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中的电路与接地金属边框之间形成的高电压，会造成光伏组件性能的持续衰减，业内称之为电势差诱导衰减，即PID效应。一旦发生PID效应，会大大影响电站的运营及投资收益，因而PID成为当前光伏投资商及业内普遍
前后外观均无明显变化，满足要求；在PID测试前后绝缘耐压测试均通过，3000M.㎡最大功率测试：EL测试：从以上测试来看，Xcompo边框因为绝缘优异，实际加载在边框内组件上的电势差估计远小于1000V

接地金属边框之间形成的高电压，会造成光伏组件性能的持续衰减，业内称之为电势差诱导衰减，即PID效应。一旦发生PID效应，会大大影响电站的运营及投资收益，因而PID成为当前光伏投资商及业内普遍关注的
以上测试来看，Xcompo边框因为绝缘优异，实际加载在边框内组件上的电势差估计远小于1000V,而铝合金边框因为导电，实际加载在边框内组件上的电势差即为1000V,这就造成了测试结果的巨大差异。同样的

）又称电势诱导衰减，是电池组件的封装材料和其上表面及下表面的材料，电池片与其接地金属边框之间的高电压作用下出现离子迁移，而造成组件性能衰减的现象。下表为组件PID效应测试前后的参数及I-V曲线
下均有发生电势诱导衰减的风险。因为光伏阵列的组件边框通常都是接地的，造成单个组件和边框之间形成偏压，所以越靠近负极输出端的组件承受负偏压现象越明显。（5）在负偏压的作用下，漏电

）又称电势诱导衰减，是电池组件的封装材料和其上表面及下表面的材料，电池片与其接地金属边框之间的高电压作用下出现离子迁移，而造成组件性能衰减的现象。下表为组件PID效应测试前后的参数及I-V曲线对比【1
）的研究无论采用任何技术的P型晶硅电池片，组件在负偏压下均有发生电势诱导衰减的风险。因为光伏阵列的组件边框通常都是接地的，造成单个组件和边框之间形成偏压，所以越靠近负极输出端的组件承受负偏压现象越明显

任何技术的P型晶硅电池片，组件在负偏压下均有发生电势诱导衰减的风险。因为光伏阵列的组件边框通常都是接地的，造成单个组件和边框之间形成偏压，所以越靠近负极输出端的组件承受负偏压现象越明显。（5）在负
，受到了业界的广泛关注。那么PID效应的成因和危害是什么？究竟什么方案是抑制PID效应最可靠的方法呢？1、PID效应的危害有哪些？PID效应（PotentialInducedDegradation）又称电势

）又称电势诱导衰减，是电池组件的封装材料和其上表面及下表面的材料，电池片与其接地金属边框之间的高电压作用下出现离子迁移，而造成组件性能衰减的现象。下表为组件PID效应测试前后的参数及I-V曲线对比【1
，造成玻璃体电阻降低；Na+的析出及移动过程（4）经过美国NERL（国家能源部可再生能源实验室）的研究无论采用任何技术的P型晶硅电池片，组件在负偏压下均有发生电势诱导衰减的风险。因为光伏阵列的组件边框

条件下PIDFree(免于电势差诱发衰减)认证的Eagle组件的升级版本，其中60片多晶硅功率最高可达275瓦，在市场同类量化生产的产品中效率最高。晶科能源Eagle+系列组件，采用创新的电池片制造技术
增产提供服务，如今已经发展到了第四代。其原理是根据井下在不同的地质条件下所特有的固有频率，再利用等离子脉冲波作诱导，与井下的固有频率产生沿水平方面的共振(也称谐振)，从而产生大量的微裂隙网络。而这种微

系统与信息技术研究所、中科院金属研究所、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州大学等专家一致认为，高耐候绝缘型EVA太阳能电池胶膜成果技术达到国内领先水平。同时建议：进一步加强本成果与抗电势诱导衰减(PID)、下转换等前沿技术的结合。