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：INDEOtec 成立于 2007 年，是一家专注于薄膜太阳能电池 PECVD 工艺设备研发、生产和销售的瑞士设备生产商。公司已开发出专用于 HJT 非晶硅薄膜沉积的 OCTOPUS 系列设备
平方米的玻璃基板上沉积高度均匀的低温多晶硅薄膜。后期，应用材料将 AKT 系列设备改进应用于 太阳能电池制造领域，开发出 PECVD 5.7 系统，PECVD 5.7 系统基板面积最大

(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer) 是利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，是结合了薄膜太阳能技术的单晶硅电池。PERC(Passivated
大概在50%-70%之间。 HJT电池和PERC电池均属单晶硅太阳能电池，两者的理论转换效率上限均为29%。中国实验室效率最高的单晶硅太阳电池纪录由汉能集团保持25.1%，这也是6英寸HJT太阳电池

、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四个步骤，主要生产设备有清洗制绒机、PECVD、RPD/PVD以及丝网印刷机。目前，异质结产线设备较高，占据了异质结电池产品成本很大的比重，根据预测，异质结核心设备
仅有的几家掌握高效异质结太阳能电池技术的企业之一。在今年的SNEC光伏展会上，钧石能源带来了具有自主知识产权的GW级异质结量产设备，该设备为最低运营成本而设计。钧石能源GW级异质结电池生产线设计

，帮助读者正确把握和判断异质结电池成本降低前景。本文将分析用于沉积非晶硅薄膜和TCO透明导电层的沉积设备企业2020年最新进展。设备成本决定异质结产线投资额，而沉积设备占据设备成本的主要份额
领先性。理想万里晖 2019年，理想万里晖击败欧美设备公司，研制的国内首台高效100MW高效异质结太阳能电池用PECVD装备中标中威异质结太阳能项目。同年，客户使用万里晖PECVD设备制备的

1. HIT 电池性能优异，商业化节奏提速1.1 HIT：一种非晶硅与晶硅材料相结合的高效电池技术 HIT 电池是以晶硅太阳能电池为衬底，以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。HIT(异质结电池
，Heterojunction with Intrinsic Thin layer)是一种在 P 型氢化非晶硅和 n 型氢化非晶硅与 n 型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。标准

实现了小批量生产，但规模量产仍需要一定时间。钧石能源起步较早，作为设备供应商有研发和量产硅基薄膜太阳能电池生产线的经验，于 2010 年开始研发高效单晶异质结电池，在 2016 年建成 100MW
和掺杂非晶硅薄膜环节，理想万里晖提供的 PECVD 设备在备受好评，迈为股份也不断精进其 PERCVD 设备;在沉积 TCO 薄膜环节，钧石能源的 PVD 设备已经入大规模生产应用，捷佳伟创在获得

硅基薄膜工艺形成p-n结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度(200℃)，避免了传统晶体硅电池形成p-n结的高温(950℃)。可以降低能耗、减少对硅片的热损伤。 ③获得较高的转换效率
起跑线，新进入者希望在这领域实现弯道超车。 HJT电池设备市场空间大，设备国产化加速推进 HJT电池设备投资成本高。HJT的投资成本较高，根据东方日升2.5GW高效太阳能电池的项目投资来看，其设备

中国首富。 1963年出生的施正荣是江苏扬中市人，在国内读完研究生后，于1988年去澳大利亚留学，师从世界太阳能电池领域的权威、被誉为太阳能之父的马丁格林，3年后以优秀的多晶硅薄膜太阳电池技术获
博士学位。 2000年，已经加入澳大利亚国籍的施正荣，带着40万美元和10多项太阳能电池技术方面的发明专利回国，创办无锡尚德太阳能电力公司，仅用了5年时间，公司就在美国纽约证券交易所上市。那几年，创造了

，现存企业将围绕高效产能规模展开更加激烈的竞争，故而有资金实力的企业有望加速扩产，后来者由于历史产能包袱较少，有望凭借布局先进产能实现快速追赶，太阳能电池片环节有望迎来扩产浪潮。我们预计
百花齐放：PERC 技术已成主流并处在持续推进工艺升级的过程当中，TOPCon 将背接触钝化镀膜思想和技术引入太阳能电池的生产制造环节，可在 N 型和 P 型两类衬底上使用，为降低终端 LCOE

表明，基于载流子选择性的概念对太阳能电池的理论效率进行分析，采用钝化接触电池结构，如TopCon 此类电池的极限效率是28.2%~28.7%，高于异质结(27.5%)和perc(24.5%)，非常接近
晶体硅太阳能电池的极限效率，29.43%。制造业积极布局，量产转换效率突破 23%。从海外来看，LG 和REC 在TopCon 技术均有量产产能。国内方面，中来股份已实现

产业初具规模后，同煤集团向上游光伏制造业发展，把大同移动能源产业园作为能源革命标志性项目，投资22.29亿元，上马一期300兆瓦美国铜铟镓硒薄膜太阳能电池生产线，打造了完整的新能源产业链。截至2017
技术路线，是在N型单晶硅片上镀非晶硅薄膜来实现电池的高转换效率。目前，钧石能源实际量产规模为600MW，后续合作中大规模生产能否顺利进行，存在不确定性。异质结(HIT/HDT)是N型电池的技术路线

伏新能源的转型。据公开资料显示，在光伏发电产业初具规模后，同煤集团向上游光伏制造业发展，把大同移动能源产业园作为能源革命标志性项目，投资22.29亿元，上马一期300兆瓦美国铜铟镓硒薄膜太阳能电池
10GW的异质结电池生产线项目。山煤国际称，钧石能源HDT技术属于异质结电池技术路线，是在N型单晶硅片上镀非晶硅薄膜来实现电池的高转换效率。目前，钧石能源实际量产规模为600MW，后续合作中大

转换效率突破25%：含本征非晶硅薄膜的非晶硅/晶体硅异质结(HIT/HJT)电池由于非晶硅薄膜优秀的钝化效果，转换效率近年在晶硅电池中位居前列，纯HJT电池的实验室转换效率已达到25.11%。异质结是
半导体材料组成的太阳能电池均可称为异质结太阳能电池，与之相对的是同质结电池，即p-n结由同种半导体材料组成。目前实际商业应用的晶硅太阳能电池基本均为同质结电池(p-n结由晶体硅材料形成)，而产业中一般所提到的

的平台级技术自20世纪80至90年代日本Sanyo研发出并确定本征非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构之后，异质结电池(HJT/HIT)的转换效率即在晶硅太阳能电池中位居前列，近期未叠加其他技术的
结构天然的双面发电能力(亦可牺牲双面性兼容IBC工艺成为HBC结构)、TCO层可叠加钙钛矿涂层等多项传统电池结构无法具备的固有优势决定了HJT异质结可以被认为是下一代晶硅太阳能电池的平台级技术，目前

HJT、HDT、SHJ。该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势。是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。据招商证券报告，HIT电池结构是以N型单晶硅片作衬底，正反面个
2.5GW高效异质结电池与组件生产项目正式开工。该项目计划形成年产2.5GW电池片、2.5GW组件的生产能力。 2019年11月，汉能成都研发中心刷新高效硅薄膜异质结太阳能电池的世界纪录，其制备的冠军电池片

：HIT太阳能电池工艺流程资料来源：OFweek行业研究中心制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用PECVD法制备。 HIT
异质结中的非晶硅薄膜没有发现Staebler-Wronski效应，从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象;HIT电池的温度稳定性好，与单晶硅电池-0.5%/℃的温度系数相比，HIT