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。 M C Z硅单晶中，由于含氧量得到控制，因而形成氧化物沉淀的几率减小，堆垛层错和片子翘曲变形等也相应变小。在制造LSI和VLSI工艺中，这种高质量的单晶比常规CZ单晶更胜‘筹。这一点已在素尼公司
会议指出，CZ法只生长电阻率25欧姆一厘米以下的晶体。最近，电阻率高达70欧姆一厘米的单晶，也可用CZ法生长。 MCZ工艺的出现，为制备高阻硅单晶闯出一条新路，其电阻率可达400欧姆一厘米。用光电导衰减

条纹; 4.减少了由氧引起的各种缺陷; 5.由于含氧量可控，晶体的屈服强度可控制在某一范月内，.从而减小了片子的翘曲; 6.尤其是硼等杂质沽污少，可使直拉硅单晶的电阻率得到大幅度的
微米/秒的拉速生长了直径76毫米的无位错硅单晶。掺杂剂分别为硼、磷和锑。晶体的生长方向为100和(111。他们发现，施加至少1500高斯的磁场，就能显著地抑制熔融硅的热对流和温度波动。用Dash法腐蚀

生长晶体时，可用磁场来获得高质量的InSb晶体。1970年，Witt等人提出横向磁场中生长直拉InSb晶体的报告。尔后，熔体的温度波动和设备的机械振动等问题难于解决，人们对MCZ法是否具有实用意义提出
，并获得令人满意的结果。据麻省理工学院的H.C.Gatos教授来华讲学说，日本索尼公司就是用了他所研究的成果。这样，1981年在明尼阿波利斯召开的国际第四届半导体硅会议上，横向磁场中生长直拉硅晶体的工艺

一、引言近年来，半导体硅工艺中，出现了一种令人注目的新工艺—外加磁场直拉(MCZ)法〔l〕。它给硅材料工业带来一大变革。半导体工业所用的硅单晶，几乎90%是用
浓度。氧在硅晶体内的分布是不均匀的:沿晶体轴向，头部浓度最高，尾部浓度最低;沿晶体径向，中间浓度高，边缘浓度低。直拉‘硅单晶中氧起着有益的和有害的两种作用。’从有益方面来说，由于钉扎位错，增强了硅晶格