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选择性发射极(iveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合
/sqr，在电极下的重掺方阻则低于40/sqr。这样的结构有以下三个优点： (1)降低串联电阻，提高填充因子电池的串联电阻由栅线体电阻、前栅与硅表面的接触电阻、扩散层薄层电阻、硅片体电阻、背电极

常规片要大，对硅片质量要求较高，普通多晶硅可能满足不了要求; 三、氧化层厚度和均匀性需要控制得较好，因为这直接影响到n+层的扩散质量; 四、需解决丝网印制的精确对位，对位越精确，n++层的宽度就可
选择性发射极(selectiveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面

、铸锭炉、坩埚、生长炉、其他相关设备硅片晶圆生产设备：全套生产线、切割设备、清洗设备、检测设备、其他相关设备电池生产设备：全套生产线、蚀刻设备、清洗设备、扩散炉、覆膜设备/沉积炉、丝网印刷机
碲薄膜电池CdTe、染料敏化电池DSSC生产技术及研究设备 B、光伏电池：光伏电池生产商、电池组件生产商、电池组件安装商、代理商、经销商及分销商、聚光电池等 C、光伏相关零部件：蓄电池

:00-17:30 撤展：2020年5月27日 15:00-22:00 展出内容(展品属类)： A、光伏生产设备：硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线、铸锭炉、坩埚、生长炉、其他相关设备硅片
DSSC生产技术及研究设备 B、光伏电池：光伏电池生产商、电池组件生产商、电池组件安装商、代理商、经销商及分销商、聚光电池等 C、光伏相关零部件：蓄电池、充电器、控制器、转换器、记录仪、逆变器

技术开发等，以及打通下游市场和应用。最直接的例子，就是对于12BB和9BB，基本上在去年下半年各大主流组件厂才达成了共识。组件端进展和共识的取得，是2019年MBB多主栅组件产品大规模应用的关键，但它
映入眼帘的都已经是跃入400W+的组件，有企业甚至展出了500W+的超高效组件。组件被行业发展的大潮快速推向了3.0、4.0甚至5.0时代。组件企业的需求自下而上进行传导，硅片、电池端都受到了影响。在

几年主要工作集中在解决和改善组件端遇到的问题，包括配套设备升级、焊接良率、匹配的组件材料、长期可靠性、更具竞争力的叠加技术开发等，以及打通下游市场和应用。最直接的例子，就是对于12BB和9BB
效组件。组件被行业发展的大潮快速推向了3.0、4.0甚至5.0时代。组件企业的需求自下而上进行传导，硅片、电池端都受到了影响。在硅片领域，可以通过增加硅片的尺寸提升组件功率，这样一种终端导向的边缘创新正成为

提供更高的势垒阻挡其隧穿，因而该层具有载流子选择性。TOPCon太阳电池的隧穿氧化层钝化接触结构的能带图和其结构示意图如图6a、b所示。 Fraunhofer研究所采用N型FZ硅片，正面采用普通
效率的方法，考虑了新标准的太阳光谱、硅片光学性能、自由载流子吸收参数以及载流子复合与带隙变窄的影响，当硅片厚度为110m时，单晶硅太阳电池理论效率为29.43%。硅异质结(SHJ)太阳电池的模拟指出

) 问题电池的来源 1. 硅材料自身的缺陷 2. 电池制造的原因 1) 去边不彻底、边缘短路 2) 去边过头，P型层向N型层中心延伸，边缘栅线引起局部短路 3) 烧结不良，正电极或背电极与硅片
) 电池分选测试时的误判 a) 分选测试仪自身误差 b) 测试仪与测试仪之间的差异 c) 分选测试仪的误动作 2) 电池自身的衰减不一致 3) 人为的混片如电池上信息不准确，有可能贴错

FZ硅片上实现了22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL
的极限效率的方法，考虑了新标准的太阳光谱、硅片光学性能、自由载流子吸收参数以及载流子复合与带隙变窄的影响，当硅片厚度为110m时，单晶硅太阳电池理论效率为29.43%。硅异质结(SHJ)太阳电池的模拟

一种切割小块晶体硅块的方法，可以有效提高工作效率，提升硅片切割合格率。 1.引言破锭结束后，需要对每一块硅块进行检验，若发现硅块中存在杂质，必须使用带锯机将杂质部分切割去除，这样剩余部分就会
成为长度较短的小块晶体硅块。由于各硅块中杂质的分布位置不同，因此小块晶体硅块的长度不均匀。为降低生产成本，只有长度小于30mm的硅块才会直接回收重新铸锭，而长度大于30mm的硅块会继续切片。但受硅块长度影响

