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的直径（如200毫米到210毫米）和边距尺寸，但仍令客户出现选择性困难。规格不统一的话，单晶硅片厂商无法大规模地批量生产同一规格，如A公司要的是一个硅片尺寸，B公司要另一个尺寸，在我们生产端就要
用不同的生产装置。而如果A公司的效益不好，其可能采购硅片的数量不够，我们又会增加相应库存，并且这批原来供给A公司的货也无法卖给B公司。　　现在，几家大的单晶硅企业有了统一标准之后，这个问题就会得到相应解决

高硬度的碳化硅作为磨料，用钢线切割硬脆材料。其优点是能切割大尺寸硅锭，效益和效率高，加工表面损伤小，片厚一致性好，主要应用于高新科技产业的半导体、液晶面板和光伏硅片的切割。英利公司因进入太阳能行业
较早，硅片切割技术在行业内领先，采用瑞士生产的HCT-B5机床多线切割技术，该技术是目前世界上比较先进的加工技术，其原理是通过金属丝的高速往复运动，把磨料带入加工区域对工件进行研磨，将棒料或锭件一次

子专用设备工业协会常务副秘书长金存忠今年，制备高转换效率纳米表面结构的黑硅材料使用的等离子体浸没离子注入设备、采用定向凝固生长技术的吨位级多晶硅铸锭炉和大尺寸开方机、带二次
加料装置并采用下排气结构的高效低能耗全自动硅单晶炉、6～8英寸区熔硅单晶炉、高效可靠的硅片切割设备和融合了更先进工艺技术的新一代全自动化晶硅太阳能电池片生产线等设备的产业化，将成为下一步国产光伏设备市场

定向凝固生长技术的吨位级多晶硅铸锭炉和大尺寸开方机、带二次加料装置并采用下排气结构的高效低能耗全自动硅单晶炉、6～8英寸区熔硅单晶炉、高效可靠的硅片切割设备和融合了更先进工艺技术的新一代全自动化晶硅
的经济性已能和火力发电电价抗衡，还是环保需求性都已经没有理由来阻止这一大趋势了。分布式我更愿意称之为后B2B时代，即它的终端用户或参与者不仅仅是之前的那几家国企、央企的大型电力公司，而是普通的工商业

）：PESC电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集
因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高

电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对光伏电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集
％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL

晶粒(50mm)面积大于50%，单晶籽晶小方锭制备获得的准单晶硅片的形貌图如附图4a、4b所示。对比三种籽晶块对应的长晶效果：单晶籽晶处延续单晶生长，至10cm以上出现少量分裂晶粒，大晶粒延续至硅锭
200m20和180m20两种，6)TTV30m,7)弯曲度15m，8)大晶粒晶向1005o质量好的单位准单晶硅锭按照切片后同一晶向晶粒所占硅片面积的比例大小可分为A、B、C三个质量等级区域：A区：占硅锭比例为

、小批量生产测试，通过对GT铸锭炉改造实现了准单晶的量产能力，并有效解决了等温曲线精确控制、0.5CM厚度超大尺寸无损伤籽晶制备技术和超低成本应用问题、错位等影响产品品质问题、电池制造工艺匹配问题，为
有独特优势。GT650从准单晶成本角度也许更值得期待。作为第一个将准单晶的制造成本降到接近普通多晶硅片的公司，使其量产具有现实意义。凤凰光伏准单晶硅片的基本参数导电类型：P 尺寸

，平均衰减为0.4%0.6%。在凤凰光伏将试产单晶硅片送至相关的电池生产商，在大生产线投放后得到的数据基本相同，光衰减为0.5%。准单晶硅锭中A、B、C区制成的电池片获得了不同的技术参数，具体如下：A区
效率基准为17.6%。凤凰光伏的准单晶硅片正在逐步被市场所接受接下来，凤凰光伏在准单晶技术研发的重点将放在以下几点：温度梯度改进方法；大尺寸超薄晶种的制备；精确熔化控制方法、位错密度控制方法、边角多晶

的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。　　目前国内主要采用CZ法　　CZ法
，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。　　（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须

1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电他的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41”角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集效率，对低
％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术