光伏咨询搜索-索比光伏网

纯度;硅片环节通过金刚线切片减少原材料用量，提高切片效率;电池片环节通过镀膜、掺杂等方式提高光电转化效率，组件环节在既有的电池片转化效率前提下，尽量提升组件的输出功率或者增加组件全生命周期内的单瓦发电量
。 3) 自动层压：将背板(TPT)、EVA胶、电池组、钢化玻璃按照顺序进行层叠，通过抽真空、加热融化等方式进行层压。涉及到的设备有层压机。 4) 自动修边：处理层压时EVA受热融化后形成的毛边

。在降本路径方面，硅料环节通过连续加料等长晶技术的升级提高长晶速率和纯度;硅片环节通过金刚线切片减少原材料用量，提高切片效率;电池片环节通过镀膜、掺杂等方式提高光电转化效率，组件环节在既有的电池片
、电池组、钢化玻璃按照顺序进行层叠，通过抽真空、加热融化等方式进行层压。涉及到的设备有层压机。 4) 自动修边：处理层压时EVA受热融化后形成的毛边，涉及到的设备有自动削边机。 5) EL

到聚光板边缘，以激发贴在边缘处的太阳能电池，提高太阳能电池的光电转换效率。这种聚光板具有半透明的外观，可集成于建筑物玻璃中实现新型太阳能窗户。但是，传统的荧光型太阳能聚光板受限于较低的荧光效率以及自
荧光型太阳能聚光板，在理论上可实现荧光量子效率的倍增，同时完全抑制自吸收损失。基于此概念，研究团队合成了一种表现出典型量子裁剪特征的稀土金属镱掺杂的纳米晶材料，并采用此类纳米晶制备出量子裁剪荧光型

，公司高效P型单晶电池转换效率达到23.95%，再破世界纪录。这一效率纪录获得中国科学院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心的测试认可。据了解，该高效电池技术应用晶科自主研发的高掺杂低缺陷P型
晶科保持的23.45%。而不仅在单晶领域，晶科在今年10月也打破了P型多晶太阳能电池转换效率世界纪录(22.04%)。该电池采用了高质量工业级硼掺杂多晶硅片，将陷光、钝化技术及抗光衰等先进技术统一集成在

，在长晶过程中，结晶界面上的温度在理论结晶温度附近波动幅值达到3K，导致结最界面形状与稳态条件下的情况存在明显差別。非掺杂异质结全背太阳电池的研究完成人：上海交通大学林豪、吴飞、沈文忠
等高功函空穴传输层，及TiOx、LiF、MgOx、低功函金属等电子传输层，与晶硅基底通过界面能带匹配构建的异质结电池结构，具有低温制备、非掺杂、结构简单、接触钝化等潜在优势，受到广泛的重视。本报告将详细

POCl3扩散以形成n+-Si发射极。然后在下一步移除磷硅酸盐玻璃(PSG)和清除电池背面。图一：分别展示了传统多晶硅电池(左)和CSI的高效多晶硅PERC电池(右)的工艺流程。使用原子层沉积
如电阻率或掺杂浓度、氧含量和结构缺陷密度等。衰减速率还与施主B元素或Ga元素或者B与Ga化合物有关;Ga掺杂或部分Ga掺杂所带来的收益是被普遍认可的。图三展示了由电致衰减(CID)测得的经过

含量铝粉和小粒径铝粉活性较高，铝粉和玻璃粉的反应温度较低，铝硅原子间扩散程度较大，可获得较厚的铝背场和较低的填充率;适中的烧结温度能够平衡填充率和铝背场厚度，峰值烧结温度为778.6℃时，填充率达到
(纯度99.9%)：氧含量分别为0.42%~0.55%、0.57%~0.60%和0.61%~0.70%; 中位径(D50)分别为1.5， 4.5， 10 m. 玻璃粉为自制。松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必

以及流程，柔性光伏组件，透明导电氧化玻璃(TCO，掺杂或本证氧化锌膜层)镀膜工艺。PECVD，PVD和低压化学气相沉积(LPCVD)系统，薄膜发电光伏产品的应用平台，开发和研究薄膜太阳能电池、组件及
光伏电池产品，光伏建筑一体化方案：发电墙、汉瓦、发电玻璃，薄膜发电产品，Solibro的CIGS薄膜发电技术，CIGS共蒸发技术，小尺寸组件的转换效率：1cm2电池转换效率达到21.0%，硅基薄膜生产设备

技术，CIGS共蒸发技术，小尺寸组件的转换效率：1cm2电池转换效率达到21.0%，硅基薄膜生产设备以及流程，柔性光伏组件，透明导电氧化玻璃(TCO，掺杂或本证氧化锌膜层)镀膜工艺。PECVD，PVD和低压
产品效率和性能，为行业提供了更低度电成本的全新产品选择。汉能单结电池片和组件，弯曲的光伏电池产品，光伏建筑一体化方案：发电墙、汉瓦、发电玻璃，薄膜发电产品，Solibro的CIGS薄膜发电

。 PERC工艺(通过2个生产系统完成升级) 完整的PERC生产线(A：硅片检测;B：损伤层去除/制绒;C：扩散;D：去PSG(磷硅玻璃);E：MAiA背面沉积;F：SiNA正面沉积;G
能够在全天候工业流程中完成均匀的高质量本征及掺杂非晶硅膜层的沉积。大规模生产中的平均转换效率可达23%Gt以上，最高效率已超过24%。这里Gt代表Grid touch测量，因为HJT电池片属于无无主栅

