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下一代技术方向。相较于P 型单晶硅，N 型单晶硅主要单晶硅中掺磷，N 型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P 型材料中的杂质对少子电子的捕获能力，相同电阻率的 N 型硅片的少子寿命比P 型硅片的高出
降低电池表面的复合损失。 5) 低损伤金属化接触技术优化的金属浆料体系，减少金属对多晶硅层的破坏，最大限度发挥多晶硅钝化结构的优点;改善金属浆料与多晶硅介面电流传输机制，降低

材料科学与技术实验室(EMPA)的690万美元赞助。我们的太阳能电池可用于像穿戴式电子等小型装置中，Empa薄膜与光电实验室负责人兼Sharc25计划协调员 Ayodhya Tiwari表示，但我
EMPA与ZSW以外，该计划的其他合作夥伴还包括在卢森堡、法国鲁昂、义大利Parma和芬兰Aalto的大学；比利时校际微电子(IMEC)；德国亥姆霍兹柏林(HZB)材料与能源研究中心；伊比利亚国际奈米

共同开发出一款三结薄膜太阳能电池，可达到超过13%的转换效率。Sharc25计划是由德国太阳能暨氢能研究机构(ZSW)主导，并得到欧盟Horizon 2020计划以及瑞士联邦材料科学与技术实验室
卢森堡、法国鲁昂、义大利Parma和芬兰Aalto的大学;比利时校际微电子(IMEC);德国亥姆霍兹柏林(HZB)材料与能源研究中心;伊比利亚国际奈米技术实验室(INL);瑞士Flisom与德国

索比光伏网讯:中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯研究再获重要突破。信息功能材料国家重点实验室，超导实验室石墨烯课题组的唐述杰等人，在国际上首次通过引入气态催化剂的方法成功实现石墨烯单晶在六角
、出众的热导率以及卓越的力学性能等而被人们普遍认为是为后硅CMOS时代延续摩尔定律的最有竞争力电子材料。然而石墨烯的电学性质受到衬底的影响很大，电荷杂质和声子散射会使石墨烯的电学性能极大地下降。研究

据悉，由新加坡与德国科研人员组成的团队日前发表新的光源研究成果，透过两种新材料接口所产生的特性，可望使其用于打造出更高性能的太阳能电池、新颖超导体以及更小的硬盘。这个研究团队由新加坡国立大学
。新的研究成果是利用德国大型粒子物理学研究机构──DeutschesElektronen-Synchrotron(DESY)的光源研究成果，并进一步掌握了两种可能的新材料接口特性，而接口正是材料研究

，弹性组合。具备高转换效率；最高输入直流电压达900伏；并有可拆卸的图形化介面控制面板，直觉式设计让使用者可轻松上手。透过此面板，太阳能发电量、转换效能等资讯，一览无遗。此外，内建保护与监控系统装置，大幅
减少系统建置空间、安装时间与额外部件的采购成本，是另一大特色。模组化设计，显著降低材料使用与成本，使PVS 300成为ABB极具价格竞争力的焦点产品。完整资讯请见产品专网：http://www.abb.com/product/us/9AAC172308.aspx

：　　太阳能光伏发电是依靠太阳能电池元件，利用半导体材料的电子学特性，当太阳光照射在半导体PN结上，由于P－N结势垒区产生了较强的内建静电场，因而产生在势垒区中的非平衡电子和空穴或产生在势垒区外但
两类，一类是并网发电系统，即和公用电网通过标准介面相连接，像一个小型的发电厂；另一类是独立式发电系统，即在自己的闭路系统内部形成电路。并网发电系统通过光伏阵列将接收来的太阳辐射能量经过高频直流转换后变成

实验室制造了复杂的石墨烯纳米P-N结，利用850纳米的激光照射石墨烯P-N结介面，并测量激光照射点产生的光电流。结果发现，随着激光强度的增加，特别是在低温的条件下，可取得最大为5 毫安/瓦（mA/W
大多数材料的过热电子可将能量传递到周围晶格，而石墨烯则需要很高的能量才能振动其晶格的碳原子核，因此只有很少的电子能将热能转移到晶格。研究人员表示，该研究成果是光电及能量采集方面十分重要的进展。由于这种现象

照射石墨烯P-N结介面，并测量激光照射点产生的光电流。结果发现，随着激光强度的增加，特别是在低温的条件下，可取得最大为5毫安/瓦（mA/W）的光电流，这一数值比以前的石墨光电器件高6倍。热载流子效应并不
很大能量时，便可成为热载流子。由于热载流子所造成的一些影响，就称为热载流子效应。）研究人员认为，石墨烯之所以会产生上述现象，是由于大多数材料的过热电子可将能量传递到周围晶格，而石墨烯则需要很高的能量

发电是依靠太阳能电池元件，利用半导体材料的电子学特性，当太阳光照射在半导体PN结上，由于P－N结势垒区产生了较强的内建静电场，因而产生在势垒区中的非平衡电子和空穴或产生在势垒区外但扩散进势垒区的非平衡
系统，即和公用电网通过标准介面相连接，像一个小型的发电厂；另一类是独立式发电系统，即在自己的闭路系统内部形成电路。并网发电系统通过光伏阵列将接收来的太阳辐射能量经过高频直流转换后变成高压直流电，经过

成为各研发团队努力的方向。量子效率的理论与能量守恒定律，定义每种介面形式的光电转换效率极限，因此目前提高单位整体转换效率的方式主要为聚光以增加单位光强度而提高效率(图1)，以及增加太阳光谱感应频段以增加
绝缘材料烧毁，因此追日系统的精度往往要达到0.1度的范围。即使追日系统精度能达到要求，高聚光系统还要面临更严苛的考验。若聚焦倍率高于三百倍以上时，对焦正确无误情况下，无法转换的光热能在长期的累积下，也

等诸多HB-LED 元件制造商、蓝宝石晶圆、MOCVD制程，以及LED产业关键设备、材料供应商，并在11月11日举行第一次HB-LED例会，针对LED制程需求组成了晶圆(wafers)、载器
任务是透过相关标准的制定以促进硬体与软体介面的通用性，以期有效降低成本，透过高度自动化与整合的机制，HB-LED制造商在设备供应商的选择将更有弹性，对产业整体发展实有助益。 ˙组装──目前，鉴于在光

Vaynzof在7月22日美国物理联合会的《应用物理快报》在线版中报道的7，共轭聚合物因其光吸收和导电性是制作这种系统的优良材料。遗憾的是，这类材料较差的电荷分解能力往往会抑制其性能。光生电荷在被收集而
形成电力之前，它们仍保持紧密束缚并重新复合。本着解决这一问题的目的，Vaynzof和同事们研究了在光吸收有机聚合物和无机氧化物层介面上的电荷分解。 Vaynzof指出，他们发现用单层自组织分子膜来