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着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广，对传
C对B-O复合体存在抑制作用。3)分凝系数。氧在硅中的分凝系数为1.25，因此对于直拉单晶硅来说，头部的O含量相对较高，尾部相对较低;而对于铸锭多晶硅来说，底部先凝固，则O浓度最高;顶部后凝固，则O

着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广
(C)含量。高浓度的C对B-O复合体存在抑制作用。3)分凝系数。氧在硅中的分凝系数为1.25，因此对于直拉单晶硅来说，头部的O含量相对较高，尾部相对较低;而对于铸锭多晶硅来说，底部先凝固，则O浓度最高

光伏产业进入更高效的时代。目前，保利协鑫已经引领行业的多晶硅片技术前沿，14年上半年市场的主推产品为S2硅片（制备成电池片后有17.6%的效率），新一代产品鑫多晶S3产品较S2更高效，运用S3以常规工艺
保利协鑫能源控股有限公司是全球领先的多晶硅生产商、全球最大的硅片供应商，竞争实力很强。作为股东旗下唯一一家主营多晶硅片的生产商，公司能够在采购渠道、技术研发、资金等多方面得到保利协鑫能源控股有限公司的

的组件输出功率只有183W，为标况下的73.2%。 2光电转化效率 1）效率的计算方法理论上，尺寸、标称功率相同的组件，效率肯定是相同的。光伏组件是由电池片组成，一块光伏组件通常由60片
（610）或72片（610）电池片组成，面积分别为1.638 m2（0.992m1.652m）和3.895 m2（0.992m1.956m）。辐照度为1000W/m2时，1.638 m2组件上接收的

多晶硅(永祥股份)-中游电池片(合肥通威)-下游电站(通威新能源)的光伏产业链，进一步完善布局；另一方面，随着国内光伏发电装机容量迅速提升(预计2020年累计装机容量达150GW，五年复合增速28.3
亿元。多晶硅产线实现超产；全年出售光伏电站310MW，成交金额27.42亿元。由于多晶硅生产用电量增加，外售电量减少，致电费收入同比减少7.74%至3.76亿元。能源业务向煤电一体化模式发展，并将

，公司将构建起上游多晶硅(永祥股份)-中游电池片(合肥通威)-下游电站(通威新能源)的光伏产业链，进一步完善布局；另一方面，随着国内光伏发电装机容量迅速提升(预计2020年累计装机容量达150GW，五年
新能源产业及配套工程业务收入同比增长23.5%至88.46亿元。多晶硅产线实现超产；全年出售光伏电站310MW，成交金额27.42亿元。由于多晶硅生产用电量增加，外售电量减少，致电费收入同比减少7.74%至

要求：所选用钢结构主材材质为Q235B，焊条为E43系列焊条。 2)力学性能要求：所选用钢结构主材的抗拉强度、伸长率、屈服点、冷弯试验等各项力学性能要求须符合《碳素结构钢》(GB/T700-2007)的
。铝合金材质 a.材质要求：材质一般选用6061或6063等。 b.力学性能要求：所选用铝型材的基材质量、化学成分、力学性能必须符合GB5237.1的相关规定。 c.表面处理须满足技术要求，符合

，太阳能电池片及太阳能电池组件的生产及销售等。英力特：公司经营范围包括单晶硅、多晶硅生产开发，而公司与大股东英力特集团在国内最大硅石、石英石基地在宁夏石嘴山(硅石储量高达42.8亿吨)从事单晶硅
、多晶硅生产开发。保变电气：公司拥有51%股权的天威英利硅片年产能70兆瓦、电池60兆瓦、组件100兆瓦；公司拥有35.66%股权的四川新光硅业拥有1260吨多晶硅产能。向日葵：公司已熟练掌握了光伏电池片

看出：单晶硅(绿色)和多晶硅(黄色)的效率是交错排布的。衰减率最低的是D厂家的单晶硅组件，最高的B厂家的单晶硅组件。这张图也说明，组件厂家的生产质量对衰减率的影响，可能高于组件类型对衰减率的影响
2006~2015年的出货量情况　　图2：各类光伏组件2006~2015年的市场占有率情况从图1、图2可以看出：(1)多晶硅市场占有率一直最高;多晶硅的市场占有率除2009年略有下降以外，基本保持持续上升

。图5：不同品牌的光伏组件衰减率情况从上图中可以看出：单晶硅(绿色)和多晶硅(黄色)的效率是交错排布的。衰减率最低的是D厂家的单晶硅组件，最高的B厂家的单晶硅组件。这张图也说明，组件厂
：各类光伏组件2006~2015年的出货量情况图2：各类光伏组件2006~2015年的市场占有率情况从图1、图2可以看出： (1)多晶硅市场占有率一直最高;多晶硅的市场占有率除2009年

，而且改变了光在硅中的前进方向，延长了光程，增加了光生载流子的产量;曲折的绒面又增加了结面积，从而增加对光生载流子的收集率。对于多晶硅电池而言，由于硅片晶粒晶向的不均匀，无法使用碱制绒。为有效降低绒面
对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。图2A. 单晶电池金字塔绒面图 2B. RIE制备的多晶电池绒面减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从

硅中的前进方向，延长了光程，增加了光生载流子的产量;曲折的绒面又增加了结面积，从而增加对光生载流子的收集率。对于多晶硅电池而言，由于硅片晶粒晶向的不均匀，无法使用碱制绒。为有效降低绒面反射率，目前
钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的

，延长了光程，增加了光生载流子的产量；曲折的绒面又增加了结面积，从而增加对光生载流子的收集率。对于多晶硅电池而言，由于硅片晶粒晶向的不均匀，无法使用碱制绒。为有效降低绒面反射率，目前已经有反应离子刻蚀
结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用

，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。 1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括： A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。 B.电阻损耗，电池片本身的
，低效片混入)。 D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。 E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。 F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要

单多晶组件CTM不同的内在原因。　　1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带
损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