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为您找到 “湿法”相关结果754 个
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综合
不可忽视的中国力量 光伏行业的春天来临
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-15 23:59:59
,股吧)、方正电机(002196,股吧)。创新股份:
湿法
绝对隔膜龙头,进入全球主流供应链,增持!隆基股份:公司为单晶绝对龙头,需求替代周期共振,公司扩张产能持续释放,增持!涪陵电力(600452,股吧
光伏行业
光伏企业
光伏装机
光伏市场单晶走弱多晶走强 主要受这俩方面因素影响
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-15 23:59:59
:按照当前的组件价格计算,黑硅组件有0.05元/瓦的增益,而成本只上升了0.02元/瓦左右。叠加
湿法
黑硅技术以后收益大于增加的成本,而且前期金刚线切多晶已经降本约0.5元/片,多晶组件性价比已大幅提升
电池工艺的单位成本相比,金刚线切多晶+
湿法
黑硅+PERC的电池制造成本仅为其92.7%,性价比较高,对多晶硅组件价格的下降起到很大的推动作用。单晶、多晶硅片价差0.6元/片是分水岭NBD:您如何看待
光伏产业
多晶硅
光伏要闻
光伏新技术不断涌现,性能、生产、发电多环节压低度电成本
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-15 16:35:52
造成了巨大的困难,也提高了电池片反射率不易提高转化效率。虽然目前已有 RIE(反应离子蚀刻)、
湿法
黑硅、添加剂等方式,但产业化应用过程中的成本解决仍将成为各家厂商需要集中解决的问题。
光伏发电成本
光伏技术
光伏发电
访华后的特朗普 将如何定夺201光伏案
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-15 09:55:07
,全球光伏厂商的利润将面临严重削减。中国光伏企业若想保住美国有限的市场份额,还要苦练内功,选择合适的技术路线。其中有专家预测,多晶组件需采用金钢线切多晶硅片搭配添加剂或
湿法
制绒方式,单晶则必须增加
201调查
特朗普
光伏产品
访华后的特朗普将如何定夺“201光伏案”?
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-14 23:59:59
多晶硅片搭配添加剂或
湿法
制绒方式,单晶则必须增加PERC技术,才能确保光伏企业的利润,性价比仍是抢占美国市场的关键。不难想象,若201光伏调查获通过,虽一段时间内缓解了美国光伏行业的压力,但就对改善美国经济
201
光伏行业
光伏产业
访华后的特朗普 将如何定夺201光伏案
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-14 23:59:59
之下,全球光伏厂商的利润将面临严重削减。中国光伏企业若想保住美国有限的市场份额,还要苦练内功,选择合适的技术路线。其中有专家预测,多晶组件需采用金钢线切多晶硅片搭配添加剂或
湿法
制绒方式,单晶则必须增加
光伏企业
石墨烯等二维材料在太阳能电池中的应用
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-14 14:59:59
具有很大的潜力。随后,曾祥斌教授还详细分析了二维材料的掺杂技术,并对各种掺杂技术的工艺、效果、优势、技术难点进行了分析对比。曾祥斌教授指出,
湿法
掺杂需要选择合适的溶液和改进工艺过程来解决稳定性
石墨烯
太阳能电池
光伏发电
阿特斯三季度业绩亮丽 全产业链布局加速 美国703兆瓦电站销售已签约
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-13 09:40:14
不断上涨,也给公司造成了汇兑损失,导致了我们的生产成本上涨。为了控制成本,目前阿特斯的切片已全面采用金刚线切工艺,自产电池已全部导入高效
湿法
黑硅电池技术,减少硅料消耗,提高电池效率,从而降低产品生产成本
于2017年底,将产能提高至5吉瓦。公司新增产能全部采用金刚线切工艺,以匹配公司领先的高效
湿法
黑硅电池生产技术,减少硅料消耗,降低生产成本。 截至2017年第三季度末,阿特斯电池片产能为4.7吉瓦
阿特斯
光伏企业
光伏组件发货量
走在前沿的组件企业最近都在干嘛?
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-12 23:59:59
黑硅PERC电池,目前量产平均效率达到20.5%,LID可控制在1.5%以内。使用常规量产的组件BOM产出
湿法
黑硅组件的主档位功率输出大于285W,干法黑硅组件的主档位功率输出大于290W,完全满足最新
光伏要闻
供暖+雾霾季来了,企业停产限产到底应不应该?
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-09 23:59:59
应急减排措施,具体措施包括全市钢铁企业球团竖炉、烧结机限产50%等;10月底,唐山市发出通知,要求10月24日至27日全市钢铁企业采用
湿法
脱硫的烧结机、竖炉全部停产。首先是价格的提升。限产供应减少价格
光伏要闻
协鑫集团2017无锡新能源展完美收官
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-06 09:46:44
一代
湿法
黑硅技术,其效率更高、成本更低,更兼容高效多晶PERC技术。保利协鑫TS+系列黑硅片开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺,同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果,效率更高而成
协鑫集团
光伏企业
无锡展会
走在前沿的组件企业最近都在干嘛?
