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牵制，才能更贴近市场脉搏和动向，并及时作出战略调整。当2010年，行业开始疯狂，组件奇货可居，利润惊人，各个厂家在疯狂扩厂的时候，又是他第一位嗅到了危机，组件价格会悬崖式下跌，制造业利润加速减薄，而
2004年踏入光伏行业，2006年，年仅31岁就创办了晶科能源有限公司，从事晶硅光伏硅片、电池和组件生产，2010年晶科能源纽交所成功上市，目前产能规模近10GW，成为全球第一光伏品牌；2011年

装入一个包装套包里，即缺少了灵活性，比如限定的电缆长度就不一定适合所有安装情况的需求，又减薄了代理商的一部分利润。此外，在渠道管理上，我们采取地区独家代理制，这样能避免串货和不当价格竞争，让合作伙伴能
了户用市场的组件零隐裂标准。提出这一标准对于从进料到硅片、电池、组件制造、甚至运输都要求极高，因为一块组件从硅料到最后铺设在屋顶上，中间至少有近百道工序过程中会产生隐裂。要做到防止隐裂，等于将整个

导电，最后采用丝网印刷技术形成双面电极，使得HIT电池有着对称双面电池结构，一定程度上减少了电池的热应力和机械应力，并允许薄硅片的使用，同时电池背面可以利用地面的反射光发电，提高了发电量。整个制备过程都是在
产业化前景。1.引言由于晶硅太阳电池成熟的工艺和技术、高的电池转换效率及高达25年以上的使用寿命，使其占据全球光伏市场约90%份额。理论上讲，不管是掺硼的P型硅片还是掺磷的N型硅片都可以用来制备

增加的，增加20.7%，光照20个小时以后还是这样，它是没有衰减的。我们找了一下最近的杂志也找到了类似的结果，光致衰减是没有的，这个为什么会是这样的情况?还有一个很也优势的就是电池可以减薄，它是完全
对称的，我们实验室温度是不超过200度的，我们进行了这方面的很多工作，一个是为了降低硅片的成本，第二个是为了做更多的应用。我们这个图把横轴硅片逐步见效降低，它的转换效率，它的各个电池参数的变化情况

事，他说，如果问题的关键在于硅晶片中与缺陷相互作用的激发电子密度过高，那么找到解决它的有效策略将变得尤为重要，因为下一代器件设计和晶片减薄将带来更高的电子密度。这项工作需要各个领域专家之间的合作，他
界面。但麻省理工学院团队认为缺陷最有可能存在于硅片本身。为了验证这个假设，他们使用了在750℃和950℃下制造的太阳能电池来验证这个假设，并且设定了光照和暗室两种保存环境。之后，用化学方法去除电池的顶层

，这揭示了制造材料固有的问题。细胞人做了一切正确的事，他说，如果问题的关键在于硅晶片中与缺陷相互作用的激发电子密度过高，那么找到解决它的有效策略将变得尤为重要，因为下一代器件设计和晶片减薄将带来更高的
主要缺陷所在，包括硅表面、铝背衬和材料之间的各种界面。但麻省理工学院团队认为缺陷最有可能存在于硅片本身。为了验证这个假设，他们使用了在750℃和950℃下制造的太阳能电池来验证这个假设，并且设定了光照

激发电子密度过高，那么找到解决它的有效策略将变得尤为重要，因为下一代器件设计和晶片减薄将带来更高的电子密度。这项工作需要各个领域专家之间的合作，他主张所有参与者，包括私人公司和研究机构以及各个领域的
解决PERC太阳能电池的性能问题，研究人员需要弄清楚模块中的主要缺陷所在，包括硅表面、铝背衬和材料之间的各种界面。但麻省理工学院团队认为缺陷最有可能存在于硅片本身。为了验证这个假设，他们使用了在

目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大幅度降低成本成为可能。若考虑系统安装总量相同的情况(假设均为1MW)，则采用更高功率的组件在
存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴

硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高；并且可以适用于更薄的硅片
来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，“B-O对”与

技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大
一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显

激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高；并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大
，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷

明确; 3)电池片原因：电池片方块电阻的均匀性、减反射层的厚度和折射率等对PID性能都有着不同的影响。上述引起PID现象的三方面中，由在光伏系统中的组件边框与组件内部的电势差而引起的组件PID现象被
破裂。晶体硅组件生产的工艺流程长，许多环节都可能造成电池片隐裂(据西安交大杨宏老师的资料，仅电池生产阶段就有约200种原因)。隐裂产生的本质原因，可归纳为在硅片上产生了机械应力或热应力。近几年

，可归纳为在硅片上产生了机械应力或热应力。近几年，晶硅组件厂家为了降低成本，晶硅电池片一直向越来越薄的方向发展，从而降低了电池片防止机械破坏的能力。 2011年，德国ISFH公布了他们的研究结果
钠玻璃，玻璃对光伏组件的PID现象的影响至今尚不明确； 3）电池片原因：电池片方块电阻的均匀性、减反射层的厚度和折射率等对PID性能都有着不同的影响。上述引起PID现象的三方面中，由在光伏系统中的