使用的SiCi坩埚，从根本上解决这个问题需要降低氧含量，目前的研究方向主要有两点，一是在现有的SiCi坩埚加高层的二氧化硅或其他涂层，使氧难以进入硅垄体;二是做高纯的碳化硅的

早期的光伏行业以多晶硅产品为主，其优势诸如成本低、工艺简单、量产规模大等，近年来单晶硅崛起，逐步蚕食多晶硅的市场份额。单晶硅与多晶硅晶体生长工艺不同，其晶面取向相同、无晶界，品质优异从而具备
电池仍没有解决成本高的问题。金刚线切片的应用推广有效的解决了成本问题，此前硅棒/硅锭切片基本由砂浆切割完成，2016年一些单晶企业推出金刚线切割应用，之后发展的如火如荼。与传统的砂浆切割相比

取向相同、无晶界，品质优异从而具备以下优势：单晶硅具有更低的晶格缺陷;更高的机械强度，更低的碎片率;更高的少子寿命和转换效率;组件更高的集约性，更适用于屋顶等有限安装面积的分布式小型电站。单晶硅
PERC的转换效率已经超越其他类型的电池，但电池仍没有解决成本高的问题。金刚线切片的应用推广有效的解决了成本问题，此前硅棒/硅锭切片基本由砂浆切割完成，2016年一些单晶企业推出金刚线切割应用，之后发展

)。 2018年，隆基在云南投建了10吉瓦硅棒和10吉瓦硅片项目(一期);分别在安徽滁州和宁夏银川投建了5吉瓦单晶组件项目和5吉瓦高效单晶电池项目。截至2018年底，隆基单晶硅棒/硅片产能分别达到28
达到300亿元。到2019年底，单晶硅棒/硅片产能2019年底达到36吉瓦，单晶电池片产能2019年底达到10吉瓦，单晶组件产能2019年底达到16吉瓦。 5、晶澳太阳能 2018年晶澳太阳能

。 1.引言在晶棒脱胶完毕后，或在分选硅片时，常会发现硅片胶面呈现边沿发亮，硅层呈线式脱落崩边的情况，其分布位置多为胶面倒角附近，有时也会产生在倒角中间位置。胶面崩边是一种较常见的硅片缺陷，其影响
因素有多种，本文主要从晶棒粘接、硅片切割和预清洗三方面进行了分析。 2.晶棒粘接影响硅片切割前需要将托盘、玻璃、硅块、导向条等按照一定的流程粘接成晶棒，晶棒的粘接过程和原材料的使用都会对胶面崩边

，粘接工序在配块时存在很大困难。因此这部分长度较短的短块会单独粘接，进行切割。 2.小块切割现状在硅块切割前，首先要将硅块、玻璃、托盘等粘接成晶棒。小块的粘接方式和步骤为： (1)准备好托盘和
为环氧树脂胶，A胶与B胶比例为1：1)，混合均匀后，将胶水涂抹在托盘上，使用刮胶铲将胶水刮均匀，然后将玻璃粘接在托盘上。 (3)选择要粘接的小块晶体硅块，对硅块进行分组，保证四条晶棒的小块总长度偏差

人,硕士研究生学历,高级经济师。1980年至1991年任黑龙江鹤岗矿务局供应处计划员;1991年至1993年任平顶山碳化硅厂副厂长;1993年至1994年任平煤集团胶管厂副厂长;1994 年至 2007
有限公司党委书记。 5、高测股份高测股份成立于2006年10月，生于山东青岛，为新三板挂牌公司。公司主营业务为切割装备、切割耗材、轮胎成品测试装备的研发、生产、销售及配套服务，客户群体主要为单、多晶硅棒