企业篇 1.隆基股份3月22日，隆基公布单晶硅片(P型M2 180m厚度)最新价格。产品的人民币价格从每片3.15元下调至3.07元，海外价格则从每片0.395美元上涨至0.415美元。 2.
Niğde3月11日，土耳其Niğde的太阳能组件制造工厂举行了奠基仪式。该工厂是世界上第一个将N型单晶硅锭和硅片生产集成到一个生产现场的太阳能组件组装工厂，N型单晶硅锭初始产能为2GW，组件初始

公司简介 4.2 公司硅片产能持续扩张，成本优势大 4.3 单晶硅片效率更高，未来或成主流一、光伏行业的兴衰史 1.1 2008年以前：补贴推动行业发展 2004年以前，受制于高昂的
光伏系统进行的补贴，有效期25年，西班牙的光伏装机容量开始迅速发展。2008年金融危机爆发，债务压力促使西班牙政府决定下调电价补贴，并且引进预注册政策控制安装总量，但这一举措激起了下调补贴前的抢装，直接

GW。 PERC工艺(通过2个生产系统完成升级)：完整的PERC生产线 A：硅片检测;B：损伤层去除/制绒;C：扩散;D：去PSG(磷硅玻璃);E：MAiA背面沉积;F：SiNA正面沉积
农光互补。双面组件的正面发电量比单面组件低3%左右，因为阳光会直接从双面组件的电池片之间穿过，而无法像单面组件那样被白色背板反射回来。衡量光伏组件价值的度量单位是峰瓦(Wp)。这很容易理解，因为

，现在因为中国的进入，已经被完全白菜化，最为典型的就是太阳能产业，从上游的硅料，硅片，到电池片，电池面板全部国产化，各个环节全球份额都超过了50%，并且在技术上和国外的差距已经抹平，发达国家的
今年才9年。小米2010年成立，到现在成立才8年， OPPO品牌是2004年创立的，华为虽然1987年就成立了，但是真正的下决心开始做消费电子市场，抛弃B2B给运营商定制手机，真正的开始做

了300W，如图二(b)所示;这一表现同样与同类型单晶硅组件相当。显然，多晶硅PERC技术的使用增强了多晶硅性能竞争力，并降低了成本。图三：硅片质量对多晶硅PERC组件性能衰减的影响。控制
电池进行一道电流引入再生(CIR) 工艺，最后在进行测试和分档。图二展示了CSI多晶硅PERC电池的效率分布情况;其中，平均电池效率超过了 20%，比同样基于金刚石线锯(DWS)硅片技术的

抢装不及预期，加之531新政出台，终端需求一刀切，多晶硅市场价格迅速进入下跌态势，一个月之内国内27.7%的多晶硅产能被迫停产检修，两个月之内价格跌幅达到31.0%。7-8月份下游硅片企业开工率略有
提升，而检修停产的多晶硅产能最高达到43.4%，供应略显不足，积压库存也消化殆尽，多晶硅市场开始逐步回暖。9月初开始，由于下游单多晶硅片企业减产或计划减产情绪浓厚，硅料实际需求和预期需求都有缩减，下游

源包括：a、晶体表面的机械损伤和微裂纹;b、杂质或O-Si的原子集团，旋涡带;c、掺杂剂的局部聚集等。一般而言，热应力在硅片的边缘比较大，因此边缘的滑移位错比较明显，然后向中心蔓延，严重时可以出现星形
结构如Fig.3-4a,Fig.3-4b为出现星形结构硅片的u-PCD扫描结果，Fig.3-4c、d为生产过程中出现滑移线的电池片EL图像。降低温度梯度减少热应力的产生是降低滑移位错产生的有效方法之一

。 PERC工艺(通过2个生产系统完成升级) 完整的PERC生产线(A：硅片检测;B：损伤层去除/制绒;C：扩散;D：去PSG(磷硅玻璃);E：MAiA背面沉积;F：SiNA正面沉积;G
农光互补。双面组件的正面发电量比单面组件低3%左右，因为阳光会直接从双面组件的电池片之间穿过，而无法像单面组件那样被白色背板反射回来。衡量光伏组件价值的度量单位是峰瓦(Wp)。这很容易理解，因为单面