晶体硅太阳能电池是一种同质结电池，即 PN 结是在同一种半导体材料上形成的，而异质结电池的 PN 结采用不同的半导体材料构成。日本三洋公司在 1990 年发明出 HIT 电池并申请为注册商标，因此
年)：HIT 技术初见雏形，日本三洋取得重大突破。1974年，Walter Fuhs 首次提出结合非晶硅和晶硅材料的 HIT 结构;日本三洋于 1989 年通过将本征非晶硅插入硅片和掺杂的非晶硅层

有望快速向 PERC 靠近，主要靠国产设备的使用以及成本降低。 国内已有量产实绩,企业加大布局。目前 HJT量产的以国外松下/ 三洋最为成熟，已经有1GW的量产实绩，而国内在2018年的实际产能
沉积)两种方法。 RPD(反应等离子体沉积)技术主要由日本住友重工掌握，其设备匹配自己生产IWO(氧化铟掺钨)靶材制备IWO透明导电薄膜，其采用蒸发镀膜对衬底轰击较小，IWO薄膜电学性能明显优于

所有PERC产能的供给能力，因此非PERC产品依旧保有一定比例，但相比之下竞争力比较弱。再加之单晶PERC性价比最高，更具扩产抢占市场的可能性。 HIT技术是PERC之后的全新工艺。HIT电池最早由日本
三洋公司于1990年成功开发，因HIT已被三洋注册为商标，因此又被称为HJT或SHJ。HIT电池同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅(a-Si)和晶体硅(c-Si)材料形成的(背面的高低结亦然

不同意这种观点，他认为目前HJT的GW级的量产已经非常接近成熟。 他指出，HJT技术在十几年前日本松下(前身三洋)就已经实现了量产，只是由于成本过高始终无法真正规模化，2014，2015年开始,国内

HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，所以又被称为HJT或SHJ。作为新一代高效光伏电池中的佼佼者，异质结HJT电池具备转换效率高、提效空间大、发电能力强、工艺流程短等多重优势，正受到产业资本的高度
上半年抢装，加上今年的竞价项目、平价项目以及大基地项目等，预计2020年国内装机有望超50GW，同比翻倍增长。海外方面，主要的光伏市场如欧洲、美国、印度、日本等都有望实现较快增长。 目前组件大厂在手

异质结电池其实是1990年日本三洋发明的，学术界和产业界做了大量的摸索，但一直没有实现产业化，为什么最近突然火起来了呢? 1异质结电池介绍 一、PERC红利的消退。PERC电池经过3-4年的普及
应用材料的设备比较成熟，但价格比较昂贵;国内钧石和理想有供货能力，迈为样机已经交付，正在调试，捷佳样机预计在2020年一季度交付，金辰股份样机预计在2020年3季度交付。清洗制绒机目前日本YAC比较

发射，所用的太阳能电池功率14W。 1963年Sharp公司成功生产光伏电池组件;日本在一个灯塔安装242W光伏电池阵列，在当时是世界最大的光伏电池阵列。 1964年宇宙飞船光轮发射，安装470W
硫化镉光伏系统，用于教育电视供电。 1973年美国特拉华大学建成世界第一个光伏住宅。 1974年日本推出光伏发电的阳光计划;Tyco实验室生长第一块EFG晶体硅带，25mm宽，457mm长(EFG

Heterojunctionwith Intrinsic Thin-layer的缩写，意为本征薄膜异质结，因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，所以又被称为HJT或SHJ(Silicon
Hetero junctionsolar cell)。该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，当时转换效率可达到14.5%(4mm2的电池)，后来在三洋公司的不断改进下，三洋HIT电池的

1月7日周二，A股异质结电池(HIT)板块大爆发。异质结电池板块横空出世，但这竟是什么? 异质结电池(HIT)全称是晶体硅异质结太阳电池，最早由日本三洋公司于1991年成功开发。该技术是在晶体硅上

了0.5。 如今HIT是蓄势待发，而关于HIT，你知道多少?HIT问世已30年，技术积累带来突破。未来又将如何发展? 异质结电池从萌芽走向成熟 HIT萌芽：1989-1990年。日本三洋用非晶硅薄膜
代替本征微晶硅层，做出的电池效率达到14.5%，并命名为HIT。三洋将HIT注册为商标，专利保护到2015年结束。 HIT摸索：1991-2015年。海内外众多研究机构对HIT工艺进行优化，对不同的