生产成本。这些优势在生产晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池中得到了充分的体现。在晶硅太阳能电池生产中，激光技术被用于切割硅片和边缘绝缘。电池边缘的掺杂是为了防止前电极和背电极的短路。激光技术越来越多
地用于掺杂工艺，因为它能在太阳能电池上提高局部掺杂浓度得分布从而改善载流子的移动性，特别是接触栅极。此外，激光技术的另一个应用是在晶硅太阳能电池上选择性烧蚀钝化层。超短脉冲和高脉冲能量的激光器

，光伏玻璃企业最直接受益，重点推荐：信义光能，关注：福莱特玻璃;此外，高效产能占比较高的电池组件企业也将有一定优势，关注：隆基股份、林洋能源、通威股份。风险提示政策变动风险;技术可靠性风险;产业
提升发电效率的不同手段：在硅料、长晶切片环节主要通过物理方式提升材料纯度;电池片环节则通过各种镀膜、掺杂工艺提升效率;组件环节则通过各种不同的封装工艺在既有的电池片效率前提下，尽量提升组件的输出功率或增加组件全

发射极，方块电阻为90～98 / □; 3) 刻蚀及去磷硅玻璃层(PSG); 4) 硅片背面沉积Al2O3 和SiNx 钝化膜：Al2O3 薄膜厚度20 nm，SiNx 薄膜厚度130 nm
，不论是扩散后还是PECVD 钝化后，硅片的电阻率越高，其少子寿命也越高。在太阳电池中，少子寿命往往是由几种不同能级状态的复合中心支配的，硅片的电阻率越低，其基体掺杂浓度越高，硅片内部的杂质和晶格缺陷

叠加组件技术外是否有第二张选择，让单晶PERC轻松达到310W呢?答案是肯定的。据了解，一线电池片企业爱旭推出的高效单晶PERC电池片效率已经达21.8%，不需要增加反光焊带、反光玻璃、半片等技术
，直接封装即可达到310W。据爱旭介绍，其高效PERC电池片制造中引入了选择性发射极技术(selectiveemitter,SE)，采用激光掺杂技术形成选择性PN结，SE技术与PERC技术完美结合，增强

光伏组件3类。 1)单晶n型双面光伏组件。图1为基于磷掺杂的n型硅制备成p+nn+结构的双面太阳电池，其采用硼扩散掺杂制备发射极，磷扩散掺杂制备n+背场。由于n+磷背场代替常规p型硅
太阳电池用铝浆印刷技术形成的铝背场，背面电极也采用与正面电极相同的栅线结构，使电池前后表面都能吸收光线，实现双面发电。同时，组件背板采用2.5mm厚的透明玻璃使背面光线能进入电池片。单晶n型双面

。高效率 HIT电池独特的非掺杂(本征)氢化非晶硅薄层异质结结构，改善了对硅片表面的钝化效果，大降低了表面复合损失，提高了电池效率。据报道，Panasonic研发出的HIT电池实验室效率已达到25.6
烧结，银粉之间依靠表面熔融相互连接，玻璃相在一定程度上熔银并刻蚀硅板，形成可靠黏结和欧姆接触。因此1N的拉力要求对于低温银浆的是一个挑战。 2HIT电池金属化工艺流程及方法目前大部分HIT电池的

转换效率达到了19.1%，背面转换效率为18.1%。世界各国研究人员陆续在钝化、丝网印刷、掺杂扩散等技术方面取得进展，实现了双面光伏组件的工业化生产。目前市场上的双面光伏组件主要有单晶 n型双面
光伏组件、单晶PERC 双面光伏组件、异质结(HIT 或HJT) 双面光伏组件3 类。 1) 单晶n 型双面光伏组件。图1 为基于磷掺杂的n 型硅制备成p+nn+ 结构的双面太阳电池，其采用硼扩散掺杂

年7月，天合光能量产P型单晶PERC电池的平均效率已达21.1%。2016年12月，天合光能以22.61%的转换效率再创单晶PERC电池世界纪录。该破纪录的PERC太阳电池采用了大面积工业级硼掺杂的
推出了高效单晶PERC双面发电组件产品Hi-MO2。72型组件功率达360/365W，60型组件功率300/305W。该电池正面发电效率超过21%，与单面PERC电池相当。同时，背面采用了玻璃

种类电池的光致衰减程度不同： P型(硼掺杂)晶硅(单晶/多晶)硅片中，光照或电流注入导致硅片中形成硼氧复合体，降低了少子寿命，从而使得部分光生载流子复合，降低了电池效率，造成光致衰减。而非
长期的功率损失，所以，光伏电站后期运维十分重要，可有效降低故障所带来的效益损失。光伏组件的玻璃面板你知道吗? 光伏电池组件采用的面板玻璃一般是钢化玻璃，其铁含量低、光面或绒面超白。我们也常把光面

现代玻璃建筑的表面。电化学技术跨国公司Industrie De Nora Group的控股公司，Federico De Nora Spa投资了626,740欧元，占25%的股本。 Glass
发光太阳能聚光器技术，旨在达到5%的效率，即每平方米50W。其太阳能电池板是基于发光太阳能聚光器(LSC)技术：半透明的塑料材料掺杂载色体，在吸收阳光后，重新以更长的波长发射光子。这些光子被全反射推动