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。34.通威股份（600438），公司持股50%的永祥公司控股了永祥硅业投资，其具有设计年产能5000吨三氯氢硅项目；永祥多晶硅公司年产1000吨多晶硅项目。35. 新南洋（600661），公司参股
太阳能电池项目）。41.向日葵（300111），公司已熟练掌握了光伏电池片生产的全部关键技术，包括自主开发的电池表面微结构处理、电池扩散吸杂、电池体钝化及抗反射等核心技术。晶体硅电池产品的平均转换率

还希望能对薄膜硅材料晶界及交界处的钝化工艺展开深入了解，同时探究宽带隙薄膜太阳能电池的潜力与极限。此外，这份谅解备忘录还规定，国家可再生能源实验室与德国的研究人员们将通过使用电致发光(EL)、光致发光
(PL)和温度记录法(thermography)检测太阳能电池和组件的性能和稳定性。科学家们将把太阳能电池放在高温、高光强照射条件下进行稳定性测试。同时科学家计划在光催化太阳能燃料产氢的过程中测试新的

，其具有设计年产能5000吨三氯氢硅项目；永祥多晶硅公司年产1000吨多晶硅项目。35. 新南洋，公司参股23.93%子公司上海交大泰阳绿色能源主要从事电池片、电池组件系统的研制、销售以及咨询。36.
向日葵，公司已熟练掌握了光伏电池片生产的全部关键技术，包括自主开发的电池表面微结构处理、电池扩散吸杂、电池体钝化及抗反射等核心技术。晶体硅电池产品的平均转换率已达17.5%，在国内同行中处于领先水平

卷绕太阳能电池(MWT)及发射极和背面钝化太阳能电池(PERC)的制作工艺中采用了该公司的高纯度水蒸汽发生系统。 “与弗劳恩霍夫太阳能系统研究的工程师合作是一段愉快且富有成效的经历
使用去离子水生产出不含挥发性物质、离子杂质或其他污染物的高纯蒸汽，并应用到太阳能电池生产的关键步骤中。此外，公司还表示通过使用非多孔膜可以有效去除金属、碳氢化合物和其他杂质，使蒸汽纯度提高到ppt(万亿分之一) 级别，并提高蒸汽产量。

（Honeycomb Texture）”、增加单元背面光反射量的“BSR（buck surface reflector）”、降低背面再结合速度的背面钝化（Passivation）结构，以及进一步改善背面状态
的氢环境中的热处理等。　　因此，电池的开放电压（Voc）为0.65V，短路电流（Isc）为8.45A，填充因子（F.F.）为75.7％，单元转换效率达到了19.1％。这些数值由日本产业技术综合

技术和热沉积源技术，同时还需用到芯片制造过程中所必需的合适的量测工具。光伏企业可能对此较为陌生，但半导体公司却驾轻就熟。再比如，就太阳能光伏材料而言，目前主要面临着控制表面粗糙度、叠层的掺杂分布、钝化层中
氢的含量，以及表面污染4项挑战。我们知道，污染物对生产效率和太阳能电池本身的效率都有着重要影响，而对表面污染的处理，如果在每个可能出现材料表面污染的工序使用接触式清洁技术，而非目前光伏企业大都采用的非

，对于N 型发射区的非平衡载流子具有很强的吸引力，使得少数载流子发生复合作用，从而减少电流。因此需要使用一些原子或分子将这些表面的悬挂键饱和。实验发现，含氢的SiNx膜对于硅表面具有很强的钝化
直接法可以使得氢原子或氢离子更深入地进入到多晶硅晶界中，使得晶界钝化更充分。　　使用不同频率的PECVD系统，也各有一定的优缺点：　　（1）频率越高均匀面积越小，越难于达到大面积均匀性

成本。香港小组以氢氟酸-硝酸银溶液或含有氧化剂的氢氟酸溶液(以银或其它金属为触媒)来刻蚀Si(100)的晶圆，不仅能快速制备出晶圆规模的硅纳米线，而且这种硅纳米线不需任何掺杂就具有良良好的
线的导电率可由硅晶圆来决定。相较下，利用化学气相沉积法制作的硅纳米线，不只成本昂贵、产量小，且需要掺入杂质才能提升导电率。研究团队目前计划研究表面改质(如表面钝化)，对效应电化学

太阳能（solar energy）【简介】一般指太阳光的辐射能量。在太阳内部进行的由“氢”聚变成“氦”的原子核反应，不停地释放出巨大的能量，并不断向宇宙空间辐射能量，这种能量就是
制氢、太阳能热发电等。各国制定的太阳能发展计划，普遍存在要求过高、过急问题，对实施过程中的困难估计不足，希望在较短的时间内取代矿物能源，实现大规模利用太阳能。例如，美国曾计划

,增强光的有效吸收,对电池表面进行钝化和通过改进电极的结构。在增强对太阳光的有效吸收方面采用了多种方法:如多层减反射膜,倒金字塔结构,机械和化学刻槽等。而随
损伤层,酸性腐蚀液为硝酸和氢氟酸的混合液,其反应为 3Si+4HNO3=3SiO2+2H2O+4NO

进行HCI腐蚀处理。为制备多晶硅薄膜太阳龟池，在激活层表面进行腐蚀形成绒面织构，并在其上进行n-型杂质扩散形成p-n结，然后进行表面钝化处理和沉积减反射层，并制备上电极，进行背面腐蚀和氢
掺杂。用CW-Ar激光束溶化沉积的硅膜，在氮气氛中，400℃-500℃下再结晶。制备薄膜太阳电池时，用常规方法进行P扩散和沉积ITO膜，用氢等离子处理来钝化晶体缺陷。电池也可采用MgF2