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主要是形成良好的电极接触，而这正是通过丝网印刷和烧结两道工艺共同完成的。丝网印刷本身是一项传统的工业化工艺技术，自从七十年代就得到了广泛的应用。由于其对设备要求低，且在生产成本的降低中有着明显的优势
蒸镀或化学电镀技术制作，现在普遍采用的是丝网印刷方法，即通过特殊的印刷机和模板将银浆、铝浆印刷在太阳电池的正、背面，以形成正、负电极引线，再经过低温烘烤、高温烧结，最终即可制得太阳电池。在太阳电池的

3#小于1um的成份只有1#或2#的一半，P-1#和P-2#小于1um的成份极少。图2几种不同粒度银粉的比较分析：显示了粒度大小的顺序：即P-2#P-1#3#2#1#在实际烧结中，炉子温度会产生波动
分散剂、流平剂、金属微粒的防氧剂、稳定剂等。助剂的加入会对导电性能产生不良的影响，只有在权衡利弊的情况下适宜地、选择性的加入。导电银浆按烧结温度不同，分为高温银浆，中温银浆和低温银浆。其中高中温烧结型银浆

索比光伏网讯:网带式红外加热快速烧结炉是生产太阳电池片的关键设备，它的性能指标直接关系到电池片的转换率、成品率以及生产效率的高低。本文着重对几个关键性能进行了探讨，并介绍了实现这些性能的设备结构。一
、前言进入21世纪以来，光伏发电作为理想的可再生能源发电技术，得到了迅猛发展。在市场的拉动下，到2006年，我国已形成1200MW。的生产能力。在太阳电池片的整个生产工艺流程中，扩散、镀膜和烧结三道

间隙电流的产生是吸杂机制的基本因素。　　常规铝吸杂工艺是在电池的背面蒸镀铝膜后经过烧结形成，也可同时形成电池的背场。近几年在吸杂上的工作证明，它对高效单晶硅太阳电池及多晶硅太阳电池都会产生一定的
）Kysera电池　　日本ky0cera公司在多晶硅高效电池上采用体钝化和表面钝化技术，PECVD SiN膜既作为减反射膜，又作为体钝化措施，表面织构化采用反应性粒子刻边技术。背场则采用丝印铝奖烧结形成

决定了吸杂温度的下限；②分凝模型控制了吸杂的最佳温度。另有学者提出，在磷扩散时硅的自间隙电流的产生是吸杂机制的基本因素。常规铝吸杂工艺是在电池的背面蒸镀铝膜后经过烧结形成，也可同时形成电池的背场
）Kysera电池日本ky0cera公司在多晶硅高效电池上采用体钝化和表面钝化技术，PECVDSiN膜既作为减反射膜，又作为体钝化措施，表面织构化采用反应性粒子刻边技术。背场则采用丝印铝奖烧结形成。电池前面栅线也

２.２.１制绒工艺１）润洗污染：在多晶硅片酸制绒的生产过程中，润洗系统内部会生成不溶性盐类，在对硅片进行润洗的过程中会污染硅片的表面，形成ＰＮ结缺陷，进而影响镀膜，在杂质处未镀膜或形成镀膜缺陷，烧结时污染
ＰＮ结相对较浅，相同的烧结条件下，ＰＮ结较浅的地方易被浆料穿透，造成漏电流偏大。在生产中应严格控制方块电阻的大小，调整合适的工艺，使方块电阻的均匀性提高，从而降低电池的暗电流。２.２．３湿法刻蚀工艺湿法