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硅单晶的目标电阻率准备好需要掺杂的Ｓｉ－Ｂ合金；投料：将配好的洁净原料，在洁净环境中按照硅原料大小形状搭配投入石英坩埚中；单晶拉制：分抽真空、化料、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、停炉、冷却等环节，出炉即为
喷涂及烧结：对检验合格的坩埚，加热后用氮化硅溶液均匀的喷涂在坩埚的内壁，在烧结炉中经过最高1050℃约24小时烧结，冷却后待用；装料及搀杂：按照铸锭工艺要求的目标电阻率掺杂定量的Ｓｉ－Ｂ合金；以求达到

高效晶体硅电池技术研究取得进展21世纪新能源网，记者Sunnie在中国科学院在宁波材料所获悉，晶体硅太阳能电池应用中，发射极的特性可以极大地影响电池性能，通过提高发射极的掺杂浓度可以降低电池的接触
电阻，但是过高的掺杂浓度又将增加发射极中光生载流子的复合速率。选择性发射极电池结构有效地解决了这一矛盾，在这种电池结构中，金属栅线下方采用较高浓度的掺杂，与此同时，栅线间的发射极保持较低的掺杂浓度，从而

股份有限公司(下称：常州亚玛顿)于近期成功闯关，即将登陆国内A股市场。备受关注的是，在这份不到300页的招股书中，公司在展现骄人业绩的同时，暗藏其中的风险也逐渐浮出水面。据了解，常州亚玛顿以光伏玻璃镀膜技术的
研发以及光伏镀膜玻璃的生产和销售为主业，其主导产品为光伏减反玻璃并主要应用于晶体硅光伏电池组件封装，是国内该类产品生产规模较大的企业之一。独立性或缺产销寄生大客户长期以来，拟上市公司因过度依赖

半导体的导电性能发生显著变化。这些微量元素被称为杂质，掺杂后的半导体称为杂质半导体。氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃就是将锡元素掺入到氧化铟中，提高导电率，它的导电性能在目前是最好的，最低电阻率达
索比光伏网讯:TCO（Transparentconductingoxide）玻璃，即透明导电氧化物镀膜玻璃，是在平板玻璃表面通过物理或者化学镀膜的方法均匀镀上一层透明的导电氧化物薄膜，主要包括

和成形处理，然后通过高精度切片技术制成硅片。再通过一种包括蚀刻、掺杂、涂层和敷设电触点等步骤的多步生产流程将硅片制成电池。在此基础上，将太阳能电池相互连接并封装起来，由此制成太阳能组件，再与其他系统
清理　喷砂清理太阳能薄膜制造过程中使用的涂敷工具和支架，这些工具和支架是用于对导电玻璃基底进行光伏涂层的涂覆。　该公司提供专门用于清洁上述涂敷工具和支架的喷砂系统，该系统包括喷嘴机械手

一种包括蚀刻、掺杂、涂层和敷设电触点等步骤的多步生产流程将硅片制成电池。在此基础上，将太阳能电池相互连接并封装起来，由此制成太阳能组件，再与其他系统组件一起发给系统集成商，安装在太阳能系统中。1.
-涂敷工具的喷砂清理喷砂清理太阳能薄膜制造过程中使用的涂敷工具和支架，这些工具和支架是用于对导电玻璃基底进行光伏涂层的涂覆。该公司提供专门用于清洁上述涂敷工具和支架的喷砂系统，该系统包括喷嘴机械手的

学物理电子研究所）开发的激光工艺来创建出选择性发射极架构。尤其是开发的激光光学部件可以在常规扩散处理后，将磷硅玻璃层中的含磷介质扩散到太阳能电池的发射极中，从而消除所有缺陷。因此可以借由局部增加磷原子的
二次掺杂，以显著促进晶体和接触电极之间的传导率。选择性掺杂技术是一项非常精细的技术，也是综合的大规模生产的必经之路。在不同客户的测试中，选择性发射极可以提高晶体硅太阳能电池效率高达0.5%。对于高端的太阳能电池来说，意味着大约16.5%17%的最终转换效率。

出选择性发射极架构。尤其是开发的激光光学部件可以在常规扩散处理后，将磷硅玻璃层中的含磷介质扩散到太阳能电池的发射极中，从而消除所有缺陷。因此可以借由局部增加磷原子的二次掺杂，以显著促进晶体和接触电极之间
的传导率。选择性掺杂技术是一项非常精细的技术，也是综合的大规模生产的必经之路。发射极–太阳能电池朝向太阳的一面聚集–聚集太阳光生成的电荷载子并将其沿导体路径传送至终端用户。发射极被磷原子有选择地浸

