来看,首年功率衰减一般不高于2.5%或3%),主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后,光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集,“B-O对”与 黑硅技术的工艺,能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术,以及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法(metal
一般不高于2.5%或3%),主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后,光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集,B-O对与杂质、缺陷会产生更明显 端降本与电池片端提效两方面。目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术,以及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed
,首年功率衰减一般不高于2.5%或3%),主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后,光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集,B-O对与杂质、缺陷 同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术,以及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed