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，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统
，反应原料气体为H2稀释的SiH4，衬底主要为玻璃及不锈钢片，制成的非晶硅薄膜经过不同的电池工艺过程可分别制得单结电池和叠层太阳能电池。目前非晶硅太阳能电池的研究取得两大进展：第一、三叠层结构非晶硅

提高光电板玻璃的透射率，从而提高 PV 模组的效率和功率输出。该涂层还能显著降低玻璃的眩光，使 PV 板能更好地融入周围的环境。在目前所有市售的抗反射涂层 (ARC) 中，SOLARC 已被证明具有
难题的又一例证。目前市面上的大多数 PV 板因为前端覆盖玻璃对光的反射作用，都会损失约 4% 的潜在功率输出。光反射除了会导致发电量减少，还会造成令人不悦的眩光，如果在住宅的屋顶上安装这种设备，则尤其

染料敏化纳米晶体太阳能电池（DSSCs）为例，这种电池主要包括镀有透明导电膜的玻璃基底，染料敏化的半导体材料、对电极以及电解质等几部分。　　阳极：染料敏化半导体薄膜（TiO2膜）　　阴极：镀铂的
导电玻璃　　电解质：I3-/I- 如图所示，白色小球表示TiO2，红色小球表示染料分子。染料分子吸收太阳光能跃迁到激发态，激发态不稳定，电子快速注入到紧邻的TiO2导带，染料中失去的电子则很快从

发展起来的一种新型太阳电池，与传统硅电池相比，因其成本低，效率高而逐渐受到许多研究者的青睐（图1是该电池的结构示意图）。传统DSSC主要由透明导电玻璃、多孔二氧化钛薄膜、染料敏化剂、电解质溶液（或固态
染料敏化太阳电池结构示意图Fig.1 Structure of dye-sensitized solar cell 1. 传统DSSC对光的利用 2.1导电玻璃对光的利用　　由于传统DSSC采用的

能　　TCO导电薄膜的导电原理是在原本导电能力很弱的本征半导体中掺入微量的其他元素，使半导体的导电性能发生显著变化。这些微量元素被称为杂质，掺杂后的半导体称为杂质半导体。氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃
　　TCO（Transparentconductingoxide）玻璃，即透明导电氧化物镀膜玻璃，是在平板玻璃表面通过物理或者化学镀膜的方法均匀镀上一层透明的导电氧化物薄膜，主要包括In、Sn

单晶硅电池的转换效率最高,国内已达到17.6%。多晶硅电池的转换率也突破了16%。制造太阳能晶硅电池需要经过很多工艺，其中包括硅片清洗、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜和丝网印刷等
封装后组合成可以独立作为电源使用的最小单元，这个独立的最小单元称为太阳电池组件。太阳电池组件由光伏电池和金属框架、玻璃盖片、电缆引线还有粘结剂等组成。在封装过程中，单体太阳电池之间是用金属导电带串联或

采用了大规模呼吸式太阳能玻璃幕墙。整座大厦的发电量可达0.3兆瓦，相当于一个小型的发电站，直接并网发电。英利（还）积极开拓海外市场，以技术入股的形式在国外投资建厂。目前，英利已经在欧美等地建立
标兵和技术能手不断涌现，层出不穷。强大的科技实力、灵活的创新机制，让英利在科技创新中保持旺盛的冲刺状态。在短短三年内，英利就诞生了500多个自主创新项目，其中多晶硅铸锭掺杂技术、多晶硅太阳能电池

安装。这在国内同行业中是绝无仅有的，它标志着我国高新技术产品在太阳能光伏制造领域达到国际领先水平。由英利承建的我国首座太阳能光伏大厦即将投入使用，建筑外立面采用了大规模呼吸式太阳能玻璃
内，英利就诞生了500多个自主创新项目，其中多晶硅铸锭掺杂技术、多晶硅太阳能电池转换效率提升技术、组件生产与检测、光伏与建筑一体化等太阳能电池生产及应用领域都取得了突飞猛进的发展。依靠技术创新，“英利

原来未能解决成为半导体所必须的杂质掺杂问题。此次在高密度BN薄膜中掺入杂质时采用了自主开发的“Laser Mixing Plasma CVD法”，成功试制出BN/Si异质结二极管。使用这种二极管试制的
、可靠性以及耐候性等有较高要求的无人观测装置和宇宙环境等用途，推出相关产品。今后，除此次试制成功的p型BN之外，还将通过试制n型BN来制作BN同质结二极管。这样，就能够开发出相对于可视光的透明电池，除配合蓄电池、构成车载型太阳能天窗发电系统外，还有望用于开发贴在太阳镜或玻璃窗户上的太阳能电池等。

时间。薄膜太阳能电池还有一个重要优点是适合作与建筑结合的光伏发电组件(BIPV)：双层玻璃封装刚性的薄膜太阳能电池组件，可以根据需要，制作成不同的透光率，可以部分代替玻璃幕墙，而不锈钢和
玻璃中间的PVB或EVA，能够有效隔断能量的传导，起到LOW-E玻璃的功能。由于城市用地的稀缺性，大规模占用耕地建设地面太阳能光伏发电站几乎不可能，但是，城市大量的既有和待开发的建筑外立面和屋顶面积，是

存在几种制造硅有源层的技术1，本文将讨论其中的三种。　　薄膜PV基础　　第一种技术是制作外延（epitaxial）薄膜太阳能电池（图1），从高掺杂的晶体硅片（例如优级冶金硅或废料）开始，然后
太阳能电池，即将一层厚度只有几微米的晶体硅淀积在便宜的异质衬底上，比如陶瓷（图2）或高温玻璃等。晶粒尺寸在1-100mm之间的多晶硅薄膜是一种很好的选择。我们已经证实，利用非晶硅的铝诱导晶化可以获得

首先在空间等离子体区形成,而后再扩散到衬底表面长大成多晶膜。对于SiH4:H2气体系统,有研究表明,在高氢掺杂的条件下,当用RFPECVD的方法沉积多晶硅薄膜时,必须采用衬底加热到600℃以上的办法
,才能促进最初成长阶段晶核的形成。而当衬底温度小于300℃时,只能形成氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。以SiH4:H2为气源沉积多晶硅温度较高，一般高于600℃，属于高温工艺，不适用于玻璃基底。目前

温度高于600℃,衬底使用昂贵的石英，但制备工艺较简单。另一类是低温工艺，整个加工工艺温度低于600℃，可用廉价玻璃作衬底，因此可以大面积制作，但是制备工艺较复杂。目前制备多晶硅薄膜的方法主要有如下几种
薄膜可采用硅烷气体通过LPCVD法直接沉积在衬底上，典型的沉积参数是：硅烷压力为13.3～26.6Pa，沉积温度Td=580～630℃，生长速率5～10nm/min。由于沉积温度较高，如普通玻璃的软化

。未掺杂的CdS薄膜的电阻率高，不是由于膜的不连续引起的，很可能是由于氧气介入，氧俘获导带电子，形成化学吸附，存在晶界的多晶CdS薄膜更易吸收氧，在热退火过程中，消除氧的吸附作用，降低了电阻率，因此
喷涂设备喷涂到玻璃或具有SnO2导电膜的玻璃及其它材料的衬底上，经热分解沉积成CdS薄膜。各国不同学者采用的工艺都基于如下热分解效应： CdC12+（NH2)2CS+2H20

，SiO2，Si，Al2O3，SiAlON，Al等，从目前的文献看有以下一些衬底: （１）单晶硅（２）多晶硅（３）石墨包SiC （４）SiSiC （５）玻璃碳（６）SiO2膜
具体方法是：先用低压化学气相沉积（ＬＰＣＶＤ）法在衬底表面形成一层较薄的、重掺杂的非晶硅层，再用高温将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，用这层较薄的大尽寸多晶硅层作为籽晶层，在其上面用ＣＶＤ法生长厚的

技术，在经预先氟化处理的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜，该方法类似于沉积a-Si：H薄膜。在低温下用等离子增强化学气相沉积法（PELVD）沉积大面积多晶硅薄膜。一般，p。型掺杂多晶硅薄膜用叠层技术
有化学吸收，使光电导率衰减。未掺杂的CdS薄膜的电阻率高，不是由于膜的不连续引起的，很可能是由于氧气介入，氧俘获导带电子，形成化学吸附，存在晶界的多晶CdS薄膜更易吸收氧，在热退火过程中