高达22.1%的太阳能电池单元。据介绍,这是通过黑硅(Black Silicon)技术实现的。22.1%的转换效率是由德国Fraunhofer ISE CalLab确认的。该技术仍处于研发水平,不过,继松下 黑硅技术的要点是:(1)通过将表面加工成长度为0.8m左右的剑山形状,大幅减少了反射;(2)背面电极型;(3)在单元正面和背面形成防复合膜(钝化膜),从而减少了电子与空穴的载流子复合。阿尔托大学从
层,调制界面特性,有望解决未来微电子技术进入非硅CMOS时代,锗材料替代硅材料所面临的栅介质/沟道界面不稳定的难题。研究论文Fluorinated graphene in interface 半导体转变为二维绝缘材料。于是,创新性地将氟化石墨烯作为界面钝化层应用于锗基MOSFET器件中。研究表明,氟化石墨烯能够有效抑制界面互扩散行为,尤其是抑制氧原子向锗基衬底的扩散,避免不稳定氧化物以及