保温材料、玻璃面盖等使用及功能性设计上均受极大之限制，而以电镀制程方式镀膜虽然可获得良好的光学性质 ( 吸收率可达 0.95 ;放射率可至 0.1) ，但电镀废液会造成潜在性环境污染问题，也使得制造成
极低、且在真空环境下制作，故不会有水份及杂质掺杂造成膜层污染，因而膜面光学性质稳定及使用寿命长，不论在环保面及后处理回收成本面均较目前国内其余制程佳;另外，溅镀之膜层为非常薄之膜厚，故可大幅降低膜层之

月创下的17.6%效率记录。这项全新的纪录已经获得了德国佛朗霍恩斯太阳能系统研究院的独立认证。“柔性CIGS电池18.7%的效率已经接近了多晶硅和生长在玻璃沉底上的CIGS电池，18.7%的新纪录的
价值在于它几乎缩小了柔性 CIGS太阳能电池与多晶硅电池片或玻璃基板的CIGS薄膜电池片之间的差距，”Tiwari表示，“柔韧且轻盈的CIGS太阳能电池片效率完全可以与最好的产品相媲美，它将拥有无限的

掺杂采用了产综研开发的在基板上形成0.1m左右的极薄硅酸盐玻璃层（含Na）的技术。　　富士胶片采用Al和SUS的胶合板为基材，提高了耐热性，开发出了在Al表面形成绝缘层的柔性基板（图3）。通过形成的
转换效率为17.6％，采光面积为72cm2的子模块的转换效率为12.5％。　　此次单元转换效率的提高是通过改进Na掺杂和CIGS层中的铟（In）及镓（Ga）等的构成比例和构造实现的（富士胶片）。Na

共聚成类似于 EAA的聚合物。它含有与 EVA相似的结构单元，与EVA共混有很好的相容性，可制成透明的薄膜，这样就在EVA 中掺杂了铕元素。a 丙烯酸铕的制备在500 mL三口烧瓶中加入7.04g
，测试方法如下：a 将切割好的玻璃（50mm*25mm）若干片用酒精擦干净晾干待用，准备配方中含铕元素的胶膜样品JCC-115若干，某国外胶膜样品A若干，某国内胶膜样品B若干，某国内胶膜样品C若干；b 将

，就是沉积层状硅，沉积到更便宜的基板上，比如塑料或玻璃基板。但是，这种方法有一个缺点：硅薄膜具有较低的发电转换效率，不如块状硅晶体，因为它们只吸收较少的光线，而且包含更多的缺陷。新加坡科学技术与研究局
引入大量掺杂剂。帕特里克罗和同事们现在正在使用这些实用的指导，设计一种样机，根据就是这种独特的概念。使用纳米结构是一种很好的方式，可以开辟道路，克服传统物理学设置的局限，他说。更多信息：http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=5419081

N. Tiwari领导的一个科学家小组经过多年努力，改善了材料的效率。Tiwari先生说：“柔性C.I.G.S.18.7%的新纪录效率值凭借多晶硅晶圆或铜铟镓硒玻璃上的薄膜太阳能电池。几乎弥合了与
低温沉积来生成层。然后，他们仅仅在最后阶段使用钠完成了掺杂过程。通过这一工艺，他们证明，聚合物薄膜作载体底物比金属箔更好，可以实现更高的效率。科学家们认为柔性高性能CIGS太阳能电池的一个好处是因为其卷

。霍尼韦尔 SOLARC 产品系列是在半导体应用的先进材料基础上开发而成。它是一种透明的涂层材料，可以改进光伏玻璃的透射率，从而提高 PV 组件的效率和功率输出。该涂层还能显著降低玻璃的眩光，使 PV
致力于凭借自身新材料开发实力满足 PV 行业对单位功率成本更低、性能更高 PV 组件的需求，这一新产品推出是又一个很好的例证。”目前市面上的大多数 PV 组件因为上层盖板玻璃对光的反射作用，都会损失约 4

提高电池的功率输出。这些新型材料包括大规模半导体制造中常用的电介质和掺杂剂。霍尼韦尔电子材料部向半导体行业供应电子材料已有超过 40 年的历史，现在正在将这方面的专长应用于光伏行业。霍尼韦尔电子材料
部业务总监 Dmitry Shashkov 表示：“霍尼韦尔本着持续创新的精神，不断将成熟的半导体技术和材料应用于光伏行业。霍尼韦尔的新型掺杂剂和电介质材料有助于晶硅光伏电池制造商将低成本、高产量的工业

，电池片转化效率超过17.5%，组件转化效率超过15.25%，并且防反射层玻璃的投射率超过94%。松下即将推出的产品则宣称更高的转化效率，通过收购三洋电机并采用其“HIT”单元构造开发的组件
转换效率为16.8%。HIT是指Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，本征薄膜层异质结构。该工艺是在P型氢化非晶硅和n型硅衬底之间增加一层非掺杂的本征氢化