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工艺及分析工具箱如何能用来有助于基于晶硅的光伏器件的进一步开发。本文介绍了在IMEC正在跟踪研究的一些方法，把微电子和微系统范围广泛的纳米技术工具箱用于晶硅太阳能电池。公认的晶硅太阳能电池路线图现今的
。这样的薄电池只能通过在i-module概念中提出的组件级加工进行处理，其中，电池与组件的加工最终将融合起来。图2是IMEC的高水平晶硅太阳能电池路线图。为了应对这些挑战，现在可看到微电子半导体加工技术

800nm处将光电子流提高数倍。为了研究金属纳米点对增强吸收的作用，纳米点的尺寸和分布必须均匀。有几种方法已用于制造金属纳米图形，例如常规的光刻和自组装技术。但是，这些方法有一些缺点，如产出低或设备成本高
(a)。从图1(b)可以证实，在AAO膜底部的氧化铝阻挡层已彻底除去，这使膜能用作真空蒸发时的遮蔽掩膜。AAO的孔径及厚度可以分别用调节孔加宽处理和第二次阳极氧化的加工时间控制。本研究中用的AAO膜的

近期发表的光伏电池技术正面电极金属浆料材料的专利。在提交联邦法院的文件中，杜邦公司宣称，贺利氏及SolarWorld制造、销售或采用贺利氏正面电极银导电浆料，已侵害杜邦公司美国专利8158504 B2号
。杜邦公司投入大量资源，以科学创新应对全球挑战，并通过完善的专利制度保护其知识财产。杜邦电子与通讯事业部总裁戴维米勒（David B. Miller）表示。我们在正面及背面电极金属浆料技术领域的领先

吸收系数保证了从紫外光到对应于CdTe带隙的825nm波长的光量子产率。CdTe作为光伏材料的另一个好处是制造技术的灵活性，能以高质量多晶薄膜形式大面积制造。能量转换效率高达16.5%的小面积CdTe
100nm的n型CdS窗口层用化学浴淀积（CBD）技术再FTO/玻璃衬底上制备，其方块电阻是14/sq。用自制的近空间升华（CSS）装置在玻璃/FTO/CdS模板上制备CdTe吸收层。改变升华时间控制CdTe

的生长条件后，制备了有光学抗反射TCO层的氢化微晶硅氧化物（c-SiOx:H）异质结太阳电池。其转换效率高达12%。这证明了这种简单加工方法的技术潜力。实验和结果实验中采用的ECR-CVD系统是单一
，Taiwan 　这些年来，对晶硅（c-Si）和氢化非晶硅（-Si:H）组成的异质结太阳电池的关注不断增加。与常规的c-Si同质结比较，-Si:H/c-Si异质结有几个优点：⑴ 太阳电池效率高，超过

多晶硅，而且是绿色技术？原因是： a）跟踪：这将使多晶硅的用量减少30%~40%。 b）聚光：4倍聚光，尤其对直射光的聚光，可将硅材料、非硅材料的每度电耗能下降到原有的1/4。下面
： a)进一步将低倍广角聚光技术，发展为在水上跟踪的中低倍（如8~20倍）广角聚光技术，（注：制约中低倍聚光技术的最大难题，散热问题，可在水中获得完全解决！）进一步大幅度降低光伏组件每瓦售价。 b)大力研发高效硅基多结聚光电池和廉价高效的砷化镓薄膜电池，进一步大幅度提高光伏电池的单位面积发电量。

的关键技术。2有机薄膜太阳能电池的发电原理图1有机薄膜太阳电池的断面图及发电机理图1所示为有机薄膜型太阳能电池(OTFSC)的断面。OTFSC主要由承担基本光吸收与空穴输送的-共轭高分子和承担电子输送
，相当于p型半导体的共轭高分子，与相当于n型半导体的电子受体分子（低分子化合物）混合，构建成这一混合物的相分离，形成所谓整块异质结相分离的随机结合界面。电介质薄膜可补偿整块异质结薄膜上的整流性，电介质

LG电子发布了组合异质结构造和背接触构造的单元研究成果（a）。阿特斯在金属贯穿式背电极构造的单晶硅单元上实现了19.5％的转换效率（b）。三洋电机领先一步
（注2）。图2：在异质结和背接触方面争夺转换效率

%，用MOCVD方法在p／p+-Si电极表面覆盖TiO2薄膜形成异质结结构，不仅提高了光稳定性能，而且在一定电压下光电流增大了10倍。用同样的方法覆盖-Fe2O3，和ZnO薄膜也得到了类似的结果。用LB
膜技术在n-Si电极表面修饰排列有序的Pt团簇（平均直径为4nm），其开路电压达到了0.685V。金属和金属氧化膜的表面修饰加速了光生空穴的界面转移，从而有效抑制了电极自身光腐蚀，同时也提高了光电性能

进行了提高体异质结构造规则性的控制，从而提高了转换效率。　　英特尔在从事现行太阳能电池业务的同时，还在该公司主办的展会上作为新一代技术展示了有机太阳能电池的试制品。虽然并未公布研究细节及成果，但从解说
））。图3：美国科纳卡技术在“PV EXPO 2009 第二届国际太阳能电池展”上展出的、利用卷对卷方式制造的有机薄膜太阳能电池模块（a）以及利用该模块试制的皮包（b）　　不过，上述量产的现在的

作者：杨雷为使太阳能电池真正实现高效、稳定、长寿命，技术的发展和创新是关键中的关键。近几年来，飞速增长的太阳能电池产量和更大规模的产能扩充，加上金融动荡对中国光伏行业的
。技术发展和创新是关键为使太阳能电池真正实现高效、稳定、长寿命，技术的发展和创新是关键中的关键。晶体硅电池技术所带来的硅用量需求比IC行业大得多，导致了

：REC。这些公司分布在晶体硅太阳能电池产业链的各个环节，即晶硅制备(单晶硅、多晶硅、非多晶硅薄膜)、硅片生产、电池制造、组件封装四个环节。产业链最上游是太阳能晶硅制备，这个环节技术门槛高
(尤其是多晶硅)，具有一定垄断性，以Hemlock、Tokuyama、REC等公司为代表，它们掌握晶硅制备技术，占据全球太阳能多晶硅总产量的95%以上。第二个环节是硅片(Wafer)生产。这一环节的主要

）表面织构化电池——也称绒面电池，最早（1974）也是为通讯卫星开发的。其AM0时电池效率η≥15％，AMI时η＞18％。这种技术后来被高效电他和工业化电池普遍采用。（4）异质结太阳电池——即不同
％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术