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-06 09:16:07
金刚线切割的多晶硅片的黑硅PERC电池,目前量产平均效率达到20.5%,LID可控制在1.5%以内。 使用常规量产的组件BOM产出
湿法
黑硅组件的主档位功率输出大于285W,干法黑硅组件的主档位功率输出
光伏组件
光伏企业
光伏组件企业
“黑科技”2.0来袭 保利协鑫发布第二代高效黑硅片推动新产品产业化应用
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-05 23:59:59
效果,效率更高而成本更低,性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代
湿法
黑硅制绒技术,继承了第一代黑硅片优良的绒面结构,而陷光性能更优。经验证,TS+黑硅在上一代黑硅的基础上,电池效率增益将再提升
金刚线切多晶和
湿法
黑硅技术,共向市场提供三种不同的产品技术解决方案。第二代
湿法
黑硅技术的研发成功,对加速推广金刚线切多晶具有重要意义。这一过程离不开客户的支持与合作,上下游企业间的密切合作将为多晶技术路线
保利协鑫
黑硅电池片
高效电池
挑战黑硅产能极限 微导开发出最高产能RIE设备
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-03 17:19:48
%。到目前为止制绒添加剂技术、干法黑硅技术和
湿法
黑硅技术等都可以解决金刚线切割的多晶硅片反射率高,制绒困难的问题。多晶制绒添加剂技术不改变原有设备,增加专用添加剂,可以将金刚线多晶硅片反射率降低至接近常规
,Coo增加最少,但效率与常规基本持平或略有下降。因行业对效率提升的诉求会越来越高,所以效率有下降的多晶添加剂技术被认为是过渡技术。
湿法
黑硅技术的基本原理是采用Au/Ag等贵金属粒子随机附着在硅片表面作为
无锡先导
黑硅
RIE设备
单晶硅片降0.4元够了吗?2017年年底单晶硅片价格或将下降至4.5元/片以下
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-03 09:15:11
索比光伏网讯:近期,阿特斯技术总监在接受记者采访时表示,阿特斯的
湿法
黑硅技术已经非常成熟,量产电池效率提升0.5%,每片的成本仅增加0.1元左右,60片组件功率可以提升5瓦。按照当前的组件价格计算
,黑硅组件有0.05元/瓦的增益,而成本只上升了0.02元/瓦左右。叠加
湿法
黑硅技术以后收益大于增加成本,而且前期金刚线切多晶已经降本约0.5元/片,不考虑叠加PERC电池技术,多晶组件性价比已大幅提升
光伏价格
单晶硅片
多晶硅片
“黑科技”2.0来袭保利协鑫发布第二代高效黑硅片
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-02 18:07:28
11月2日,在第九届中国(无锡)国际新能源大会开幕当天,保利协鑫重磅发布TS+系列第二代黑硅片,引发客商广泛关注。TS+黑硅片采用保利协鑫最新一代
湿法
黑硅技术,其效率更高、成本更低,更
独特工艺,同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果,效率更高而成本更低,性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代
湿法
黑硅制绒技术,继承了第一代黑硅片优良的绒面结构,而陷光性能更优。经验
保利协鑫
高效
黑硅
光伏企业
“黑科技”2.0来袭 保利协鑫发布第二代高效黑硅片
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-02 17:30:07
索比光伏网讯:11月2日,在第九届中国(无锡)国际新能源大会开幕当天,保利协鑫重磅发布TS+系列第二代黑硅片,引发客商广泛关注。TS+黑硅片采用保利协鑫最新一代
湿法
黑硅技术,其效率更高、成本更低,更
陷光性能和更优的背面钝化效果,效率更高而成本更低,性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代
湿法
黑硅制绒技术,继承了第一代黑硅片优良的绒面结构,而陷光性能更优。经验证,TS+黑硅在上一代黑硅的基础上
保利协鑫
硅片
光伏技术
协鑫集成荣获“光能杯”CREC2017年度领跑者组件企业”大奖
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-02 13:34:29
年2月开始,协鑫集成已开始稳定量产基于金刚线切割的多晶硅片的
湿法
黑硅PERC电池,其电池生产的平均效率达到20.3%。多晶黑硅PERC硅片投产组件,使用常规量产的组件BOM产出组件主档位功率输出大于
协鑫集成
光伏组件企业
“光能杯
保利协鑫金刚线切多晶片比例已经超过80%
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-02 11:12:14
%,技改后多晶硅片成本降低0.5元/片,合理价格充分让利下游。D系列金刚线多晶片已获得客户的广泛认可与好评,当前仍然处于供不应求状态。 此外,保利协鑫
湿法
黑硅制绒产线成功投产,TS系列黑硅片可以提升电池
保利协鑫
多晶片
光伏企业
产业
三层氮化硅减反射膜工艺
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-02 10:48:01
,电阻率1~3˙cm,厚度180um的P型硅片,所有硅片除PECVD工艺外,其它都经过相同的处理过程。首先硅片经过HF和HNO3的混合溶液进行制绒,然后经过820℃~870℃的POCl3扩散,接着进行
湿法
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多晶硅片
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