光伏咨询搜索-索比光伏网

PassivatedEmitter Rear Totally-diffused（发射结钝化全背场扩散电池），国内最熟知的这类电池就是英利熊猫电池，它的正面采用细密栅线设计，减少遮光面积，提高短路电流
则被多位电池领域专家称之为未来之星。前述权威电池专家对记者表示，HIT技术严格说不是N型电池，而是非晶硅和晶硅的结合，在P型氢化非晶硅、n型氢化非晶硅、n型硅衬底之间，增加非晶硅薄膜，该工艺有更好的

。 34通威股份，公司持股50%的永祥公司控股了永祥硅业投资，其具有设计年产能5000吨三氯氢硅项目；永祥多晶硅公司年产1000吨多晶硅项目。 35新南洋，公司参股23.93%子公司上海交大泰阳绿色能源
微结构处理、电池扩散吸杂、电池体钝化及抗反射等核心技术。晶体硅电池产品的平均转换率已达17.5%，在国内同行中处于领先水平。公司目前光伏电池年产能175MW，未来产能将扩张至275MW。 42恒星科技

年产1000吨多晶硅项目，具有很强的垄断性。34通威股份，公司持股50%的永祥公司控股了永祥硅业投资，其具有设计年产能5000吨三氯氢硅项目；永祥多晶硅公司年产1000吨多晶硅项目。35新南洋，公司参股
开发的电池表面微结构处理、电池扩散吸杂、电池体钝化及抗反射等核心技术。晶体硅电池产品的平均转换率已达17.5%，在国内同行中处于领先水平。公司目前光伏电池年产能175MW，未来产能将扩张至275MW

（Passivated Emitter，Rear Locally-Diffused）电池是钝化发射极、背面定域扩散太阳能电池的简称。设计是在PERC电池的基础上，在电池背面增加定域掺杂，即在电极与衬底的接触孔处
的原因在于：（1）双面钝化：电池正面和背面都覆盖着热生长的SiO2层。发射极的表面钝化，一方面降低了表面态，另一方面减少了前表面的少子复合。而背面钝化的增加，使反向饱和电流密度Jo下降，同时

生长技术　　图5、三氯氢硅直接硅片技术（优点：1、硅耗率为0.05~1g/w；2、硅片成本降至$0.1/w；3、发电成本为￥0.5/w
1366Technologies的专有DirectWafer技术和钝化发射极背面接触（PERC）的太阳能电池工艺，能效可达19%。1366Technologies首席执行官rankvanMierlo表示

、电子信息与通信业39项。备受太阳能光伏市场关注的高纯多晶硅生产技术，包括高效节能的大型提纯、高效氢气回收净化、高效化学气相沉积、多晶硅副产物综合利用等装置及工艺技术、硅烷流化床法多晶硅生产工艺；22%以上
的高效电池生产技术，包括重点背场钝化（PERC）电池、金属穿孔卷绕（MWT）电池、N型电池、异质结电池（HIT）、背接触电池（IBC）电池、叠层电池、双面电池等；拓展硅基薄膜太阳能电池应用范围，发展

实验室中，科研人员已经采用SiO2钝化电池表面，并取得不俗的开路电压和效率。 SiNx：H 第一次进化 90年代，科研机构和制造商开始探索使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备含氢的
型硅中的少子浓度，从而降低表面复合速率。SiNx中携带的氢可以在烧结的过程中扩散到硅片中，对发射极和硅片的内部晶体缺陷进行钝化，这对品质较低的多晶硅片尤其有效，大幅提高了当时太阳能电池的效率

不理想。 SixNy膜层不仅减缓浆料中玻璃体对硅的腐蚀抑制Ag的扩散速度从而使后续快烧工艺温度范围更宽易于调节，而且致密的SixNy膜层是有害杂质良好的阻挡层。同时生成的氢原子对硅片具有表面钝化与体
阶段的代表技术，电池效率提高到17%，电池成本大幅度下降。1985年后是电池发展的第三阶段，光伏科学家探索了各种各样的电池新技术、金属化材料和结构来改进电池性能提高其光电转换效率：表面与体钝化技术、Al

（Polytechnic University of Catalonia）共同发现利用原子层沉积（AtomicLayer Deposition， ALD）将氧化铝覆盖在黑硅表面作为钝化层，可以有效抑制电子在表面的损失，将
（通常是碱金族的氢氧化物），将硅表面蚀刻出类似金字塔的微米结构；而黑硅是利用反应离子刻蚀（Reactive-Ion Etching， RIE）在表面蚀刻出奈米等级的小结构。利用碱液蚀刻出来的结构尺度较大

在制绒环节，其余环节仅仅是控制标准的差异。单晶制绒采用碱溶液腐蚀，腐蚀过程中产生硅酸盐和氢气副产物，通过应用制绒辅助液代替或部分代替异丙醇（IPA），可实现更低的BOD、COD
污水排放，且单晶制绒体系对于设备硬件的要求很低，更容易实现环保和工艺控制。多晶采用酸溶液腐蚀，需要使用高浓度的硝酸和氢氟酸，主要副产物为氟硅酸和NOx，而Nox是一种很难彻底处理的大气污染

的制备工艺主要差别在制绒环节，其余环节仅仅是控制标准的差异。单晶制绒采用碱溶液腐蚀，腐蚀过程中产生硅酸盐和氢气副产物，通过应用制绒辅助液代替或部分代替异丙醇（IPA），可实现更低的BOD、COD
污水排放，且单晶制绒体系对于设备硬件的要求很低，更容易实现环保和工艺控制。多晶采用酸溶液腐蚀，需要使用高浓度的硝酸和氢氟酸，主要副产物为氟硅酸和NOx，而Nox是一种很难彻底处理的大气污染物，考虑到这些因素

，使得少数载流子发生复合作用，从而减少电流。因此需要使用一些原子或分子将这些表面的悬挂键饱和。实验发现，含氢的SiNx膜对于硅表面具有很强的钝化作用，减少了表面不饱和的悬挂键，减少了表面能级。综合来看
索比光伏网讯:为了提高晶体硅太阳能电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。硅的折射率为3.8，如果直接将光滑的硅表面放置

SiO2钝化电池表面，并取得不俗的开路电压和效率。SiNx：H 第一次进化90年代，科研机构和制造商开始探索使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备含氢的氮化硅(SiNx：H)薄膜用作电池
速率。SiNx中携带的氢可以在烧结的过程中扩散到硅片中，对发射极和硅片的内部晶体缺陷进行钝化，这对品质较低的多晶硅片尤其有效，大幅提高了当时太阳能电池的效率。伴随着钝化材料上的创新，银浆材料与烧结工艺

c-Si中引发了倒置层，这种倒置层和基区接触的耦合导致短波电流密度大量减少，这种不利的影响称为寄生分流。另一个可以得到与退火的SiO2相同SRVs的低温钝化方案，是用氢化非晶硅（a-Si）在200
℃-250℃范围内进行PECVD沉积。尽管事实上寄生分流不会发生在氢化非晶硅钝化太阳能电池上，但是新的问题是热处理过程中氢化非晶硅钝化的高强度。最近，由载流子寿命测试结果表明由原子层沉积（ALD）生长的氧化铝