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为您找到 “异质结<b>太阳能电池”相关结果108 个
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综合
丝网印刷优化的n型
太阳能电池
效率达到20%
来源:索比光伏
发布时间:2012-09-18 23:59:59
索比光伏网讯:目前,全世界生产的
太阳能电池
组件85%以上是基于晶硅,其中大多数是基于p型硅片。在p型硅片上加磷扩散发射极和铝背面场得到了常见的多晶或单晶
太阳能电池
,为绝大多数(95%)基于硅片的PV
组件所采用。Sanyo和Sunpower公司生产的PV组件多年来是这一规则的例外,他们采用n型硅片作为基材得到高效率电池:Sanyo是HIT(具有本征层的
异质结
)电池,Sunpower是IBC(叉指背
光伏要闻
光伏企业动态每日速览(第十九期)
来源:索比光伏
发布时间:2012-07-05 00:00:59
、政府、学术组织或者其它团体。松下是第五家获得IEEE奖的日本公司。该公司因开发了高性能
异质结
太阳能技术(HIT)并使其商业化而获奖。其HIT
太阳能电池
转换效率在研发层面达到了23.9%,在批量生产层次
近期发表的光伏电池技术正面电极金属浆料材料的专利。在提交联邦法院的文件中,杜邦公司宣称,贺利氏及SolarWorld制造、销售或采用贺利氏正面电极银导电浆料,已侵害杜邦公司美国专利8158504 B2号
光伏
太阳能
光伏企业
光伏要闻
微米和亚微米级吸收层厚度的CdTe薄膜
太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-20 23:59:59
示于图1。可以看到,对于5m厚CdTe
太阳能电池
来说,吸收层由直径1-3m的密集堆积的CdTe晶粒组成。CdTe结晶质量高以及形成的CdTe/CdS
异质结
好使得能量转换效率高达13.2%,如图2
(a)所示。对于0.5m厚CdTe
太阳能电池
来说,见图1(b)和(d),CdTe晶粒尺寸几乎减少一个数量级,为0.2~0.7m。
太阳能电池
效率是4.7%。如以后要讨论的,效率的降低是因为晶粒比较小的CdTe
光伏要闻
有机薄膜
太阳能电池
的结构与制作技术
来源:索比光伏
发布时间:2012-04-19 15:54:37
界面的整块
异质结
。引入这一相分离结构,是因为有机薄膜
太阳能电池
经过了激励子(exciter)的扩散。OTFSC首先是由共轭高分子或者电子受体分子的光吸收,产生激励子。然后,p型或n型激励子,在具有整块
分子拔出电子的氧化作用),图3所示,由金属氧化物和共轭高分子形成
异质结
接合界面,藉此可以构成
太阳能电池
。这一场合下,通过金属氧化物强烈的氧化作用,在共轭高分子内形成了多数阳离子游离基。作为迅速地空穴
光伏要闻
展望现有技术发展前景(2)
异质结
构造竞争激烈,三洋电机领先一步
来源:索比光伏
发布时间:2011-12-12 23:59:59
首位宝座 在结晶硅型
太阳能电池
领域争夺转换效率首位宝座的三洋电机和SunPower分别采用了
异质结
构造和背接触构造。研究阶段的单元转换效率约为24%。 (注
LG电子发布了组合
异质结
构造和背接触构造的单元研究成果(a)。阿特斯在金属贯穿式背电极构造的单晶硅单元上实现了19.5%的转换效率(b)。 三洋电机领先一步
展望现有技术发展前景
光伏要闻
全球知名企业纷纷涉足有机
太阳能电池
领域
来源:索比光伏
发布时间:2009-06-30 00:10:28
。n型半导体采用富勒烯衍生物、p型半导体采用聚3-己基噻吩(P3HT)形成体
异质结
构造。该材料类和结构本身在有机薄膜
太阳能电池
中很常见,但英特尔将电极制成了梳齿状并嵌入内部,使电子更易流动的同时,还
进行了提高体
异质结
构造规则性的控制,从而提高了转换效率。 英特尔在从事现行
太阳能电池
业务的同时,还在该公司主办的展会上作为新一代技术展示了有机
太阳能电池
的试制品。虽然并未公布研究细节及成果,但从解说
太阳能
光伏要闻
浇铸多晶硅片比重上升 单体电池成本下降
来源:索比光伏
发布时间:2009-02-11 11:13:59
作者:杨雷 为使
太阳能电池
真正实现高效、稳定、长寿命,技术的发展和创新是关键中的关键。 近几年来,飞速增长的
太阳能电池
产量和更大规模的产能扩充,加上金融动荡对中国光伏行业的
。 技术发展和创新是关键 为使
太阳能电池
真正实现高效、稳定、长寿命,技术的发展和创新是关键中的关键。 晶体硅电池技术所带来的硅用量需求比IC行业大得多,导致了
多晶硅
光伏要闻
全球太阳能技术领跑者——之一:美国篇(表)
来源:索比光伏
发布时间:2007-11-25 10:41:55
(PH); SWANSON RICHARD M (US); MANNING JANE E (US) 拥有聚合物
异质结
联接的
太阳能电池
US2007151599
(US); PIPER MATTHEW B (US); KAMINAR NEIL (US)
太阳能电池
材料的蚀刻 WO2005013321 2004-7-19
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